dopant distributionとは 意味・読み方・使い方

The dopant distribution in the semiconductor body of the device varies from a low value near the surface of the body towards a higher value inside the body of the device.例文帳に追加

デバイスの半導体ボディでのドーパント分布は、ボディの表面の近くの小さな値からデバイスのボディ内側の大きな値の方に変動する。 - 特許庁

To provide an ion source device capable of generating an ion beam of high dopant ratio having even current distribution by reducing hydrogen ion (H_x^+) in the ion beam.例文帳に追加

イオンビーム中の水素イオン（Ｈ_Ｘ^＋）を低減し、均一な電流分布を持つドーパント比率の高いイオンビームを生成できるイオン源装置を提供する。 - 特許庁

To effectively prevent characteristic deterioration of an element due to diffusion of a dopant by forming a carbon planar doped layer having a sharp impurity distribution in the vertical direction.例文帳に追加

縦方向における不純物分布が急峻な、炭素のプレーナドープ層を形成して、ドーパントの拡散による素子特性の低下を効果的に防止する。 - 特許庁

Thus, the fine grain in the polysilicon film causes the resistor of the present invention to have a reduced dopant concentration gradient, which results in a uniform resistance distribution.例文帳に追加

したがって、本発明の抵抗はポリシリコン膜内の微粒子グレインによりドーパントの濃度勾配が小さくなりながら均一な分布を持つようになる。 - 特許庁

To provide an improved process gas distribution method and a device for surely and uniformly distributing dopant seeds through the surface of a substrate, so as to deposit a dielectric layer loaded with impurities of high stability on the substrate, by a method where dopant seeds are injected at a position nearer to the surface of the substrate than usual.例文帳に追加

これまでよりも基板表面に近い位置でドーパント種を注入することにより、確実に基板表面にわたってドーパント種をほぼ均一に分配し、安定性のある不純物が添加された誘電体層を堆積させる改良形プロセスガス分配方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that almost holds a dopant distribution in regions other than a twilight zone of a region where the ion implantation of a dopant should be masked while solving a possible problem generated because a resist mask end is of a slanted shape.例文帳に追加

本発明は、レジストマスク端が斜め形状であるために生じる問題を解決するとともに、不純物のイオン注入をマスクすべき領域の境界領域以外における不純物分布をほぼ保持する半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method, where in a semiconductor substrate, there is formed a ultra-shallow junction whose dopant concentration distribution is narrowed through control of its junction depth, by restricting the channelling of dopants in the ion implantation process to a minimum and by controlling the diffusion of dopant in the following heat annealing treatment process.例文帳に追加

イオン注入工程でのドーパントのチャンネリングを最小限に抑制し、また引き続く熱アニール処理工程でのドーパントの拡散を抑制することにより接合深さを制御してドーパント濃度分布を狭小化した超浅型接合を半導体基板内に形成する方法を提供する。 - 特許庁

Si2H6 and H2Se as N-type dopant are different from each other in doping efficiency at growth temperatures, so that Si2H6 and H2Se indicate the opposed doping distributions to a temperature distribution through the surface of the wafer 1.例文帳に追加

ｎ型ドーパントのＳｉ_2Ｈ_6とＨ_2Ｓｅは、成長温度に対してドーピング効率が互いに異なるため、ウェハ面内の温度分布に対して相反するドーピング分布を示す。 - 特許庁