crystallyとは 意味・読み方・使い方

By the method, the basal plane dislocation 6 is not propagated to the crystally grown semiconductor layer.例文帳に追加

本発明によると、結晶成長された半導体層に基底面内転位６が伝播しない。 - 特許庁

Hence, approximately more than half of polysilicon in the second gate conductor layer is titanized crystally.例文帳に追加

従って、第２のゲート導体層のポリシリコンの約半分超は、結晶的にチタン化される。 - 特許庁

Since the basal plane dislocation 6 is not propagated to the crystally grown semiconductor layer, a leakage current is suppressed.例文帳に追加

基底面内転位６が結晶成長された半導体層に伝播していないために、リーク電流を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a technology capable of preventing the propagation of basal plane dislocation from a semiconductor layer having the basal plane dislocation to a crystally grown semiconductor layer without performing etching treatment.例文帳に追加

エッチング処理を行わなくても、基底面内転位を有する半導体層から結晶成長された半導体層に基底面内転位が伝播することを防止することができる技術を提供する。 - 特許庁

A method includes: a specifying step of specifying the position 8 of the basal plane dislocation 6 on the surface 2a of the semiconductor layer 2; a crystal re-array step of re-arraying crystals at the position 8 specified in the specifying step; and a crystal growth step of crystally growing the semiconductor layer from the surface 2a after the crystal re-array step.例文帳に追加

本発明の方法は、半導体層２の表面２ａにおける基底面内転位６の位置８を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置８において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面２ａから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。 - 特許庁

A method for fabricating a cellular trench MOSFET includes depositing a first photoresist atop a first epitaxial (epi) layer to pattern a trench area, depositing a second photoresist atop a first gate conductor layer to pattern a mesa area, etching away part of the first gate conductor layer in the mesa area to form a second gate conductor layer with a hump, and titanizing crystally the second gate conductor layer to form a Ti-gate conductor layer.例文帳に追加

多孔質のＭＯＳＦＥＴの製造方法は、トレンチ領域をパターニングするために第１のエピタキシャル（エピ）層の上に第１のフォトレジストを堆積する段階と、メサ領域をパターニングするために第１のゲート導体層の上に第２のフォトレジストを堆積する段階と、ハンプを有する第２のゲート導体層を形成するために前記メサ領域の前記第１のゲート導体層の部分をエッチング除去する段階と、Ｔｉゲート導体層を形成するために前記第２のゲート導体層を結晶的にチタン化する段階と、を含む。 - 特許庁