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diffraction modelとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 回折モデル
「diffraction model」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
The approximate diffraction signal by simulation is formed based on the approximate diffraction model of the structure.例文帳に追加
シミュレーションによる近似回折信号が、構造の近似回折モデルに基づいて生成される。 - 特許庁
DECISION OF PROFILE PARAMETER CONCERNING STRUCTURE USING APPROXIMATE FINENESS DIFFRACTION MODEL IN OPTICAL DIFFRACTION例文帳に追加
光回折における近似精緻回折モデルを用いた構造に係るプロファイルパラメータの決定 - 特許庁
One or more profile parameters decision method concerning the structure is provided using the optical measurement model consisting of a profile model, an approximate diffraction model and a fineness diffraction model.例文帳に追加
プロファイルモデル、近似回折モデル、及び精緻回折モデルを有する光計測モデルを用いて構造に係る1つ以上のプロファイルパラメータを決定する方法が供される。 - 特許庁
The converted diffraction signal is compared to the first simulated diffraction signal or a second simulated diffraction signal generated using the same profile model as the first simulated diffraction signal.例文帳に追加
この変換回折信号は、第1シミュレーション回折信号、又は第1シミュレーション回折信号と同一のプロファイルモデルを用いて生成した第2シミュレーション回折信号と比較する。 - 特許庁
The first measured diffraction signal is compared to a first simulated diffraction signal generated using a profile model of the first structure.例文帳に追加
第1測定回折信号は、第1構造のプロファイルモデルを用いて生成した第1シミュレーション回折信号と比較する。 - 特許庁
Optimization parameters for the profile model are selected using one or more input diffraction signals and one or more selection references.例文帳に追加
1つ以上の入力回折信号と1つ以上の選択基準を用いてプロファイル・モデルのための最適化パラメータを選択する。 - 特許庁
A diffraction signal generated by simulation is created using the optical measurement model, a value of at least one process parameter, and a value of the dispersion.例文帳に追加
シミュレーションによる回折信号は、光学測定モデル、少なくとも1つのプロセスパラメータの値、及び分散の値を用いて生成される。 - 特許庁
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「diffraction model」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
To provide a method for deciding correctly a profile model which is used to form a diffraction signal by a simulation.例文帳に追加
シミュレーションによる回折信号を生成するのに用いられるプロファイルモデルを正確に決定する方法の提供。 - 特許庁
To provide a decision of profile parameter concerning a structure using an approximate fineness diffraction model in optical diffraction, on an optical measurement of the structure formed on a semiconductor wafer.例文帳に追加
本発明は全体として、半導体ウエハ上に形成された構造の光計測に関し、より詳細には、光回折における近似精緻回折モデルを用いた構造に係るプロファイルパラメータの決定に関する。 - 特許庁
The optical image intensity distribution formed on a resist disposed on the side of a lower layer of a diffraction pattern by performing whole image exposure from the side of an upper surface of the diffraction pattern formed by lines L and spaces S on a substrate at a predetermined pattern pitch is calculated by using a multi-mode waveguide path analytic model or fractional Fourier transform for the diffraction pattern.例文帳に追加
ラインLとスペースSによって所定のパターンピッチで基板上に形成された回折パターンの上面側から全面露光を行なうことによって回折パターンの下層側に配置されたレジストに形成される光学像強度分布を、回折パターンに対してマルチモード導波路解析モデル又はフラクショナルフーリエ変換を用いることにより算出する。 - 特許庁
A situation that the image of two luminescent points formed on the model 20 is blurred by the influence of the aberration or the diffraction of the lens 40 as the aperture diameter of the device 30 is changed, and it is recognized as only one point or clearly recognized as two points is displayed on the device 94.例文帳に追加
絞り装置30の開口径が変化するのにつれて、観察モデル20に形成される二つの輝点の像が対物レンズ40の収差や回折の影響によりぼけてしまい、一つの点としてしか認識できなかったり、あるいは二つの点として明瞭に認識できる様子が表示装置94に表示される。 - 特許庁
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