dimensional electron systemとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of removing the image aberration of the axis of an electron optical system, in which the image aberration of a first, second, third, and n-th dimensional order axis are removed, and a method of removing the image aberration of the electron optical system provided with a hexapole field.例文帳に追加

電子光学系の軸上の像の収差を除去する方法であって、１次、２次、３次およびｎ次の軸上の像収差を除去する、および六極子フィールドを備えた電子光学系の像収差の除去をすることを課題とする。 - 特許庁

In this case, Δ resize is a dimensional correction quantity, DB is distribution of a backscattered electron quantity and B is distribution of the beam blur which occurs in a transfer optical system.例文帳に追加

ここで、Δｒｅｓｉｚｅは寸法補正量であり、Ｄ_Bは後方散乱電子量の分布であり、Ｂは転写光学系で生じるビームボケの分布である。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic double quantum well tunnel magnetoresistance device which obtains an infinite tunnel magnetoresistance ratio by a desired bias voltage, utilizing a two-dimensional electron (hole) system.例文帳に追加

２次元電子（正孔）系を利用して無限大のトンネル磁気抵抗比を所望のバイアス電圧で得る強磁性２重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイスを提供する。 - 特許庁

During work of removing a damaged layer which arises from an ion beam, transmitted electrons are detected with a two-dimensional detector, the transmitted electrons arising by irradiating a sample with an electron beam formed by an electron beam optical system, and the timing of the completion of the work of removing the damaged layer is determined on the basis of the blur amount of a diffraction pattern obtained with the two-dimensional detector.例文帳に追加

イオンビームにより発生したダメージ層の除去加工中に、電子ビーム光学システムで形成された電子ビームを試料に照射することにより発生する透過電子を二次元検出器で検出し、当該二次元検出器で得られたディフラクションパターンのぼけ量に基づいてダメージ層の除去加工を終了するタイミングを判定する。 - 特許庁

To provide a focusing ion beam working method and a device wherein a three-dimensional shape at beam working can be measured in an in-line system with a high precision, and nano three-dimensional casting mold with the high precision can be carried out without slanting or moving a worked object mechanically, and even if one secondary electron detector is used.例文帳に追加

加工物を機械的に傾斜や移動させることなく、しかも１個の２次電子検出器を用いてでも、ビーム加工中の３次元形状をインラインで高精度に測定することができ、高精度なナノ３次元造型を実施できる集束イオンビーム加工方法と装置を提供する。 - 特許庁

To contribute to the improvement of semiconductor product quality by obtaining a pattern of high dimensional uniformity for an arbitrary pattern, without being affected by an aberration distribution which originates from an electron beam exposure system.例文帳に追加

電子ビーム露光装置に起因する収差分布の影響を受けることなく、任意のパターンに対して寸法均一性の高いパターンを得ることを可能とし、半導体製品の品質向上に寄与することを目的とする。 - 特許庁

An electromagnetic wave, where the quantum dot for forming a two-dimensional electron system has been efficiently concentrated, is absorbed, a generated excitation state is retained at least for 10 seconds, and at least one million electrons can be carried for the absorption of single photons.例文帳に追加

２次元電子系を形成する量子ドットが能率良く集中した電磁波を吸収し、生じた励起状態を１０ｎ秒以上保持し、単一光子の吸収に対して１００万個以上の電子を移送可能にする。 - 特許庁

This mass spectroscope is provided with: the ion source part for generating ions of a sample gas; a mass spectrometry part 412 for executing mass separation of the generated ions; a multipole electrode for generating two-dimensional high frequencies; a magnetic field generation means; a sample gas introduction system 409; a reaction gas introduction system 410; and an electron source 403.例文帳に追加

試料ガスのイオンを生成するイオン源部、生成されたイオンの質量分離を行なう質量分析部４１２、２次元高周波発生用多重極電極、磁場発生手段、試料ガス導入系４０９、反応ガス導入系４１０、電子源４０３を具備する。 - 特許庁