ferromagnetic stateとは 意味・読み方・使い方

The magnetoresistive element contains a first ferromagnetic layer 1 and a second ferromagnetic layer 2 disposed away from each other in an in-plane direction of the layer, a conductive layer 3 for electrically connecting these ferromagnetic layers, and a magnetic transfer layer 5 which can transfer between a ferromagnetism, a paramagnetism and an antiferromagnetism, and is disposed so as to magnetically connect with the first ferromagnetic layer 1 in a ferromagnetic state.例文帳に追加

層の面内方向に互いに離間して配置された第１強磁性層１および第２強磁性層２と、これら強磁性層を電気的に接続する伝導層３と、強磁性と常磁性または反強磁性との間を転移可能であり、強磁性の状態で第１強磁性層１と磁気的に結合するように配置された磁性転移層５とを含む磁気抵抗素子とする。 - 特許庁

The stator pole part 10 is formed of a magnetic material, which is ferromagnetic in a first state and paramagnetic in a second state.例文帳に追加

ステータポール部１０は、第１の状態が強磁性であり、第２の状態が常磁性である磁性材料により形成される。 - 特許庁

The state of memory in an individual memory cell corresponds to one of two stable orientations of magnetization within a plane of the switching layer of the ferromagnetic film.例文帳に追加

個々のセル内のメモリー状態は強磁性膜スイッチング層の面内における磁化の２つの安定した配向の１つに対応している。 - 特許庁

The magnetization state of the magnetic material is controlled by applying a pulse current applying a weak magnetic field for a ferromagnetic body from the outside.例文帳に追加

強磁性体に対して、外部から弱磁場を印加しつつ、パルス電流を印加することで、強磁性体の磁化状態を制御する。 - 特許庁

In a sputtering device equipped with a MgO target 3 and a ferromagnetic target 4, and sputtering MgO and a ferromagnetic substance to a substrate 8, this low-resistance granular film including a MgO barrier layer having (111) orientation and ferromagnetic fine particles dispersed in the MgO barrier layer is formed on the substrate 8 while a plasma interference state is optimized.例文帳に追加

ＭｇＯターゲット３及び強磁性体ターゲット４を備え、基板８に対してＭｇＯ及び強磁性体をスパッタリングするスパッタリング装置において、プラズマ干渉状態を最適化した状態で、前記基板８上に（１１１）配向を有するＭｇＯバリア層と、前記ＭｇＯバリア層中に分散された強磁性体微粒子と、を含む低抵抗グラニュラ膜を形成する。 - 特許庁

In a magnetic storage 1, a wiring 5 for generating a magnetic field for writing is adjoined to a magnetoresistive effect element 4, and a ferromagnetic body 20 is arranged to cover at least a part of the wiring 5, orienting magnetized state X of the ferromagnetic body 20 in one direction.例文帳に追加

磁気記憶装置１において、書込用の磁界を生じさせる配線５に磁気抵抗効果素子４に隣接配置させ、更にこの配線５の少なくとも一部を覆うように、強磁性体２０を配設し、この強磁性体２０の磁化状態Ｘを一方向に配向させるようにした。 - 特許庁

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction (MTJ) including a ferromagnetic free layer, and exhibits a first relatively high resistance state and a second relatively low resistance state.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、強磁性自由層を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を備え、第１の比較的高い抵抗状態と第２の比較的低い抵抗状態を示す。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element manufactured by using a ferromagnetic material having perpendicular magnetic anisotropy, which improves a state in which record holding time is different depending on storing information due to imbalance of thermal stability between a parallel state and an antiparallel state of magnetization corresponding to bit information.例文帳に追加

垂直磁気異方性を有する強磁性材料を用いて作製した磁気抵抗効果素子において、ビット情報に対応する磁化の平行状態及び反平行状態の熱安定性が不均衡になり、保存している情報により記録保持時間が異なる状態を改善する。 - 特許庁