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意味・対訳電子線後方散乱回折パターン電界放出型電子銃(20キロボルト)で得られた単結晶シリコンの電子後方散乱回折パターン電子線後方散乱回折法（でんしせんこうほうさんらんかいせつほう、Electron backscatter diffraction、略称：EBSD）とは、測定対象の物質に電子線を照射して試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子から生じた後方散乱回折を解析して結晶性材料の構造などを調べる手法。

Weblio専門用語対訳辞書での「electron back scatter diffraction」の意味

electron backscatter diffraction

後方散乱電子回折；電子線後方散乱

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該当件数 : 1件

例文

In the electrolytic copper foil, the ratio (B/A) of the twin density B after heated at 380°C for 30 min to the normal twin density A measured by an EBSD (Electron Back Scatter Diffraction Patterns) method is ≥0.7.例文帳に追加

また、この電解銅箔は、ＥＢＳＤ法で測定した常態双晶密度（Ａ）と、３８０℃×３０ｍｉｎ加熱後の双晶密度（Ｂ）との双晶密度比（Ｂ／Ａ）の値が０．７以上であることが好ましい。 - 特許庁

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Weblio英和対訳辞書での「electron back scatter diffraction」の意味

Electron backscatter diffraction

電子線後方散乱回折法

電子線後方散乱回折パターン電界放出型電子銃(20 キロボルト)で得られた単結晶シリコンの電子後方散乱回折パターン電子線後方散乱回折法（でんしせんこうほうさんらんかいせつほう、Electron backscatter diffraction、略称：EBSD）とは、測定対象の物質に電子線を照射して試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子から生じた後方散乱回折を解析して結晶性材料の構造などを調べる手法。

electron backscatter diffraction

後方散乱電子回折

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ウィキペディア英語版での「electron back scatter diffraction」の意味

Electron backscatter diffraction

出典:『Wikipedia』 (2011/05/19 18:25 UTC 版)

英語による解説

ウィキペディア英語版からの引用

引用

Electron backscatter diffraction (EBSD), also known as backscatter Kikuchi diffraction (BKD) is a microstructural-crystallographic technique used to examine the crystallographic orientation of many materials, which can be used to elucidate texture or preferred orientation of any crystalline or polycrystalline material. EBSD can be used to index and identify the seven crystal systems, and as such it is applied to crystal orientation mapping, defect studies, phase identification, grain boundary and morphology studies, regional heterogeneity investigations, material discrimination, microstrain mapping, and using complementary techniques, physico-chemical identification. Traditionally these types of studies have been carried out using X-ray diffraction (XRD), neutron diffraction and/or electron diffraction in a TEM.

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