fused semiconductorとは 意味・読み方・使い方

To provide a flip-chip type semiconductor integrated circuit, which will not cause actualized reliability to deteriorate by using a laser beam fused type fuse.例文帳に追加

レーザ熔断型ヒューズを用いることによって顕在化される信頼性低下を引き起こさないフリップチップ型半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

A PHS (a plated heat sink) electrode 111 having a honeycomb structure is installed onto an electrode surface 110 fused on the heat sink for the semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザのヒートシンクに融着する電極面１１０にハニカム構造のＰＨＳ（プレーテッドヒートシンク）電極１１１を設ける。 - 特許庁

The connection member 91 also functions as a fuse and are fused when short-circuited and when a load is short circuited between the semiconductor elements 11, 12.例文帳に追加

また，接続部材９１は，ヒューズ機能を兼ねており，半導体素子１１，１２間の短絡や負荷短絡時に溶断するようになっている。 - 特許庁

A locally thinned region in a semiconductor layer is formed by fusing a peripheral semiconductor layer by heat treatment to allow the fused semiconductor material to flow.例文帳に追加

半導体層の局所的に薄膜化された領域を、加熱処理により周辺の半導体層を溶融し、その溶融した半導体材料を流動させることによって形成する。 - 特許庁

The conductive materials are connected by being fused by making the circumferences of the semiconductor chips irradiated with a laser beam, and the bump which electrically connects the semiconductor chips is arranged between the semiconductor chips.例文帳に追加

また、半導体チップの周囲からレーザ光により溶融して導電材間を接続し、半導体チップ間を導電状態に接続するバンプを半導体チップ間に配設した構成とするものである。 - 特許庁

While the photocatalyst layer 4 is irradiated with excitation light 8 having such a wavelength that it is absorbed by the photocatalyst layer 4, the semiconductor film 5 is irradiated with a laser beam 1 and the semiconductor film 5 is fused and solidified to be crystallized.例文帳に追加

光触媒層４に吸収される波長をもつ励起光８を光触媒層４に照射しながら、半導体膜５にレーザ光１を照射して、半導体膜５を溶融及び固化させることにより結晶化させる。 - 特許庁

A thin-film transistor has the amorphous semiconductor thin film, fused and recrystallized by an excimer laser and has an insulating substrate 10 for supporting the semiconductor thin film.例文帳に追加

薄膜トランジスタはエキシマレーザによって溶融再結晶化される非晶質の半導体薄膜と、この半導体薄膜を支持する絶縁基板１０とを備える。 - 特許庁

To provide an aromatic fused ring compound which enables application of a welding method and exhibits stable n-type transistor operation in the atmosphere, an organic semiconductor material containing the same, an organic semiconductor device and manufacturing methods thereof.例文帳に追加

溶接法を利用可能で、大気中でも安定にｎ型トランジスタ動作が可能な芳香族縮合環化合物およびこれを含む有機半導体材料、有機半導体デバイス、並びに、それらの製造方法を提供する。 - 特許庁