flr-2とは 意味・読み方・使い方

The guard ring and the FLR are combined, using boron for dopant, and besides the concentration of impurities in the FLR is made 2×1017 cm-3 or over, and the concentration of impurities in the guard ring is made as one-tenth high as that of the impurities in the FLR, whereby high breakdown strength is achieved.例文帳に追加

ボロンをドーパントに用い、ガードリングとFLRを組合せ、かつＦＬＲの不純物濃度を2×10^17ｃｍ^-3以上とし、ガードリングの不純物濃度をＦＬＲの不純物濃度より1/10以上低くすることにより、高耐圧を達成する。 - 特許庁

The second FLR layer 5 is provided on the first primary surface of the first semiconductor layer 2, spaced apart from the first FLR layer 4 so as to surround the first FLR layer 4.例文帳に追加

第２のＦＬＲ層５は、第１の半導体層１の第１の主面に第１のＦＬＲ層４と離間して第１のＦＬＲ層４を取り囲むように設けられる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type; an element region; a termination region; a first FLR layer 4 of a second conductivity type; a second FLR layer 5 of the second conductivity type; an insulating film 7; and a current blocking structure.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２と、素子領域と、終端領域と、第２導電形の第１のＦＬＲ層４と、第２導電形の第２のＦＬＲ層５と、絶縁膜７と、電流阻止構造体とを備える。 - 特許庁

An n-type FLR region 6 including P as an impurity is formed in an annular shape at a position near the boundary between the first and second Si layers 2 and 3 surrounding the base region 4 and the emitter region 5, and the FLR region 6 is formed in the embedded structure not exposed to the surface of the second Si layer 3.例文帳に追加

ベース領域４及びエミッタ領域５を取り囲むように、不純物としてＰを含むｎ型のＦＬＲ領域６が、第１Ｓｉ層２と第２Ｓｉ層３との境界近傍の位置に環状に形成されており、ＦＬＲ領域６は第２Ｓｉ層３の表面に露出しない埋め込み構造となっている。 - 特許庁

The first FLR layer 4 is provided on a first primary surface of the first semiconductor layer 2 in the termination region, surrounds the element region, and is electrically connected to the first electrode 9.例文帳に追加

第１のＦＬＲ層４は、終端領域において第１の半導体層１の第１の主面に設けられ、素子領域を取り囲み、第１の電極９と電気的に接続される。 - 特許庁

At a voltage blocking structure part of a reverse blocking type IGBT, a surface layer on a top side of an n-type drift region 1 is provided with a plurality of field limiting rings (FLR) 2 and a channel stopper 3.例文帳に追加

逆阻止型ＩＧＢＴの耐圧構造部には、ｎ型ドリフト領域１のおもて面の表面層に、複数のフィールドリミッティングリング（ＦＬＲ）２およびチャネルストッパー３が設けられている。 - 特許庁