deep etchingとは 意味・読み方・使い方

To provide: a plasma etching method to perform an etching such that even a deep hole is in an excellent shape; a plasma etching apparatus; and a computer-readable storage medium.例文帳に追加

深さが深いホールであっても、良好な形状にエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

The deep trench is formed by means of a RIE in the semiconductor substrate through the etching resistance layer and the selective etching possible layer.例文帳に追加

深いトレンチを、耐侵食性層および選択エッチング可能層を経て半導体基板に、ＲＩＥによって形成する。 - 特許庁

A recess as deep as 50 micrometers or deeper is formed during etching without interrupting the gas flow.例文帳に追加

凹部は、エッチング時に、上記ガスフローを中断することなく少なくとも５０マイクロメートルの深さに形成される。 - 特許庁

Etching is performed by an etching process up to the first n-GaN electrode layer 303 to create an optical waveguide 320 of a deep ridge waveguide structure.例文帳に追加

エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。 - 特許庁

To provide a simple method of forming a deep recess on a silicon substrate by anisotropic etching and a method of using a plasma etching system.例文帳に追加

シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。 - 特許庁

At this time, deep grooves 84 formed by anisotropic etching are formed to a front face of the silicon wafer 58, which are penetrated by etching from the opposite side.例文帳に追加

この際、シリコンウエハ５８の表面には異方性エッチングで形成された深溝８４が形成されており、反対側からエッチングすることによって、貫通される。 - 特許庁

Provided are: a method for etching a glaze substrate, which enables application of a deep and even etching at one time by etching while applying an ultrasonic wave to an etching liquid and removing a reaction product by the cavitation; and a method for manufacturing a partially convexed protrusion type glazed substrate by using the etching method.例文帳に追加

エッチング液に超音波をかけ、そのキャビテーションにより反応生成物を除去しながらエッチングを行うことにより、一度に深く均一なエッチングを施すことが可能なグレーズ基板のエッチング方法、およびそのエッチング方法を用いた部分凸型グレーズ基板の製造方法。 - 特許庁

A selective etching possible layer 14 is formed on the semiconductor substrate 12 by the method for forming the deep trench.例文帳に追加

深いトレンチを形成する方法は、半導体基板１２上に選択エッチング可能層１４を形成する。 - 特許庁