electron cyclotron resonance plasmaとは 意味・読み方・使い方

Harmonic ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma is generated by introducing plasma source gas and microwave and applying the mirror magnetic field to perform the sputtering.例文帳に追加

プラズマソースガスを導入するとともに、マイクロ波導入とミラー磁場印加により、ハーモニックＥＣＲプラズマを発生させてスパッタリングを行なう。 - 特許庁

By composing an ion source by a plasma source due to electron cyclotron resonance and an extraction electrode, a low-acceleration voltage ion beam that is uniform and has improved parallelism over a wise area can be drawn.例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴によるプラズマ源と引き出し電極でイオン源を構成することで、広い面積にわたり均一で平行性のよい低加速電圧のイオンビームを引き出すことができる。 - 特許庁

The oxidation layer 202 can be formed by, for example, irradiating the surface of the SOI layer 201 with an electron cyclotron resonance (ECR) plasma of oxygen gas for about 4 minutes.例文帳に追加

例えば、酸素ガスの電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを、ＳＯＩ層２０１の表面に４分程度照射することで、酸化層２０２を形成することができる。 - 特許庁

Furthermore, when manufacturing an X-ray mask, at least the Ta of the absorber pattern 11 is formed by a sputtering method, by a plasma of electron cyclotron resonance.例文帳に追加

さらに、Ｘ線マスクを作製する場合に、少なくとも吸収体パタンのＴａを電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを用いたスパッタ法により形成する工程を含むＸ線マスクの製造方法とする。 - 特許庁

The formation of the BiFeO_3 crystal film 102 is performed by an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma sputtering process using a target of a sintered compact mainly composed of the oxide of bismuth and iron.例文帳に追加

ここで、ＢｉＦｅＯ_3結晶膜１０２の形成は、主として、ビスマスと鉄との酸化物からなる焼結体のターゲットを用いたＥＣＲプラズマスパッタ法により行う。 - 特許庁

In this ECR(Electron Cyclotron Resonance) plasma device, a substrate voltage application device 23 and a target voltage application device 24 respectively apply bias voltages to a substrate 20 and targets 22 fixed inside a vacuum chamber 11.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に基板２０とターゲット２２を固定し、これらに基板用電圧印加装置２３とターゲット用電圧印加装置２４とによってそれぞれバイアス電圧を印加する。 - 特許庁

The material gas is preferably supplied in the form of high density plasma excited by electron beam excited plasma method, high frequency parallel plate plasma method, high frequency plasma method employing rudder-like discharge electrodes, electron cyclotron resonance plasma method, induction coupling plasma method, or helicon wave plasma method.例文帳に追加

原料ガスはプラズマ化して供給することが望ましく、プラズマの励起法としては電子ビーム励起プラズマ法、高周波平行平板プラズマ法、ラダー状の放電電極を用いた高周波プラズマ法、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法、誘導結合型プラズマ法あるいはヘリコン波プラズマ法等の高密度プラズマを用いることを特徴とする。 - 特許庁

In this plasma etching method, a plasma processing apparatus 10 which is equipped with a pair of electrodes 22, 24 positioned in a vacuum vessel so as to face each other at a prescribed interval, irradiates the vacuum vessel 12 with a microwave, and generates plasma in the vacuum vessel 12 through electron cyclotron resonance by using the vacuum vessel 12 as a resonator is installed.例文帳に追加

真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極２２，２４を備え、真空容器１２にマイクロ波を放射し、真空容器１２を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置１０を設ける。 - 特許庁