free GaNとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for cleaning a GaN single crystal wafer that has a sufficient particle removing ability against a GaN single crystal wafer and that defines the kind, concentration and cleaning conditions of an alkaline chemical free of surface roughness.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶ウェハに対して十分なパーティクル除去能力を得て、且つ、表面荒れを起こさないアルカリ性の薬液の種類、濃度及び洗浄条件を規定したＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a GaN-based semiconductor epitaxial substrate, in which a warp-free crystalline GaN-based semiconductor is epitaxially grown.例文帳に追加

反りのない優れた結晶性を有するＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができるＧａＮ系半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

EDGE POLISHED NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, EDGE POLISHED GaN FREE-STANDING SUBSTRATE, AND EDGE PROCESSING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

エッジ研磨した窒化物半導体基板とエッジ研磨したＧａＮ自立基板及び窒化物半導体基板のエッジ加工方法 - 特許庁

It is possible to obtain the GaN single crystal having excellent crystallinity and free from cracks by the aforementioned method for producing the semiconductor crystal.例文帳に追加

以上の半導体結晶の製造方法により、従来よりも結晶性に優れた、クラックのない窒化ガリウムの単結晶を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for depositing a GaN-based compound semiconductor layer having a low crystal defect density and almost free from production of piezo spontaneous polarization.例文帳に追加

結晶欠陥密度が低く、しかも、ピエゾ自発分極が生じ難いＧａＮ系化合物半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a stress-free GaN-based nitride compound semiconductor at a low cost by a simple process.例文帳に追加

本発明は、簡単な工程により、安価でストレスフリーなＧａＮ系窒化物半導体の作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a high quality single crystal body of GaN, AlN, AlGaN or the like, which has little thickness distribution, and is almost free from dislocations caused by temperature change and impurities.例文帳に追加

厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質なＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮなどの単結晶体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a GaN layer 2 and an AlGaN layer 3 are formed sequentially on a sapphire substrate 1 and then they are separated from the substrate, a reaction causing accumulated warp in the GaN layer 2 is canceled by the AlGaN layer 3 and a warp free self-standing nitride based compound semiconductor crystal can be obtained.例文帳に追加

サファイア基板１の上に、ＧａＮ層２、ＡｌＧａＮ層３を順次形成した上で基板から分離することにより、ＧａＮ層２に蓄積されたそりを生じさせる応力がＡｌＧａＮ層３によって相殺され、そりのない自立した窒化物系化合物半導体結晶を得ることができる。 - 特許庁