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facet orientationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ファセット方位
「facet orientation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
ELECTRONIC ELEMENT OF MICROCRYSTAL STRUCTURE NITRIDE SEMICONDUCTOR CONTROLLING ORIENTATION OF CRYSTAL AXIS AND FACET (CRYSTAL PLANE)例文帳に追加
結晶軸配向性とファセット（結晶面）を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子 - 特許庁
CMOS DEVICE HAVING HYBRID CHANNEL ORIENTATION, AND METHOD FOR MANUFACTURING CMOS DEVICE HAVING HYBRID CHANNEL ORIENTATION USING FACET EPITAXY PROCESS例文帳に追加
ハイブリッド・チャネル配向を有するＣＭＯＳデバイスおよびファセット形成エピタキシを用いてハイブリッド・チャネル配向を有するＣＭＯＳデバイを作製するための方法 - 特許庁
The facet orientation can be so selected that the intensity of the piezoelectric field and/or the intensity of the naturally generated electric field are reduced.例文帳に追加
ファセット配向は、例えば圧電界の大きさ及び／又は自然発生的電界の大きさを減少させるように、選択することができる。 - 特許庁
By turning the orientation of a facet (2) to {110} shifted for 45° from the orientation {100} of the surface of a wafer (1), an outermost peripheral part formed of many cells (4) at the chip corner of the chip (3) is formed so as to be straight.例文帳に追加
ファセット（２）の面方位をウェハ（１）表面の面方位｛１００｝と４５度ずらした｛１１０｝にすることで、チップ（３）のチップコーナーにおける多数のセル（４）が形成する最外周部分が一直線となるように形成する。 - 特許庁
The facet orientation can be also so selected that the intensity of electric field wherein the piezoelectric field and the naturally generated electric field are combined is controlled or reduced.例文帳に追加
ファセット配向はまた、圧電界と自然発生的電界との結合された電界強さの大きさを制御するか減少させるように、選択することができる。 - 特許庁
A method for manufacturing a light emitting semiconductor device containing a group III nitride quantum well layer contains selecting the facet orientation of the quantum well layer, controlling intensity of a piezoelectric field and/or intensity of a naturally generated electric field in the quantum well layer, and growing the quantum well layer having the selected facet orientation.例文帳に追加
III族窒化物量子井戸層を含む発光半導体デバイスを製造する方法は、量子井戸層のファセット配向を選択し、圧電界の電界強さ及び／又は量子井戸層における自然発生的電界の電界強さを制御すること、及び選択されたファセット配向をもつ前記量子井戸層を成長させることを含む。 - 特許庁
The generation of the shape (111) facet can be restrained, by means of forming the peripheral area of the junction face of the elevated source/drain diffusion layer and the semiconductor substrate to the orientation <;010>; of the semiconductor substrate.例文帳に追加
また、エレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層と半導体基板との接合面の周辺部分を半導体基板の<010>方向に形成することで、形(111)ファセットの生成を抑制できる。 - 特許庁
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「facet orientation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
Further, since the ridge or the like in the hard cubic structure 14 having the facet 15 has characteristic crystal orientation and is also clear, the cut line 21 of the gallium nitride crystal body 27 subjected to cutting in parallel with the ridge or the like of the cubic structure 14 can be used for the orientation flat as the reference line of device working.例文帳に追加
しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。 - 特許庁
To form a piezoelectric body layer comprising a perovskite-type oxide where crystallinity and (001) facet crystal orientation are good in a piezoelectric element, to reduce dispersion in characteristics of the piezoelectric element and to improve dielectric strength and reliability.例文帳に追加
圧電素子において結晶性及び（００１）面結晶配向性の良好なペロブスカイト型酸化物からなる圧電体層を形成し、この圧電素子の特性ばらつきを低減すると共に、耐電圧及び信頼性を向上させる。 - 特許庁
A relational expression between a radius (r) of a crucible and a horizontal width (a) of a facet plane reflecting a crystal face orientation becoming apparent on the outerperipheral surface of a growing crystal in accordance with crystal growth is introduced, and the crystal is grown by using the seed crystal in which the deviation angle (θ) is corrected.例文帳に追加
るつぼの半径（ｒ）と、結晶成長の進行に伴って成長結晶の外周表面に顕在化する結晶面方位を反映したファセット面の水平方向の幅（ａ）との関係式を導き、ずれ角（θ）を補正した種子結晶を用いて結晶成長させる。 - 特許庁
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ファセット方位
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