crystalline field effectとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor substrate in which a semiconductor layer formed on one substrate can be formed on other substrate by joining substrates with an insulating film disposed therebetween, and in this case the semiconductor substrate is manufacturable easily, while keeping a good crystalline structure without damaging the crystalline structure of the semiconductor layer, a field effect transistor, an integrated circuit and a method for manufacturing the semiconductor substrate.例文帳に追加

絶縁膜を介在させて基板同士を貼り合わせることで、一方の基板上に形成された半導体層を他方の基板に形成できると共に、この際に当該半導体層の結晶構造を損傷させることなく、高品質な結晶構造を維持したまま簡単に製造できる半導体基板、電界効果トランジスタ、集積回路、及び半導体基板の製造方法を提案する。 - 特許庁

An insulated gate field effect transistor is fabricated by forming an underlying silicide film or a gate insulation film on a substrate, forming an amorphous silicon film in contact therewith without exposing the film to the atmosphere, heat treating the amorphous silicon film to form a crystalline silicon film, and patterning the crystalline silicon film to form a semiconductor layer for forming a channel forming region.例文帳に追加

基板上の下地となる酸化珪素膜又はゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜を形成し、その酸化珪素膜を大気に曝すことなく、それに接して非晶質珪素膜を形成し、その非晶質珪素膜を熱処理し、結晶性珪素膜を形成し、その結晶性珪素膜をパターニングし、チャネル形成領域が形成される半導体層を形成して、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを作製する。 - 特許庁

With the use of a mis-orientated wafer 10 with a plurality of steps 11 and terraces 12 formed by rearranged surface silicon atoms, a MOS field-effect transistor is structured with a very thin crystalline silicon dioxide film 15 which is grown epitaxially on the terrace 12 of the wafer 10 as a gate insulating film.例文帳に追加

表面シリコン原子の再配列によって形成した複数のステップ１１およびテラス１２を有するミスオリエンテーション基板１０を用いて、その基板１０のテラス１２上にエピタキシャル成長させた極薄の結晶質二酸化シリコン膜１５をゲート絶縁膜としてＭＯＳ電界効果型トランジスタを構成する。 - 特許庁

To provide a laser irradiating apparatus for providing a crystalline semiconductor film in which, by controlling a Marangoni convection occurring on the surface of a liquid solution in laser annealing, crystallinity is excellent and besides there is less variation in quality, then to provide a semiconductor film crystallizing method using the same, and further to provide a semiconductor device using an FET for attaining high electric field effect mobility by the crystalline semiconductor film made by the crystallizing method.例文帳に追加

レーザーアニールにおいて融液表面でのマランゴニ対流を制御して、結晶性に優れ、且つその品質のばらつきが少ない結晶性半導体膜を提供するレーザー照射装置及びそれを用いた半導体膜の結晶化方法、並びに、それにより作製される結晶性半導体膜で高い電界効果移動度を実現する電界効果トランジスタを用いた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The field effect transistor includes: a first nitride semiconductor layer 13 formed on a substrate 11; a second nitride semiconductor layer 14 formed on the first nitride semiconductor layer 13 with a larger band gap compared to the first nitride semiconductor layer 13; a first insulating film 15 composed of a crystalline silicon nitride and formed on the second nitride semiconductor layer 14; and a second insulating film 16 formed on the first insulating film 15.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１３と、第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、第１の窒化物半導体層１３と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４の上に形成された結晶性の窒化シリコンからなる第１の絶縁膜１５と、第１の絶縁膜１５の上に形成された第２の絶縁膜１６とを備えている。 - 特許庁