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fused semiconductorとは 意味・読み方・使い方
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「fused semiconductor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 78件
An Si semiconductor is stored in a crucible 208, the semiconductor in the crucible is heated and fused by induction heating means 215, 216, gas pressure of Ar and N_2, etc., in a space of the upper part than the fused semiconductor in the crucible is applied to the fused semiconductor and the fused semiconductor is dropped from a nozzle 209.例文帳に追加
Ｓｉ半導体を坩堝２０８に貯留し、誘導加熱の手法２１５，２１６によって、坩堝内の半導体を加熱して溶融し、この溶融半導体に、坩堝内の溶融半導体よりも上部の空間にＡｒ、Ｎ_2などのガス圧力を作用し、ノズル２０９から落下する。 - 特許庁
Small molecule semiconductor compounds are used which contain a fused xanthene core with a specific structure.例文帳に追加
特定構造の縮合キサンテンコアを含む低分子半導体化合物を用いる。 - 特許庁
AROMATIC FUSED RING COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL CONTAINING THE SAME, ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHODS THEREOF例文帳に追加
芳香族縮合環化合物およびこれを含む有機半導体材料、有機半導体デバイス、並びに、それらの製造方法 - 特許庁
To provide a semiconductor device which has a reduced fused area and is not influenced by laser trimming.例文帳に追加
ヒューズ面積を縮小し且つレーザトリミングの影響を防ぐ半導体装置を提供する。 - 特許庁
When the preliminary solder 32 is fused after the semiconductor element 20 is mounted, no fused solder is present at a part of the soldering surface 11 which corresponds to the solder removed part 31c.例文帳に追加
半導体素子２０の搭載後における予備はんだ３２の溶融時には、はんだ付け面１１のうちはんだ除去部３１ｃに対応する部位では溶融したはんだを存在させない。 - 特許庁
A low melting point metal having the melting point of ≤350°C is fused and is applied on a rotating semiconductor substrate to deposit a metallic thin film on the face of the semiconductor substrate.例文帳に追加
融点が３５０℃以下の低融点金属を溶融させ、回転させた半導体基板に塗布し、半導体基板面に金属の薄膜を形成する。 - 特許庁
A locally thinned region in a semiconductor layer is formed by fusing a peripheral semiconductor layer by heat treatment to allow the fused semiconductor material to flow.例文帳に追加
半導体層の局所的に薄膜化された領域を、加熱処理により周辺の半導体層を溶融し、その溶融した半導体材料を流動させることによって形成する。 - 特許庁
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「fused semiconductor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 78件
The conductive materials are connected by being fused by making the circumferences of the semiconductor chips irradiated with a laser beam, and the bump which electrically connects the semiconductor chips is arranged between the semiconductor chips.例文帳に追加
また、半導体チップの周囲からレーザ光により溶融して導電材間を接続し、半導体チップ間を導電状態に接続するバンプを半導体チップ間に配設した構成とするものである。 - 特許庁
A thin-film transistor has the amorphous semiconductor thin film, fused and recrystallized by an excimer laser and has an insulating substrate 10 for supporting the semiconductor thin film.例文帳に追加
薄膜トランジスタはエキシマレーザによって溶融再結晶化される非晶質の半導体薄膜と、この半導体薄膜を支持する絶縁基板１０とを備える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which solder included in the semiconductor device is prevented from moving when fused during or after manufacture of the semiconductor device, and the semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加
半導体装置の製造時又は製造後において、半導体装置に含まれるはんだの溶融時における移動の防止を図った半導体装置の製造方法及びその方法により製造した半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To prevent fused solder from flowing to an adjacent solder bump when a solder bump is fused on a gap formed between a resin and an insulation film or between a resin and a solder resist, in a semiconductor package.例文帳に追加
半導体パッケージにおいて、樹脂と絶縁膜の間や樹脂と半田レジストの間に隙間が発生し、そのうえに半田バンプが溶融した場合でも、溶融した半田が隣接の半田バンプに流れ着くことを防止する。 - 特許庁
A PHS (a plated heat sink) electrode 111 having a honeycomb structure is installed onto an electrode surface 110 fused on the heat sink for the semiconductor laser.例文帳に追加
半導体レーザのヒートシンクに融着する電極面１１０にハニカム構造のＰＨＳ（プレーテッドヒートシンク）電極１１１を設ける。 - 特許庁
When substituting a new one for the semiconductor device package 10, the solder balls 11 present on the side of the semiconductor device package 10 are fused by heatings to detach the package 10 therefrom.例文帳に追加
半導体装置パッケージ１０を新しいものに取換える場合、半導体装置パッケージ１０側のはんだボール１１を加熱によって溶融し、該半導体装置パッケージ１０を引外す。 - 特許庁
The lead 2 of a semiconductor device 7 is provided with fine holes 3, and solder 4 is thermally fused in a reflow furnace, thus bonding the lead 2 of the semiconductor device 7 to the copper land 6 of a printed wiring board 5.例文帳に追加
半導体装置７のリード２に微細な穴３を設けて、リフロー炉で加熱溶融し、はんだ４にて半導体装置７のリード２とプリント配線板５の銅ランド６とを接合する。 - 特許庁
The connection member 91 also functions as a fuse and are fused when short-circuited and when a load is short circuited between the semiconductor elements 11, 12.例文帳に追加
また，接続部材９１は，ヒューズ機能を兼ねており，半導体素子１１，１２間の短絡や負荷短絡時に溶断するようになっている。 - 特許庁
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