「etch stop」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Material of the first etch-stop material layer and that of the side wall insulating film are different by etch selectivity.例文帳に追加

第１エッチング阻止物質層と側壁絶縁膜とはエッチング選択比の異なる物質を用いる。 - 特許庁

The etch stop layer facing to the void area 22 is removed by etching.例文帳に追加

ボイド領域２２に面するエッチストップ層をエッチングで除去する。 - 特許庁

Here, during etching the etch stop layer, the dielectric layer is covered.例文帳に追加

ここで、誘電体層はエッチング止め層のエッチングの間覆われている。 - 特許庁

A channel layer 3 and an etch stop layer 8 at least are sequentially formed on a semiconductor substrate 1, and InGaP having an In composition ratio of 0.66-0.9 is used as the etch stop layer 8 of the field effect compound semiconductor device where a gate electrode 10, which is in Schottky contact with the etch stop layer 8, is formed on the etch stop layer 8.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくとも、チャネル層３及びエッチングストッパ層８が順次設けるとともに、、前記エッチングストッパ層８上に該エッチングストッパ層８とショットキー接触するゲート電極１０を設けた電界効果型化合物半導体装置の前記エッチングストッパ層８としてＩｎ組成比が０．６６〜０．９のＩｎＧａＰを用いる。 - 特許庁

This is applicable to a BCETFT (back channel etch thin film transistor) device and an ESTFT (etch stop thin film transistor) device as well.例文帳に追加

これは、ＢＣＥＴＦＴ（バックチャンネルエッチ型薄膜トランジスタ）デバイスにもＥＳＴＦＴ（エッチストップ型薄膜トランジスタ）デバイスにも応用可能である。 - 特許庁

There is a strategic jump in germanium and concentration from the buffer side of the interface to the etch-stop material, such that the etch-stop layer is considerably more resistant to the etchant.例文帳に追加

界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 - 特許庁

Also, the method for forming a via cavity in a double corrugated interconnecting structure includes forming an etch stop layer on the present interconnecting structure, forming a dielectric layer on the etch stop layer, etching a portion of the dielectric layer to form a via cavity therein, exposing a portion of the etch stop layer, and etching the etch stop layer to extend the via cavity.例文帳に追加

また、バイア空洞を二重波状形状相互接続構造に形成する方法は、現存の相互接続構造上にエッチング止め層を形成し、エッチング止め層上に誘電体層を形成し、誘電体層の一部分をエッチングしてバイア空洞を誘電体層に形成しエッチング止め層の一部分を露出し、エッチング止め層をエッチングしてバイア空洞を拡張することを含む。 - 特許庁

An etch stop layer 16 and silicon wafers 10, 12 forming an epitaxial layer 18 on it are provided.例文帳に追加

エッチストップ層１６と、その上にエピタキシャル層１８を作成したシリコンウエハ１０，１２を準備する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF METAL COATED PART AND CONTACT STRUCTURE IN INTEGRATED CIRCUIT HAVING ETCH STOP LAYER例文帳に追加

エッチストップ層を具備した集積回路における金属被覆部およびコンタクト構造の製造方法 - 特許庁

The etch stop layer increases linearity of the FET and does not degrade the flow of electrons in the HBT.例文帳に追加

エッチストップ層はＦＥＴの線形性を増大させ、ＨＢＴの電子の流れを低下させない。 - 特許庁

The etch stop can reduce undesirable over-etching of the sacrificial layer and the mirror layer.例文帳に追加

エッチング停止は犠牲層とミラー層との望ましくないオーバーエッチングを減少させることができる。 - 特許庁

The etch stop layer 34 of a semiconductor device is a high-resistance film having a resistance greater than 10 ohm-cm.例文帳に追加

エッチング停止層は、１０Ω−ｃｍより大きい抵抗を有する高抵抗膜である。 - 特許庁

In a pre-metal process, an ozone TEOS film is once etched back so that an etch stop film on a gate structure is exposed after the ozone TEOS film is formed on an etch stop film.例文帳に追加

しかし、コンタクト・ホール形成プロセスにおいて、プリ・メタル層間絶縁膜中のクラックがコンタクト・ホール内に露出し、そこにバリア・メタルが入り込み、ショート不良の原因となることが明らかとなった。 - 特許庁

The etch stop layer 44 may also serve as a barrier layer, buffer layer, and/or template layer.例文帳に追加

エッチング停止層４４はまた障壁層、緩衝層、および／またはテンプレート層としても機能することができる。 - 特許庁

To provide an SiGe etch-stop material system on a monocrystalline silicon substrate useful for aqueous anisotropic etchants.例文帳に追加

水性異方性エッチング剤に対して有用な、シリコン基板上のＳｉＧｅエッチング停止構造物を提供する。 - 特許庁

The SiGe etch-stop material system comprises a relaxed buffer layer graded up to Si_1-xGe_x and a relaxed uniform etch-stop layer of the Si_1-yGe_y, and it is preferable that x is equal to or smaller than 0.17 and y is equal to or greater than 0.3.例文帳に追加

ＳｉＧｅエッチング停止構造物が、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘまでの段階が設けられた弛緩されたバッファ層と、Ｓｉ_１−ｙＧｅ_ｙの弛緩された均質なエッチング停止層とを有しており、ｘ≦０．１７、ｙ≧０．３が好ましい。 - 特許庁

Etching is performed from the contact layer to the etch stop layer for the formation of a 3 μm-wide stripe-shape ridge 42.例文帳に追加

コンタクト層からエッチングストップ層までエッチングされて、リッジ幅３μｍのストライプ状リッジ４２として形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING NITRIDE FILM FORMED BY LOW-TEMPERATURE ATOMIC LAYER DEPOSITION FOR ETCH-STOP LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

低温原子層蒸着による窒化膜をエッチング阻止層として利用する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a photoelectric converter having an antireflection film and an etch stop film which can be formed in a simplified process.例文帳に追加

反射防止膜及びエッチングストップ膜を設けるための工程を簡素化できる光電変換装置を提供する。 - 特許庁

VERTICAL LIGHT EMITTING DIODE (VLED) HAVING N-TYPE CONFINEMENT STRUCTURE WITH ETCH STOP LAYER AND METHOD OF FABRICATION例文帳に追加

エッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造を備える垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）及びその製造方法 - 特許庁

On the semiconductor substrate (10), a stack is deposited which includes a layer (14) made of a first etch stop material, a layer (16) made of an insulation material having the low dielectric constant, and a layer (18) made of a second etch stop material, via a layer (12) of insulation material.例文帳に追加

半導体基板（10）の上に絶縁物質の層（12）を介して第１のエッチストップ物質からなる層（14）と低い誘電率を有する絶縁物質からなる層（16）および第２のエッチストップ物質からなる層（18）からなるスタックを堆積する。 - 特許庁

The method includes etching a dielectric layer to form a cavity therein, exposing an etch stop layer located beneath the cavity, and etching the exposed etch stop layer to extend the cavity, exposing a conductive feature in a present interconnecting structure.例文帳に追加

本方法は、誘電体層をエッチングしてそこに空洞を形成し下に位置するエッチング止め層を露出し、露出したエッチング止め層をエッチングして空洞を拡張し、現存の相互接続構造における導電形状特徴を露出することを含む。 - 特許庁

After a resist process is carried out, the hard mask 320 is patterned; the polymer layer 330 is etched, and then the etch stop layer 380 is removed.例文帳に追加

レジストプロセスをした後、ハードマスク３２０をパターニングし、ポリマー層３３０をエッチングした後、エッチング停止層３８０を除去する。 - 特許庁

The FET further includes a semiconductor layer of a second type situated under and in direct contact with the second segment of the etch stop layer.例文帳に追加

ＦＥＴはエッチストップ層の第２の部分の下に直接接して位置する第２のタイプの半導体層をさらに含む。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING ETCH STOP LAYER HAVING TOLERANCE OVER WET ETCHING, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置の製造方法、湿式エッチングに対する耐性を有するエッチング阻止層の形成方法、及び半導体装置 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor device with an interlayer dielectric (ILD) etch stop layer for use in a subsequent contact hole process.例文帳に追加

後続するコンタクト・ホール工程で使用される層間絶縁（ILD）エッチング停止層を有する高電圧用トランジスタ・デバイスを提供する。 - 特許庁

The BiFET further includes a FET 106 situated over the substrate, wherein the FET includes source and drain regions, wherein a second segment 146 of the etch stop layer is situated under the source and drain regions, and wherein the second segment of the etch stop layer contains InGaP.例文帳に追加

ＢｉＦＥＴは基板の上に位置するＦＥＴ１０６をさらに含み、ＦＥＴはソース領域およびドレイン領域を含み、エッチストップ層の第２の部分１４６はソース領域およびドレイン領域の下に位置し、エッチストップ層の第２の部分はＩｎＧａＰを含む。 - 特許庁

Next, a void area 22 separating a mass part 21 and an outer support frame 23 are formed by wet etching until reaching the etch stop layer.例文帳に追加

次に質量部２１と外側の支持フレーム２３を隔てるボイド領域２２をエッチストップ層に達するまでウェットエッチングして形成する。 - 特許庁

The exposed part of the etch stop layer 4 is removed to form mesa structure 10, and buried layers 11 and 12 are formed at both the sides of the mesa structure.例文帳に追加

エッチストップ層４の露出した部分を除去してメサ構造１０を形成し、その両側に埋め込み層１１，１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a diaphragm for an IC microphone that can suppress reduction in the etch stop effect caused by heat treatment after forming a high concentration impurity layer (etch stop layer) so as to prevent the occurrence of buckling caused by the heat treatment after forming the high concentration impurity layer and to provide the IC microphone.例文帳に追加

高濃度不純物層（エッチストップ層）形成後の熱処理によって生じるエッチストップの効果の低下を抑制し、高濃度不純物層形成後の熱処理が原因の座屈を防ぐことができるＩＣマイクの振動板形成方法およびＩＣマイクを提供すること。 - 特許庁

Here, the etching of the portion of the dielectric layer and the exposed part of the etch stop layer are performed at the same time without any intervenient processing.例文帳に追加

ここで、誘電体層の一部分のエッチングとエッチング止め層の露出部分のエッチングは、何の処理も介在させずに同時に実行される。 - 特許庁

EMBEDDED ETCH STOP FOR PHASE SHIFT MASK AND PLANAR PHASE SHIFT MASK TO REDUCE TOPOGRAPHY INDUCED AND WAVEGUIDE EFFECT例文帳に追加

誘起されたトポグラフィおよび導波路効果を減少させるための位相シフト・マスクおよびプレーナ位相シフト・マスク用の埋め込み型エッチング停止部 - 特許庁

The laminated part comprises an MQW active layer 10, an Inp etch-stop layer 40, a bulk light-receiving layer 20, and a p-Inp 60 (corresponding to a clad layer 22).例文帳に追加

また、積層部は、ＭＱＷ活性層１０、ＩｎＰエッチストップ層４０、バルク受光層２０およびｐ−ＩｎＰ６０（クラッド層２２に対応）でなっている。 - 特許庁

To provide a device and a method for manufacturing a semiconductor device in which sudden etch-stop during etching for formation of a deep hole is prevented.例文帳に追加

深いホール形成のためのエッチング時における突然のエッチストップを防止しうる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The amorphous silicon phase shift layers (14 to 20) are separated by silicon dioxide etch stop layers (22 to 26) being about 5nm thick or thinner.例文帳に追加

アモルファスシリコン位相シフト層(14-20)は、各々が約５ｎｍ又はそれより小さい厚さを有する二酸化シリコンエッチストップ層(22-26)によりそれぞれ分離されている。 - 特許庁

The antireflection film 9 serves as an etch stop film when the interlayer insulating film is etched for forming openings used to bury the conductive members in the interlayer insulating film.例文帳に追加

そして、反射防止膜９は、層間絶縁膜に導電性部材を埋め込む開口の形成における層間絶縁膜のエッチング時のエッチングストップ膜である。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device which has a stable and highly reliable self-matching contact, while avoiding increase of etch stop, wiring shorting and contact resistance.例文帳に追加

エッチストップ、配線ショート、コンタクト抵抗の増加を回避しつつ、安定で信頼性の高い自己整合コンタクトを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

An etch stop layer (23) is provided between the first part (28) of the second mirror structure (19) and the second part (29) of the second mirror structure (19).例文帳に追加

エッチストップ層（２３）は、第２のミラー構造（１９）の第１の部分（２８）と、第２のミラー構造（１９）の第２の部分（２９）との間に設けられる。 - 特許庁

ETCH BACK METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING INORGANIC POLARIZER BY USING THIS METHOD, ETCHING STOP CONTROL DEVICE FOR REALIZING THESE METHODS, AND INORGANIC POLARIZER TO BE MANUFACTURED例文帳に追加

エッチバック方法、それを用いた無機偏光子製造方法及びそれらの方法を実現するエッチング停止制御装置、並びに製造される無機偏光子 - 特許庁

In some embodiments, the thickness of the cavity is maintained constant by incorporating an etching stop layer into the device and then thinning the layer of the device by a process which terminates on the etch-stop layer.例文帳に追加

幾つかの実施形態においは、当該装置にエッチング停止層を組込み、次いで該エッチング停止層上で停止するプロセスによって、当該装置の層を薄膜化することにより、前記キャビティの厚さは一定に維持される。 - 特許庁

Fabrication of a MEMS device such as an interferometric modulator is improved by using an etch stop layer 44 between a sacrificial layer 46 and a mirror layer 38.例文帳に追加

干渉測定変調器のようなＭＥＭＳ装置の製造は、犠牲層４６とミラー層３８との間のエッチング停止層４４を使用することによって改善される。 - 特許庁

To solve the problem of adhesion in an interface between a low dielectric constant substance being an organic base or carbon-doped SiO_2 and the SiO_2 etch stop of a TEOS base.例文帳に追加

有機物ベース又は炭素ドープドＳｉＯ_2である低誘電率物質とＴＥＯＳベースのＳｉＯ_2エッチストップとの間の界面における密着性の問題を解決する。 - 特許庁

To suppress the etch stop while securing the remaining film of a mask pattern when forming an aperture having high aspect ratio in an insulating film in anisotropic etching using a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンを用いた異方性エッチングで、絶縁膜に高いアスペクト比を有する開孔を形成する際に、マスクパターンの残膜を確保しつつ、エッチストップを抑制する。 - 特許庁

To obtain benefits of a thin photosensitive layer while reducing the number of development/etching steps required in a general case where a photosensitive layer and a buffer/etch-stop layer are used.例文帳に追加

薄い感光性層による利点が得られると共に、一般的な感光性層とバッファ／エッチストップ層を使用した場合においても現像／エッチングに要する工程を減らす。 - 特許庁

The plurality of passivation layers are deposited on the semiconductor device layer 14, where at least two of the layers are made of different dielectric materials to provide an etch stop.例文帳に追加

複数の不動態化層が半導体デバイス層１４上に堆積され、少なくとも２つの層はエッチストップを提供し得るよう異なる誘電性材料にて出来ている。 - 特許庁