dopant atomとは 意味・読み方・使い方

The crystalline silicon thin film 122 is formed by applying a pulse laser beam to an amorphous silicon thin film containing a dopant atom.例文帳に追加

この結晶質シリコン系薄膜（１２２）は、ドーパント原子含有非晶質シリコン系薄膜にパルスレーザーを照射することによって形成される。 - 特許庁

To provide a low resistance p-type III nitride semiconductor, and its producing method, in which a mother crystal can be doped efficiently and heavily with three atom complex dopant.例文帳に追加

効率よく高濃度に３原子複合体ドーパントを母体結晶中にドーピングできる低抵抗のｐ型III族窒化物半導体およびその作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device in which the interdiffusion of a p-type dopant and an iron atom is reduced and to provide a method of manufacturing this optical semiconductor device.例文帳に追加

ｐ型ドーパントおよび鉄原子の相互拡散が低減される光半導体デバイス、およびこの光半導体デバイスを製造する方法を提供することとしている。 - 特許庁

The present invention relates to the method of manufacturing the p-type III-nitride semiconductor which is characterized in that a nitrogen source containing a hydrogen atom is used to grow a III-nitride semiconductor containing a p-type dopant, inert gases are then used as carrier gases and the circulation of the nitrogen source containing the hydrogen atom is stopped, thereby decreasing the temperature while supplying a nitrogen atom from a nitrogen source not containing the hydrogen atom.例文帳に追加

水素原子を含有する窒素源を使用し、ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後、キャリアガスに不活性ガスを用い、かつ水素原子を含有する窒素源の流通を停止し、水素原子を含有しない窒素源により窒素原子を供給しつつ降温することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。 - 特許庁

The strength of the localized oscillating peak of the dopant element observed by the Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge is determined by standardizing based on the optical phonon peak strength of Ge observed at 290-301 cm^-1, and the concentration of a dopant element doped in Ge is measured from the comparison data (calibration curve) between the concentration of the dopant element and the localized oscillating peak strength that are previously prepared.例文帳に追加

また、ドーパント元素ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測される前記ドーパント元素の局在振動ピークの強度を、２９０〜３０１ｃｍ^−１に観測されるＧｅの光学フォノンピーク強度を基準として規格化することによって求め、予め作成されている前記ドーパント元素の濃度と局在振動ピーク強度の比較データ（検量線）から、Ｇｅ中にドープされたドーパント元素の濃度を測定する。 - 特許庁

The compound semiconductor substrate 10 is equipped with substrate 12 consisting of a p type compound semiconductor, and substance 14 combining with surface 12a of the substrate 12 while containing a p-type dopant atom.例文帳に追加

化合物半導体基板１０は、ｐ型の化合物半導体からなる基板１２と、基板１２の表面１２ａに結合しておりｐ型の不純物原子を含む物質１４とを備える。 - 特許庁

Dehydrogenation annealing treatment is conducted on the base layer, where carbon is introduced as a dopant at an annealing temperature of 550 to 700°C, and the concentration of a hydrogen atom is set at 5×1018 cm-3 or lower.例文帳に追加

炭素がドーパントとして導入されているベース層に対して脱水素アニール処理をアニール温度５５０〜７００°Ｃで行い、これによりベース層における水素原子の濃度を５×１０^18ｃｍ^-3以下にした。 - 特許庁

The light-emitting composition includes at least a light-emitting dopant and a host material, and at least part of the hydrogen atoms of CH bonds present in the host material is substituted with a deuterium atom.例文帳に追加

発光性ドーパントとホスト材料とを少なくとも含む発光性組成物であって、前記ホスト材料中に存在するＣＨ結合の水素原子の少なくとも一部が、重水素原子に置換されている発光性組成物である。 - 特許庁