dopant densityとは 意味・読み方・使い方

A low resistance silicon substrate, a sample 11 to be measured, is pasted with an FZ silicon substrate 12 whose dopant density is 0.01 ppm or below and whose interstitial oxygen density is 1016/cm3 or below.例文帳に追加

被測定の低抵抗シリコン基板の試料１１をドーパント濃度が０．０１ｐｐｍ以下で格子間型酸素濃度が１０^16／ｃｍ^3以下のＦＺシリコン基板１２に貼り合わせる。 - 特許庁

In the driving thin film TR 21, a low density dopant area 27 is formed only on the drain area 25 side (single side LDD structure).例文帳に追加

ドライビング薄膜トランジスタ２１では、ドレイン領域２５側にのみ低濃度ドーパント領域２７が形成されている（片側ＬＤＤ構造）。 - 特許庁

To easily diffuse phosphorus in a silicon film and easily control the diffuse density of the phosphorus by changing a timing of doping a dopant gas.例文帳に追加

ドーパントガスを流すタイミングを変えることによって、シリコン膜中へのリン拡散が容易で、リン拡散濃度を容易に制御できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film which materializes a high crystallinity and a surface flatness, and dopes a dopant at a high density.例文帳に追加

高い結晶性及び表面平坦性を実現すると共に、高濃度でドーパントをドーピングすることができる薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁

Nitrogen as an element having an action of hardening impurities and a dopant other than nitrogen are jointly doped, so that the GaAs single crystals having small dislocation density can be obtained.例文帳に追加

不純物硬化作用元素としての窒素と、窒素以外のドーパントとを共にドープすることにより転位密度が小さいＧａＡｓ単結晶が得られる。 - 特許庁

Kind and density of the ion to be implanted are selected such that it compensates for a dopant in a ground layer material to cause the ground layer material to be insulative in an area where the implanted ion of substantial density develops.例文帳に追加

注入されるイオンは、グランド層物質内のドーパントを補償して、十分な濃度の注入イオンが生じる領域内において、グランド層物質を絶縁性にするように、種類と濃度が選択される。 - 特許庁

When the semiconductor depletion layer capacitor is used, the dopant density in the vicinity of a junction of a P-N junction or the like is made higher than that of a region isolated from the junction.例文帳に追加

半導体空乏層容量を用いる場合には、ｐｎ接合等の接合近傍のドーパント密度を、接合から離れた領域のドーパント密度よりも高くしておく。 - 特許庁

The n-type thermoelectric material contains at least two kinds out of Bi, Sb, Te and Se as main components, and contains bromine (Br) and iodine (I) as a carrier density adjusting dopant.例文帳に追加

Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＳｅのうち少なくとも２種を主成分とし、キャリア濃度調整用ドーパントとして臭素（Ｂｒ）及びヨウ素（Ｉ）を含有している。 - 特許庁