dopant formとは 意味・読み方・使い方

To form a dopant layer having an excellent periodicity and a high activity by suppressing the development of polytypism and crystal defects when forming the dopant layer on an SiC c-plane substrate.例文帳に追加

ＳｉＣのｃ面基板に不純物層を形成する場合において、ポリタイプや結晶欠陥が形成されることを抑制し、周期性が優れた高い活性率の不純物層を形成する。 - 特許庁

Thermal barrier coating 14 contains a sodium containing compound in the form of a dopant, second phase, or, as discrete layers in the coating.例文帳に追加

サーマルバリアコーティング１４にナトリウム含有化合物を、ドーパントの形、第２相の形、または不連続層として含有させる。 - 特許庁

A process to form an electron injection layer has a process to vaporize a dopant material 5 which is the raw material of a dopant in a housing container 3, a process to pass the vaporized dopant material through a medium 1 heated in between the housing container 3 and a substrate, and a process to form an organic compound as the electron injection layer.例文帳に追加

電子注入層を形成する工程は、ドーパントの原料であるドーパント材料５を収容容器３内でガス状態にする工程と、ガス状態のドーパント材料を収容容器３から基板までの間で加熱された媒体１を通過させる工程と、有機化合物を電子注入層として形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device comprises the steps of implanting a dopant to a semiconductor substrate to form a source-drain diffusing layer, and diffusing the dopant within the source-drain diffusing layer with the heat treatment under the acidic gas atmosphere.例文帳に追加

半導体基板にドーパントを注入し、ソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、酸化性ガス雰囲気中での熱処理によって、前記ソース・ドレイン拡散層内のドーパントを拡散させる工程とを順次に有する。 - 特許庁

The p-type dopant is ion-implanted into a silicon carbide substrate through an opening in a mask to form the deep p-type implantation region.例文帳に追加

炭化シリコン基板内にマスクの開口部を通してｐ型ドーパントをイオン注入して深いｐ型注入領域を形成する。 - 特許庁

To form a doped layer which has a profile width in the order of atomic layer thickness by suppressing the surface segregation of a dopant.例文帳に追加

本発明は、ドーパントの表面偏析を抑制して、原子層オーダでのプロファイル幅を持つドーピング層を形成することを目的としている。 - 特許庁

To form a functional semiconductor layer which performs a stable functionality by controlling so as to suppress the diffusion amount of a p-type dopant to the functional semiconductor layer having predetermined functionalities, such as an activity layer, through a first dopant layer as a buffer layer from a p-type semiconductor layer doped with the p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントをドープしたｐ型半導体層から、バッファ層としての第１ドーパント層を介して活性層などの所定の機能を有する機能半導体層へのｐ型ドーパントの拡散量が抑制できるように制御し、安定した機能を実現する機能半導体層を形成すること。 - 特許庁

To form a deep diffusion layer such as a field stop layer using phosphorous and boron used in a normal silicon process as a dopant, and to form a trench gate structure having a satisfactory characteristic.例文帳に追加

通常のシリコンプロセスで用いられるリンやボロンをドーパントとして用いてフィールドストップ層などの深い拡散層を形成するとともに、良好な特性を有するトレンチゲート構造を形成すること。 - 特許庁