dopant distributionとは 意味・読み方・使い方

To provide a method, where in a semiconductor substrate, there is formed a ultra-shallow junction whose dopant concentration distribution is narrowed through control of its junction depth, by restricting the channelling of dopants in the ion implantation process to a minimum and by controlling the diffusion of dopant in the following heat annealing treatment process.例文帳に追加

イオン注入工程でのドーパントのチャンネリングを最小限に抑制し、また引き続く熱アニール処理工程でのドーパントの拡散を抑制することにより接合深さを制御してドーパント濃度分布を狭小化した超浅型接合を半導体基板内に形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved process gas distribution method and a device for surely and uniformly distributing dopant seeds through the surface of a substrate, so as to deposit a dielectric layer loaded with impurities of high stability on the substrate, by a method where dopant seeds are injected at a position nearer to the surface of the substrate than usual.例文帳に追加

これまでよりも基板表面に近い位置でドーパント種を注入することにより、確実に基板表面にわたってドーパント種をほぼ均一に分配し、安定性のある不純物が添加された誘電体層を堆積させる改良形プロセスガス分配方法および装置を提供する。 - 特許庁

At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域９，５９の形成のためのイオン注入時にシリコン層３，５３中へもドーパントが注入されて、窒素分布層３Ｎ，５３Ｎよりも深い領域にホウ素分布層３Ｂ又はリン分布層５３Ｐが形成される。 - 特許庁

To provide an ion source device capable of generating an ion beam of high dopant ratio having even current distribution by reducing hydrogen ion (H_x^+) in the ion beam.例文帳に追加

イオンビーム中の水素イオン（Ｈ_Ｘ^＋）を低減し、均一な電流分布を持つドーパント比率の高いイオンビームを生成できるイオン源装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the fine grain in the polysilicon film causes the resistor of the present invention to have a reduced dopant concentration gradient, which results in a uniform resistance distribution.例文帳に追加

したがって、本発明の抵抗はポリシリコン膜内の微粒子グレインによりドーパントの濃度勾配が小さくなりながら均一な分布を持つようになる。 - 特許庁

Resistivity distribution is regulated in a transition region being formed in an epitaxial layer by regulating the time after starting dopant gas supply before starting silicon material gas supply.例文帳に追加

ドーパントガスの供給開始からシリコン原料ガスの供給開始に至るまでの時間を調整することにより、エピタキシャル層内に形成される遷移領域の抵抗率分布を調整する。 - 特許庁

To effectively prevent characteristic deterioration of an element due to diffusion of a dopant by forming a carbon planar doped layer having a sharp impurity distribution in the vertical direction.例文帳に追加

縦方向における不純物分布が急峻な、炭素のプレーナドープ層を形成して、ドーパントの拡散による素子特性の低下を効果的に防止する。 - 特許庁

A semiconductor structure includes a group III nitride semiconductor layer, the protective layer on the semiconductor layer, a distribution of injected dopant within the semiconductor layer, and an ohmic contact existing extended to the semiconductor layer through the protective layer.例文帳に追加

半導体構造が、第ＩＩＩ族窒化物半導体層と、半導体層の上の保護層と、半導体層内部の注入ドーパントの分布と、保護層を通して半導体層に延在するオーミックコンタクトとを含む。 - 特許庁