crystalline fieldとは 意味・読み方・使い方

In the orientation step, the thermotropic liquid crystalline polymer is oriented by using at least one of external field selected from a flow field, a shear field, a magnetic field and an electric field.例文帳に追加

配向工程では、熱液晶性高分子が流動場、せん断場、磁場、及び電場から選ばれる少なくとも一種の外場によって配向される。 - 特許庁

In crystalline specimens, the use of the primary beam (bright-field) or a Bragg-reflected beam (dark-field) gives rise to diffraction contrast.発音を聞く 例文帳に追加

結晶性試料では、一次ビーム(明視野)またはブラッグ反射ビーム(暗視野)の利用が、回折コントラストをもたらす。 - 科学技術論文動詞集

The suitable embodiment of the production method of a liquid crystalline polyester fiber comprises a step of dispersing a solution by electric field in electrostatic field to form a liquid crystalline polyester fiber, in which solution is obtained by dissolving a liquid crystalline polyester and a fiber-forming polymer in a solvent.例文帳に追加

好適な実施形態の液晶ポリエステル繊維の製造方法は、液晶ポリエステル及び繊維形成性ポリマーを溶媒に溶解させた溶液を、静電場中で電界によって飛散させることにより液晶ポリエステルを繊維化する繊維化工程を含む。 - 特許庁

When an arbitrary observation viewing field is taken within 1,000 nm×1,000 nm in the cross section of this Cu-Ag alloy wire, the area ratio of crystalline precipitate, in which a maximum length of a straight line that cuts the crystalline precipitate does not exceed 100 nm, is at least 40%, in the crystalline precipitate of Ag existing in the observation viewing field.例文帳に追加

このCu-Ag合金線の断面において1000nm×1000nm以内で任意の観察視野をとったとき、この観察視野中に存在するAgの晶析出物のうち、晶析出物を切断する直線の最大長さが100nm以下である晶析出物の面積率が40％以上である。 - 特許庁

The highly-doped back surface field layer (24) and the lightly-doped crystalline substrate (22) are similarly doped, and the doping level of the highly-doped back surface field layer (24) is higher than that of the lightly-doped crystalline substrate (22).例文帳に追加

高濃度ドープ背面電界層（２４）及び低濃度ドープ結晶質基板（２２）は、同種型にドープされ、高濃度ドープ背面電界層（２４）のドーピングレベルは、低濃度ドープ結晶質基板（２２）のドーピングレベルよりも高い。 - 特許庁

The field-emission-type electron source 2 is composed of a base part 3, comprising a p-type crystalline silicon layer, cone-shaped protrusions 4 comprising n-type crystalline silicon only in the top parts, and an i layer (p-crystalline silicon layer) 5 between the base part 3 and the protrusions 4.例文帳に追加

電界放射型電子源２を、ｐ型結晶シリコン層からなる基底部３と、先端部のみがｎ型結晶シリコンからなるコーン状の突起４と、基底部３と突起４との間のｉ層（ｐ^- 結晶シリコン層）５とで構成する。 - 特許庁

When the voltage is applied on the element, the liquid crystalline material 6 tends to be aligned in a direction perpendicular to the direction of the electric field because the liquid crystalline material 6 has negative dielectric anisotropy whereas a portion of the liquid crystalline material 6 can not move because of restriction by the polymer material 5.例文帳に追加

電圧を印加すると、液晶材料６は負の誘電異方性を有するために電界方向に対して垂直になろうとするが、液晶材料６の一部は高分子材料５による束縛のために動くことができない。 - 特許庁