ファセット方位の英語

六方晶系の結晶構造を有する物質からなる基板の（１−１００）面上に、六方晶系の結晶構造を有する半導体からなり、（１１−２２）面方位または（１０−１３）面方位を有する半導体層を（１−１００）面ファセット、（０００１）面ファセットおよび（１０−１３）面ファセットを出しながら成長させる。例文帳に追加

The semiconductor layer, which is constituted of the semiconductor having the hexagonal crystal structure and has (11-22) or (10-13) plane direction, is grown on the (1-100) plane of a substrate constituted of a material having the hexagonal crystal structure while exposing (1-100) plane facet, (0001) plane facet, and (10-13) plane facet. - 特許庁

ファセット（２）の面方位をウェハ（１）表面の面方位｛１００｝と４５度ずらした｛１１０｝にすることで、チップ（３）のチップコーナーにおける多数のセル（４）が形成する最外周部分が一直線となるように形成する。例文帳に追加

By turning the orientation of a facet (2) to {110} shifted for 45° from the orientation {100} of the surface of a wafer (1), an outermost peripheral part formed of many cells (4) at the chip corner of the chip (3) is formed so as to be straight. - 特許庁

基板上に成長させる半導体層の面方位や成長面ファセットを選択することができ、必要に応じて半導体層のピエゾ電界を抑えたり結晶品質を高くしたりすることができる半導体層の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a semiconductor layer which can select the plane direction of growth plane facet of a semiconductor layer to be grown on a substrate and can suppress a piezoelectric field of the semiconductor layer or can improve its crystal quality as needed. - 特許庁

るつぼの半径（ｒ）と、結晶成長の進行に伴って成長結晶の外周表面に顕在化する結晶面方位を反映したファセット面の水平方向の幅（ａ）との関係式を導き、ずれ角（θ）を補正した種子結晶を用いて結晶成長させる。例文帳に追加

A relational expression between a radius (r) of a crucible and a horizontal width (a) of a facet plane reflecting a crystal face orientation becoming apparent on the outerperipheral surface of a growing crystal in accordance with crystal growth is introduced, and the crystal is grown by using the seed crystal in which the deviation angle (θ) is corrected. - 特許庁

反射鏡２３は、選択成長により基板に対して斜めに成長した窒化物半導体のファセット面からなり、半導体レーザ２１から発せられたレーザ光を反射することにより、レーザ光の出射方向を基板２２の主方位面に対して上方向に変えるように構成されている。例文帳に追加

Each reflecting mirror 23 is composed of the facet face of the nitride semiconductor grown obliquely to the substrate 22 by selective growth, and is constituted to upwardly change the emitting direction of laser light emitted from the semiconductor layer 21 against the main bearing face of the substrate 22 by reflecting the laser light. - 特許庁

しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。例文帳に追加

Further, since the ridge or the like in the hard cubic structure 14 having the facet 15 has characteristic crystal orientation and is also clear, the cut line 21 of the gallium nitride crystal body 27 subjected to cutting in parallel with the ridge or the like of the cubic structure 14 can be used for the orientation flat as the reference line of device working. - 特許庁