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crystals dislocationとは 意味・読み方・使い方
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「crystals dislocation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
To provide a method for evaluating dislocation of crystals easily and accurately without destroying the crystals.例文帳に追加
結晶を破壊することなく簡便に精度良く転位を評価する方法を提供する。 - 特許庁
To provide gallium-arsenic single crystals which have small dislocation density, a gallium-arsenic wafer, and a method for producing the gallium-arsenic single crystals.例文帳に追加
転位密度が小さいガリウム砒素単結晶及びガリウム砒素ウェハ並びにガリウム砒素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for growing Al_xGa_1-xN crystals by which large crystals having low dislocation density can be prepared, and to provide Al_xGa_1-xN crystal substrates.例文帳に追加
大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。 - 特許庁
To produce a group III nitride crystal having a low dislocation density and a large area in a short time compared with conventional crystals.例文帳に追加
転移密度の少ない大面積のＩＩＩ族窒化物結晶を従来よりも短時間で製造する。 - 特許庁
To provide a novel manufacturing method, with which dislocation density of semiconductor crystals in a semiconductor element can be reduced, and a semiconductor element including a semiconductor single-crystal layer, having a low dislocation density layer formed by this method.例文帳に追加
半導体素子中における半導体単結晶の転位密度を低減することが可能な新規な製造方法を提供し、これによって低転位密度の領域を有する半導体単結晶層を具えた半導体素子を得る。 - 特許庁
Since, in the pit 10p, there exists a linear dislocation concentrating portion 10r extending in a direction substantially vertical to the main growing plane 11 from the bottom P, the dislocation of the Al_xGa_1-xN crystals 10 can be reduced by growing the Al_xGa_1-xN crystals 10 in a status where at least one pit 10p exists.例文帳に追加
ピット１０ｐでは、その底部Ｐから主成長平面１１に対して実質的に垂直方向に伸びる線状転位集中部１０ｒが存在するので、ピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減することができる。 - 特許庁
By the existence of the grooves 20A and 20B, even if there occurs any dislocation in crystals forming the light emitting layers 14A and 14B when the upper structural bodies 18A and 18B are joined with the lower structural body 17, the developing of dislocation can be prevented by the grooves 20A and 20B, and the deterioration of the light emitting efficiency can be also prevented.例文帳に追加
溝２０Ａ，２０Ｂを有することにより、下部構造体１７に上部構造体１８Ａ，１８Ｂを接合する際に発光層１４Ａ,１４Ｂを構成する結晶の転位が発生しても、溝２０Ａ，２０Ｂにより転位の進行が妨げられ、発光効率の低下を防止することができる。 - 特許庁
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「crystals dislocation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
To provide a method for producing silicon single crystals, where the success rate in the elimination of dislocation is improved, further, the minimum diameter in the vicinity of seed crystals is prevented from being made smaller than the diameter wherein single crystal rods can be pulled up, to attain large diameters, and the productivity of the single crystal rods with high weight is improved.例文帳に追加
無転位化の成功率を向上し、また、種結晶付近の最小直径が単結晶棒の引き上げに可能な直径よりも細くなることを防止して、大直径化して高重量の単結晶棒の生産性を改善させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
Nitrogen as an element having an action of hardening impurities and a dopant other than nitrogen are jointly doped, so that the GaAs single crystals having small dislocation density can be obtained.例文帳に追加
不純物硬化作用元素としての窒素と、窒素以外のドーパントとを共にドープすることにより転位密度が小さいＧａＡｓ単結晶が得られる。 - 特許庁
To provide a method for growing a silicon carbide single crystal of high quality which is free from the occurrence of micropipes, almost free from dislocation densities such as screw dislocations and edge dislocations, and free from mixing of different orientation crystals.例文帳に追加
マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁
A semiconductor device with an interface between lattice mismatching crystals is manufactured in an edge grown heteroepitaxy from a crystal having a small area to reduce distortion of the crystal due to a mismatching of the crystal, and a crystal reduced in defect of the dislocation in the crystal is realized.例文帳に追加
格子不整合結晶の界面を含む半導体デバイスが、小さな表面積を有する結晶からのエッジ成長ヘテロエピタキシによって製造されて、結晶不整合によるひずみを低減し、転位欠陥が低減された結晶を実現する。 - 特許庁
To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor crystal, with which the generation rate of twin crystals in a diameter increasing part of the crystal is suppressed and a single crystal having a low dislocation density can be grown in a high yield in a vertical Bridgman method or a vertical temperature gradient freezing method.例文帳に追加
垂直ブリッジマン法又は垂直温度勾配凝固法において、結晶の増径部において双晶の発生割合を少なくし、低転位密度の単結晶を歩留り良く育成することのできる化合物半導体結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁
A method includes: a specifying step of specifying the position 8 of the basal plane dislocation 6 on the surface 2a of the semiconductor layer 2; a crystal re-array step of re-arraying crystals at the position 8 specified in the specifying step; and a crystal growth step of crystally growing the semiconductor layer from the surface 2a after the crystal re-array step.例文帳に追加
本発明の方法は、半導体層２の表面２ａにおける基底面内転位６の位置８を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置８において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面２ａから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。 - 特許庁
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