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etch stopとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 エッチストップ; エッチ停止
「etch stop」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 75件
SILICON-GERMANIUM ETCH STOP LAYER SYSTEM例文帳に追加
シリコンゲルマニウムエッチング停止層システム - 特許庁
Material of the first etch-stop material layer and that of the side wall insulating film are different by etch selectivity.例文帳に追加
第1エッチング阻止物質層と側壁絶縁膜とはエッチング選択比の異なる物質を用いる。 - 特許庁
A first etch-stop material layer 224a and a second etch-stop material layer 224b are selectively provided over them.例文帳に追加
これらの上に第1エッチング阻止物質層224a、第2エッチング阻止物質層224bを選択的に設ける。 - 特許庁
An HBT further includes a first segment 126 of an etch stop layer, wherein the first segment of the etch stop layer contains InGaP.例文帳に追加
HBTはエッチストップ層の第1の部分126をさらに含み、エッチストップ層の第1の部分はInGaPを含む。 - 特許庁
Here, during etching the etch stop layer, the dielectric layer is covered.例文帳に追加
ここで、誘電体層はエッチング止め層のエッチングの間覆われている。 - 特許庁
The etch stop layer facing to the void area 22 is removed by etching.例文帳に追加
ボイド領域22に面するエッチストップ層をエッチングで除去する。 - 特許庁
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「etch stop」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 75件
To provide a method of selective etching improved by using an etch stop layer.例文帳に追加
エッチング停止層を使用する選択的エッチング法 - 特許庁
The etch stop layer increases linearity of the FET and does not degrade the flow of electrons in the HBT.例文帳に追加
エッチストップ層はFETの線形性を増大させ、HBTの電子の流れを低下させない。 - 特許庁
Also, the method for forming a via cavity in a double corrugated interconnecting structure includes forming an etch stop layer on the present interconnecting structure, forming a dielectric layer on the etch stop layer, etching a portion of the dielectric layer to form a via cavity therein, exposing a portion of the etch stop layer, and etching the etch stop layer to extend the via cavity.例文帳に追加
また、バイア空洞を二重波状形状相互接続構造に形成する方法は、現存の相互接続構造上にエッチング止め層を形成し、エッチング止め層上に誘電体層を形成し、誘電体層の一部分をエッチングしてバイア空洞を誘電体層に形成しエッチング止め層の一部分を露出し、エッチング止め層をエッチングしてバイア空洞を拡張することを含む。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF METAL COATED PART AND CONTACT STRUCTURE IN INTEGRATED CIRCUIT HAVING ETCH STOP LAYER例文帳に追加
エッチストップ層を具備した集積回路における金属被覆部およびコンタクト構造の製造方法 - 特許庁
The etch stop layer 34 of a semiconductor device is a high-resistance film having a resistance greater than 10 ohm-cm.例文帳に追加
エッチング停止層は、10Ω−cmより大きい抵抗を有する高抵抗膜である。 - 特許庁
A channel layer 3 and an etch stop layer 8 at least are sequentially formed on a semiconductor substrate 1, and InGaP having an In composition ratio of 0.66-0.9 is used as the etch stop layer 8 of the field effect compound semiconductor device where a gate electrode 10, which is in Schottky contact with the etch stop layer 8, is formed on the etch stop layer 8.例文帳に追加
半導体基板1上に、少なくとも、チャネル層3及びエッチングストッパ層8が順次設けるとともに、、前記エッチングストッパ層8上に該エッチングストッパ層8とショットキー接触するゲート電極10を設けた電界効果型化合物半導体装置の前記エッチングストッパ層8としてIn組成比が0.66〜0.9のInGaPを用いる。 - 特許庁
There is a strategic jump in germanium and concentration from the buffer side of the interface to the etch-stop material, such that the etch-stop layer is considerably more resistant to the etchant.例文帳に追加
界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 - 特許庁
In a pre-metal process, an ozone TEOS film is once etched back so that an etch stop film on a gate structure is exposed after the ozone TEOS film is formed on an etch stop film.例文帳に追加
しかし、コンタクト・ホール形成プロセスにおいて、プリ・メタル層間絶縁膜中のクラックがコンタクト・ホール内に露出し、そこにバリア・メタルが入り込み、ショート不良の原因となることが明らかとなった。 - 特許庁
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