「deep etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The substrate is subsequently subjected to deep etching surface-treatment with 15% HF (hydrofluoric acid).例文帳に追加

次に、１５％ＨＦ（フッ酸）でディープエッチング表面処理をおこなった。 - 特許庁

SIDEWALL SMOOTHING IN HIGH ASPECT RATIO/DEEP ETCHING USING DISCRETE GAS SWITCHING METHOD例文帳に追加

任意ガススイッチング法を用いた高アスペクト比／深いエッチングの側壁平滑化 - 特許庁

To provide: a plasma etching method to perform an etching such that even a deep hole is in an excellent shape; a plasma etching apparatus; and a computer-readable storage medium.例文帳に追加

深さが深いホールであっても、良好な形状にエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

The deep trench is formed by means of a RIE in the semiconductor substrate through the etching resistance layer and the selective etching possible layer.例文帳に追加

深いトレンチを、耐侵食性層および選択エッチング可能層を経て半導体基板に、ＲＩＥによって形成する。 - 特許庁

A recess as deep as 50 micrometers or deeper is formed during etching without interrupting the gas flow.例文帳に追加

凹部は、エッチング時に、上記ガスフローを中断することなく少なくとも５０マイクロメートルの深さに形成される。 - 特許庁

Etching is performed by an etching process up to the first n-GaN electrode layer 303 to create an optical waveguide 320 of a deep ridge waveguide structure.例文帳に追加

エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。 - 特許庁

To provide a simple method of forming a deep recess on a silicon substrate by anisotropic etching and a method of using a plasma etching system.例文帳に追加

シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。 - 特許庁

At this time, deep grooves 84 formed by anisotropic etching are formed to a front face of the silicon wafer 58, which are penetrated by etching from the opposite side.例文帳に追加

この際、シリコンウエハ５８の表面には異方性エッチングで形成された深溝８４が形成されており、反対側からエッチングすることによって、貫通される。 - 特許庁

Provided are: a method for etching a glaze substrate, which enables application of a deep and even etching at one time by etching while applying an ultrasonic wave to an etching liquid and removing a reaction product by the cavitation; and a method for manufacturing a partially convexed protrusion type glazed substrate by using the etching method.例文帳に追加

エッチング液に超音波をかけ、そのキャビテーションにより反応生成物を除去しながらエッチングを行うことにより、一度に深く均一なエッチングを施すことが可能なグレーズ基板のエッチング方法、およびそのエッチング方法を用いた部分凸型グレーズ基板の製造方法。 - 特許庁

A selective etching possible layer 14 is formed on the semiconductor substrate 12 by the method for forming the deep trench.例文帳に追加

深いトレンチを形成する方法は、半導体基板１２上に選択エッチング可能層１４を形成する。 - 特許庁

When an ink nozzle of 50 μm wide is machined at 40 μm deep (number of times of nozzle path = 8), a depth of 65 μm is attained in an ink pressurization chamber of 2 mm wide and a shallow etching part of ink nozzle can be machined simultaneously with a deep etching part of ink pressurization chamber by the same machining process.例文帳に追加

幅50μm のインクノズルで深さ40μm を加工すると（ノズルパス回数＝８回）、幅２mmのインク加圧室では深さが65μm となり、インクノズル等の浅彫部とインク加圧室等の深彫部とが同じ加工工程で同時に加工できる。 - 特許庁

In a first step of etching a semiconductor substrate 3, anisotropic deep reactive ion etching is performed using a resist mask 59 having a large number of openings 88 of the same pattern at positions opposing to etching regions 87 independently partitioned to each other.例文帳に追加

半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an etching mask made of an insulating film for forming a deep trench having high aspect ratio in a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板に高アスペクト比の深いトレンチを形成するための絶縁膜からなるエッチングマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a conductive polymer layer is formed compactly to the deep sections of the etching pits of the film 9 and the inside of the separator 7.例文帳に追加

これにより、誘電体酸化被膜のエッチングピット深部およびセパレータ内部まで導電性高分子層が隙間なく形成される。 - 特許庁

To provide a dry etching method which quickly enables deep cutting into a substrate of an InP compound semiconductor, and a device.例文帳に追加

ＩｎＰ系化合物半導体の基板に対して深堀加工を迅速に行うことができるドライエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

By performing the dry etching using the mask 145, a grating 146 that is shallow at both sides of the element and deep at a center is formed.例文帳に追加

マスク１４５を用いてドライエッチングを施すと、素子両端で深さが浅く素子中央部で深い回折格子１４６が形成される。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method for forming a fine hole(or groove) reaching the deep part of a silicon layer by a high etching rate.例文帳に追加

シリコン層の深部に達する微細なホール（または溝）を高いエッチングレートで形成することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method forming a deep hole or a deep groove extending in the depth direction with a side wall substantially perpendicular to a layer to be etched in a processing object having a multilayered structure needing etching stop, and reliably leaving the underlying layer.例文帳に追加

エッチングストップを必要とする多層構造の処理対象物にてエッチングすべき層に対しては略垂直な側壁をもって深さ方向に延びる深孔や深溝を形成するという機能を有しながら、下層については確実に残存させることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Since the bottle type profile 260 is obtained on the bottom of the trench 261 through the third etching step, width and depth of the deep trench are increased.例文帳に追加

第３エッチング工程において、トレンチ２６１の底部にボトル型のプロフィル２６０が得られるので、ディープトレンチの幅及び深さが大きくなる。 - 特許庁

Further, making the trench mask layer in which the opening 7 and the opening 9 are formed as the mask, a deep trench and a shallow trench are formed by etching.例文帳に追加

そして、開口部７および開口部９の形成されたトレンチマスク層をマスクとして、エッチングにより深いトレンチと浅いトレンチを形成する。 - 特許庁

Thus, since a modification degree is raised by forming the micro crack 12a in the sacrifice layer 12, the etching medium becomes easy to enter a deep part of the sacrifice layer 12, and etching rate of the sacrifice layer 12 is further raised.例文帳に追加

このように、犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成して改質度を向上させているので、犠牲層１２の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層１２のエッチングレートがさらに向上する。 - 特許庁

To provide a device and a method for manufacturing a semiconductor device in which sudden etch-stop during etching for formation of a deep hole is prevented.例文帳に追加

深いホール形成のためのエッチング時における突然のエッチストップを防止しうる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal etched product has a metallic pattern having a side wall made by a primary etching which makes an opening on the surface layer side of a metal layer, and a side wall made by a secondary etching in a deep layer side, which uses an electrodeposited photoresist; and having the etching factor of the opening in the metallic pattern controlled to 2.6 or higher.例文帳に追加

開孔部が金属層の表層側に一次エッチングによる側壁を有し、深層側に電着フォトレジストを用いた二次エッチングによる側壁を有する金属パターンであって、該金属パターンの開孔部のエッチングファクターが２．６以上であること特徴とする金属エッチング製品。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by an etching process using laser beam irradiation, which can applied for production of a semiconductor device in wide range requiring the etching process for a complicated shape, deep and large removal region or the like, and can obtain high etching rate.例文帳に追加

レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An silicon oxide film in the periphery of a storage electrode is removed by wet-etching in a state in which a deep hole, on the inner surface of which the storage electrode is formed, is previously embedded with amorphous carbon.例文帳に追加

蓄積電極が内面に形成された深孔を予めアモルファスカーボンで埋めこんだ状態で蓄積電極周囲の酸化シリコン膜をウエットエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a technique for forming a groove having a desired shape by etching when the groove where an information storing capacitive element is formed is made deep.例文帳に追加

ＤＲＡＭにおける情報蓄積用容量素子が形成される溝部を深く形成する場合において、所望の加工形状でその溝部を形成することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum material for electrolytic capacitor electrode with which the surface area ratio is surely improved by uniformly generating deep etching pits at high density and electrostatic capacitance can be increased.例文帳に追加

深いエッチピットを高密度かつ均一に発生させて確実に拡面率を高め、静電容量の増大を図ることができる電解コンデンサ電極用アルミニウム材を提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode excellent in etching characteristics, which can surely increase the expanded surface rate and increase the electrostatic capacitance further by forming uniform etch pits in a high density and starting deep etching from these etch pits to make coupling hard within a tunnel.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

The portion 4A of the color oxide film 4 which has withdrawn to the side of a substrate deep part is formed with the foregoing etching, in which a semiconductor material such as amorphous silicon is embedded to form a semiconductor connection layer 15A.例文帳に追加

このエッチングによりカラー酸化膜４が基板深部側に後退した部分４Ａが形成され、そこに非晶質シリコンなどの半導体材料を埋め込んで半導体接続層１５Ａを形成する。 - 特許庁

The supporting base material forming the deep hole is formed by an amorphous carbon film, and a lower electrode is formed, and then the amorphous carbon film used as the supporting base material of the lower electrode is removed by dry etching.例文帳に追加

深孔を形成する支持母材を、非晶質炭素膜で形成し、下部電極を形成した後、前記下部電極の支持母材として用いた非晶質炭素膜を、ドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

As a result, the exposure of the p-type cladding layers 37, 46 of the ridges 50, 51 due to deep etching is prevented and the confinement of light into the p-type second cladding layers 37, 46 can be effected stably.例文帳に追加

その結果、深いエッチングによるリッジ部５０，５１のｐ型第２クラッド層３７，４６の露出を防止して、ｐ型第２クラッド層３７，４６への光を閉じ込めを安定して行うことができる。 - 特許庁

On the remaining part, except for the intermediate connecting part of the device isolation film forming area between the device region and the ground region, a deep trench for exposing an embedded oxide layer is formed by utilizing an etching-proof film pattern.例文帳に追加

素子領域と接地領域との間の素子分離膜形成領域中間連結部を除外した残余部にエッチング防止膜パターンを利用して埋没酸化層が露出される深いトレンチを形成する。 - 特許庁

The plasma processing method has, in the deep-mined process for the silicon substrate, a conditioning step of cleaning a surface of a target 32, in addition to an etching step and a protective film forming step.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a hole such as a deep hole can be formed in a substrate in a good shape with a high etching speed and a high selection ratio using a photoresist film formed on the substrate as a mask.例文帳に追加

基板上に形成したフォトレジスト膜をマスクとして、高いエッチング速度及び高い選択比で形状良く基板に深穴等の穴を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a deep trench machining is performed for monocrystal silicon by using this device to repeat switching of an etching primary process and a deposition primary process, a generated reflection electric power can be suppressed.例文帳に追加

この装置を用いて、エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換えて繰り返し行うことにより、単結晶シリコンに深い溝加工を行ったところ、発生する反射電力を抑制することができた。 - 特許庁

To permit deep and homogeneous copper etching by removing minute scum, residues, etc. that are hard to remove on a substrate in a chemical process and reforming the surface, and manufacture a high-grade printed circuit board with few process failures.例文帳に追加

薬品工程で基板上の除去しにくい微細なスカム，残渣などを除去し表面を改質して深く均質な銅エッチングを可能にし，高品位の印刷回路基板を工程不良を少なく製造する。 - 特許庁

To prevent roughening on the surface or side walls of land/groove tracks, protrusions at the groove ends and uneven distribution of the groove depth caused by the method of machining and manufacturing a stamper for a substrate having deep land and grooves by a conventional method of dry etching.例文帳に追加

従来のドライエッチングを用いた深溝ランドグルーブ基板用スタンパの加工製造方法で発生するランド／グルーブトラック表面や側壁部の荒れ、グルーブ端部の突起や溝深さの不均一性を改善する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, when six surfaces of a p-n column are exposed by etching back a p-type epitaxial layer 5 buried in a deep trench 4 having a high-aspect ratio, a surface of the p-type epitaxial layer 5 is etched so as to be lower in level than a surface of a n-type epitaxial layer 2 by isotorpic etching.例文帳に追加

高アスペクト比の深いトレンチ４に埋め込んだｐ型エピタキシャル層５をエッチバックすることによりｐｎカラム６表面を露出させるときに、等方性エッチングを用い、さらにｐ型エピタキシャル層５の表面をｎ型エピタキシャル層２表面よりも低くなるようにエッチングする半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

When CF_4 gas is not added to treatment gas (c), the amount of a deposition of deposit 310 at a mask opening is increased in the latter half of etching treatment when a hole is deep, and the aperture diameter Rc1 of the mask is made extremely narrow.例文帳に追加

処理ガスにＣＦ_４ガスを添加しない場合（ｃ），ホールが深くなっているエッチング処理の後半では，マスク開口部における付着物３１０の堆積量が多くなり，マスクの開口径Ｒｃ１は，極めて狭くなってしまう。 - 特許庁

The microprobe guides 70, 71 having the plurality of grooves 72 are acquired by forming each elongate deep groove having the groove depth and the groove width corresponding to the height and the width of a shaft part of the microprobes 50, 51 by using an anisotropic dry etching method to a silicon plate.例文帳に追加

複数の溝７２を有するマイクロプローブガイド７０,７１は、シリコンプレートに異方性ドライエッチング法を用い、マイクロプローブ５０，５１の軸部の高さと幅に対応した溝深さと溝幅で細長く深い溝を形成して得られる。 - 特許庁

The system includes a processor 33 having an element constituted so that the optimum motor bias route for a deep reactive ion etcher 22 is determined on a wafer, a stepper for imprinting a pattern of the gyro in the direction corresponding to the optimum motor bias route calculated to be the nearest to each gyro on the wafer, and a deep reactive ion etcher 37 for etching the gyro on the wafer.例文帳に追加

システムは、ウェハ上で深反応性イオンエッチャ２２用の最適モータバイアス経路を決定するように構成された要素を備えたプロセッサ３３、ウェハ上で各ジャイロに最も近いものと算出された最適モータバイアス経路に対応した向きに該ジャイロのパターンをインプリントするステッパ３５及びウェハにジャイロをエッチングする深反応性イオンエッチャ３７を含む。 - 特許庁

In a stage for forming groove patterns on the air bearing surface of a thin film magnetic head slider 15 by photolithography technology, photoresist patterns 2 and 3 used for working are formed in step-shapes corresponding to a shallow pattern 12 and a deep pattern 13 and the photoresist patterns are transferred onto the air bearing surface in one etching step to work the shallow and deep grooves collectively.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドスライダー１５のエアーベアリング面にフォトリソグラフィ技術により溝パターンを形成する工程に際して、加工に用いるフォトレジストのパターン２、３を、浅溝パターン１２及び深溝パターン１３に対応した階段状に形成し、フォトレジストのパターンを、一回のエッチングによりエアーベアリング面上に転写し、浅溝、及び深溝の加工を一括して行う。 - 特許庁

The machining method further comprises a step 105 for forming an oxide film etching mask pattern corresponding to a deep trench in the upper surface of the oxide film, a step 106 for forming the mask pattern on the upper surface of the silicon substrate 1, and a step 107 for making two trenches of desired profile and depth in the silicon substrate 1 by etching.例文帳に追加

該酸化膜の上面に、深い溝に対応して、酸化膜エッチングマスクパターンが作製され（工程１０５）、エッチングにより、シリコン基板１の上面には、当該酸化膜マスクパターンが形成されて（工程１０６）、エッチングにより、シリコン基板１に対しては、それぞれ所望の形状ならびに深さを有する二つの溝が形成される（工程１０７）。 - 特許庁

DRIE (Deep Reactive Ion Etching) is executed from the surface 153b side, the silicon substrate 153 is selectively removed by using the rough comb mask pattern 155 as a mask, and the silicon substrate 151 is selectively removed by using the comb electrode mask pattern 152a as a mask.例文帳に追加

面１５３ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５５をマスクにしてシリコン基板１５３を選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ａをマスクにしてシリコン基板１５１を選択的に除去する。 - 特許庁

A battery can 1 is formed into a rectangular shape using a metal plate, such as aluminum copper, iron, stainless steel or brass, and by way of plastic working such as deep drawing; and then on the outer surface, a convex-concave portion 1a is formed by chemical etching using photo-resist.例文帳に追加

アルミニウム、銅、鉄、ステンレス鋼、黄銅等からなる金属製電池缶１を、深絞り加工等の塑性加工により矩形形状に加工した後、その外側面に凹凸部１ａをフォトレジストを用いた化学エッチングにより形成した。 - 特許庁