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ferromagnetic Mnとは 意味・読み方・使い方
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「ferromagnetic Mn」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 26件
This high-strength damping alloy is provided as an Mn-Cu-based high-strength damping alloy obtained by dispersing ferromagnetic particles such as borides into an Mn-Cu type base alloy.例文帳に追加
Mn−Cu系母合金に、硼化物等の強磁性粒子を分散させて、Mn−Cu系高強度制振合金とする。 - 特許庁
This ferromagnetic tunnel junction element has such a structure where a compound ferromagnetic layer 14 which contains N1 or a Ni alloy is arranged adjacent to a tunnel barrier layer 13, and a compound ferromagnetic layer 15 which contains Co or a Co alloy is arranged adjacent to Mn ordered alloy anti-ferromagnetic layer 16.例文帳に追加
トンネルバリア層13と隣接するように、Ni、またはNiを含む合金、またはNiを含む化合物強磁性層14を配置し、かつMn系規則合金反強磁性層16と隣接するようにCo、またはCoを含む合金、またはCoを含む化合物強磁性層15を配置する。 - 特許庁
EXCHANGE COUPLING FILM HAVING ANTI-FERROMAGNETIC Mn-Ir ALLOY FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, VERTICAL MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
反強磁性Mn−Ir合金膜を有する交換結合膜およびその製造方法、ならびに垂直磁気記録媒体およびその製造方法 - 特許庁
It is preferable that the film thickness of the first anti-ferromagnetic layer formed of alloy containing Mn is 8 nm-19 nm.例文帳に追加
その際、前記Mnを含む合金からなる第一の反強磁性体層の膜厚は8nm以上19nm以下であることが好ましい。 - 特許庁
In forming the anti-ferromagnetic layer 6 of Ir/Mn alloy, the second magnetic layer 5 is formed at a film formation rate which is 0.078 nm/s or less.例文帳に追加
反強磁性層6をIr−Mn合金によって形成する場合には、第2の磁性層5を0.078nm/s以下の成膜レートで形成する。 - 特許庁
To enhance a switched-connection magnetic field in a spin valve type magnetoresistance effect multilayered film formed using an X-Mn type anti-ferromagnetic material.例文帳に追加
X−Mnタイプの反強磁性材料を使用したスピンバルブ型磁気抵抗効果多層膜において交換結合磁界を向上する。 - 特許庁
The antiferromagnetic layer 3 is made of a PtMn type material having a composition of Mn 50 atm.% in the interface with the ferromagnetic layer 5.例文帳に追加
反強磁性層3はPtMn系材料とし、強磁性層5との界面において、50原子%Mnの組成とする。 - 特許庁
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「ferromagnetic Mn」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 26件
In a switched-connection element 1 that is formed by stacking an antiferromagnetic layer 4 and a ferromagnetic layer 5 in order on a substrate 2, the ferromagnetic layer 5 that is connected to the antiferromagnetic layer by switching, the antiferromagnetic layer 4 has a regular phase (Mn_3Ir) of an Mn-Ir alloy.例文帳に追加
基板1上に、反強磁性層4、及び前記反強磁性層と交換結合する強磁性層5が順次積層されてなる交換結合素子1において、前記反強磁性層4が、Mn-Ir合金の規則相(Mn_3Ir)を備えるものとする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a Ge-Mn magnetic semiconductor thin film by which the Ge-Mn magnetic semiconductor thin film made of ferromagnetic semiconductor substance with high Curie temperature can be manufactured.例文帳に追加
キュリー温度が高い強磁性半導体物質であるGe−Mn磁性半導体薄膜を製造することを可能としたGe−Mn磁性半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
Then, the ferromagnetic properties thereof are controlled by the addition of antiferromagnetic transition metals such as Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, Ru or the like, the addition of dopants, and the control of the concentration of the transition metals.例文帳に追加
そして、Mn,Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁
Then, the ferromagnetic properties thereof are controlled by the addition of antiferromagnetic transition metals such as Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, Ru or the like, the addition of dopants, and the control of the concentration of the transition metals.例文帳に追加
そして、Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁
To provide a ferromagnetic tunnel junction element capable of effectively suppressing diffusing of Mn from an antiferromagnetic layer containing a Mn-based alloy even if a heat treatment is applied thereto, and excelling in characteristics and heat resistance.例文帳に追加
熱処理を受けてもMn系合金を含む反強磁性層からのMn拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁
The Fe-based ferromagnetic shape memory alloy has a composition containing, by atom, 22 to 40% Mn and 25 to 35% Ga, and the balance Fe with inevitable impurities, and has a parent phase of a bcc structure.例文帳に追加
22〜40原子%のMnと、25〜35原子%のGaとを含有し、残部がFe及び不可避的不純物からなり、母相がbcc構造であることを特徴とするFe基強磁性形状記憶合金。 - 特許庁
To provide a ferromagnetic tunnel junction element wherein, excellent in heat-resistance and characteristics, the Mn diffusion from an antiferromagnetic layer comprising an Mn array is effectively suppressed even in a thermal process.例文帳に追加
熱処理を受けてもMn系合金を含む反強磁性層からのMn拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁
To obtain an exchange bias ferromagnetic tunnel junction element which has a high magnetoresistance change rate and is never deteriorated in characteristics due to a thermal treatment which is required to be carried out at high temperatures for many hours when an Mn ordered alloy is used as an anti-ferromagnetic body.例文帳に追加
交換バイアス型強磁性トンネル素子において、Mn系規則合金を反強磁性体として用いる際に必要とされる高温、長時間の熱処理によっても特性の劣化がなく、高い磁気抵抗変化率を示す強磁性トンネル接合素子を得る。 - 特許庁
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