disordered structureとは 意味・読み方・使い方

Ga holes are generated by using the SiO2 film in a crystal under the film, and diffused into a quantum well active layer to make it disordered, by the process a window-structure region 112 is formed.例文帳に追加

このＳｉＯ_2膜により直下の結晶にＧａ空孔を生じさせ、これを量子井戸活性層１０３に拡散させて無秩序化させることにより窓構造領域１１２を形成する。 - 特許庁

The method and the machine readable storage medium identify the most information-rich (i.e., optimum) representation of a data set in order to reveal the underlying order, or structure, of what appears to be a disordered system.例文帳に追加

該方法と機械可読記憶媒体とは、混乱したシステムであるように見えるものの下にある秩序、又は構造を顕わすためにデータ集合の最も情報豊富な（すなわち、最適な）表現を同定する。 - 特許庁

On the identical semiconductor substrate 1, a first semiconductor laser structure body 8 having a first wavelength band and a second semiconductor laser structure body 15 having a second wavelength band are formed monolithically, and each laser output end face of the first and second semiconductor laser structure bodies 8 and 15 is changed into a disordered state by a common Zn diffusion process for forming window structure, thus obtaining a high output.例文帳に追加

同一の半導体基板１上に、第１の波長帯を有する第１の半導体レーザ構造体８と、第２の波長帯を有する第２の半導体レーザ構造体１５とがモノリシックに形成され、第１、第２の半導体レーザ構造体８、１５のそれぞれのレーザ出力端面が、共通のＺｎ拡散工程によって無秩序化して窓構造が形成されていることで、高出力を得ることが可能である。 - 特許庁

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.例文帳に追加

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁

In this semiconductor laser diode with SAS type structure that has a current block layer where a stripe-shaped opening from one resonance end to the other is formed by etching to inject current to an active layer in a specific width, an area near an emission part being located directly below an opening is disordered without disordering the current lock layer.例文帳に追加

活性層に対して所定の幅に電流を注入するように、一方の共振端面から他方の共振端面に至るストライプ状の開口部がエッチングにより形成されてなる電流ブロック層を備えたＳＡＳ型構造の半導体レーザダイオードであって、各共振端面近傍において、電流ブロック層を無秩序化することなく、開口部直下に位置する出射部近傍を無秩序化した。 - 特許庁