「fused semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To prevent fused solder from flowing to an adjacent solder bump when a solder bump is fused on a gap formed between a resin and an insulation film or between a resin and a solder resist, in a semiconductor package.例文帳に追加

半導体パッケージにおいて、樹脂と絶縁膜の間や樹脂と半田レジストの間に隙間が発生し、そのうえに半田バンプが溶融した場合でも、溶融した半田が隣接の半田バンプに流れ着くことを防止する。 - 特許庁

When the preliminary solder 32 is fused after the semiconductor element 20 is mounted, no fused solder is present at a part of the soldering surface 11 which corresponds to the solder removed part 31c.例文帳に追加

半導体素子２０の搭載後における予備はんだ３２の溶融時には、はんだ付け面１１のうちはんだ除去部３１ｃに対応する部位では溶融したはんだを存在させない。 - 特許庁

To provide a flip-chip type semiconductor integrated circuit, which will not cause actualized reliability to deteriorate by using a laser beam fused type fuse.例文帳に追加

レーザ熔断型ヒューズを用いることによって顕在化される信頼性低下を引き起こさないフリップチップ型半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

A PHS (a plated heat sink) electrode 111 having a honeycomb structure is installed onto an electrode surface 110 fused on the heat sink for the semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザのヒートシンクに融着する電極面１１０にハニカム構造のＰＨＳ（プレーテッドヒートシンク）電極１１１を設ける。 - 特許庁

The connection member 91 also functions as a fuse and are fused when short-circuited and when a load is short circuited between the semiconductor elements 11, 12.例文帳に追加

また，接続部材９１は，ヒューズ機能を兼ねており，半導体素子１１，１２間の短絡や負荷短絡時に溶断するようになっている。 - 特許庁

A locally thinned region in a semiconductor layer is formed by fusing a peripheral semiconductor layer by heat treatment to allow the fused semiconductor material to flow.例文帳に追加

半導体層の局所的に薄膜化された領域を、加熱処理により周辺の半導体層を溶融し、その溶融した半導体材料を流動させることによって形成する。 - 特許庁

The conductive materials are connected by being fused by making the circumferences of the semiconductor chips irradiated with a laser beam, and the bump which electrically connects the semiconductor chips is arranged between the semiconductor chips.例文帳に追加

また、半導体チップの周囲からレーザ光により溶融して導電材間を接続し、半導体チップ間を導電状態に接続するバンプを半導体チップ間に配設した構成とするものである。 - 特許庁

While the photocatalyst layer 4 is irradiated with excitation light 8 having such a wavelength that it is absorbed by the photocatalyst layer 4, the semiconductor film 5 is irradiated with a laser beam 1 and the semiconductor film 5 is fused and solidified to be crystallized.例文帳に追加

光触媒層４に吸収される波長をもつ励起光８を光触媒層４に照射しながら、半導体膜５にレーザ光１を照射して、半導体膜５を溶融及び固化させることにより結晶化させる。 - 特許庁

A thin-film transistor has the amorphous semiconductor thin film, fused and recrystallized by an excimer laser and has an insulating substrate 10 for supporting the semiconductor thin film.例文帳に追加

薄膜トランジスタはエキシマレーザによって溶融再結晶化される非晶質の半導体薄膜と、この半導体薄膜を支持する絶縁基板１０とを備える。 - 特許庁

To provide an aromatic fused ring compound which enables application of a welding method and exhibits stable n-type transistor operation in the atmosphere, an organic semiconductor material containing the same, an organic semiconductor device and manufacturing methods thereof.例文帳に追加

溶接法を利用可能で、大気中でも安定にｎ型トランジスタ動作が可能な芳香族縮合環化合物およびこれを含む有機半導体材料、有機半導体デバイス、並びに、それらの製造方法を提供する。 - 特許庁

The lead 2 of a semiconductor device 7 is provided with fine holes 3, and solder 4 is thermally fused in a reflow furnace, thus bonding the lead 2 of the semiconductor device 7 to the copper land 6 of a printed wiring board 5.例文帳に追加

半導体装置７のリード２に微細な穴３を設けて、リフロー炉で加熱溶融し、はんだ４にて半導体装置７のリード２とプリント配線板５の銅ランド６とを接合する。 - 特許庁

When substituting a new one for the semiconductor device package 10, the solder balls 11 present on the side of the semiconductor device package 10 are fused by heatings to detach the package 10 therefrom.例文帳に追加

半導体装置パッケージ１０を新しいものに取換える場合、半導体装置パッケージ１０側のはんだボール１１を加熱によって溶融し、該半導体装置パッケージ１０を引外す。 - 特許庁

In the photoelectric transducer and a photoelectrochemical cell which at least has a layer containing semiconductor fine particles and a charge-transfer layer, the semiconductor fine particles are made of zinc oxide and tin oxide, and further, the charge-transfer layer is made from a fused salt electrolyte.例文帳に追加

少なくとも半導体微粒子含有層と電荷移動層を有する光電変換素子および光電気化学電池において、該半導体微粒子を酸化亜鉛および酸化スズとし、かつ、該電荷移動層を溶融塩電解質とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which solder included in the semiconductor device is prevented from moving when fused during or after manufacture of the semiconductor device, and the semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加

半導体装置の製造時又は製造後において、半導体装置に含まれるはんだの溶融時における移動の防止を図った半導体装置の製造方法及びその方法により製造した半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

According to the method for trimming the semiconductor device, in the semiconductor device with a polysilicon fuse 101 having a fusion portion 101a, the fusion portion 101a is fused by applying voltage to the polysilicon fuse 101, and at the same time, after predetermined time from the beginning of applying the voltage, application voltage is stopped in a state where the current flowing in the fused polysilicon fuse.例文帳に追加

半導体装置のトリミング方法は、溶断部１０１ａを有するポリシリコンヒューズ１０１を備えた半導体装置において、ポリシリコンヒューズ１０１に電圧を印加することによって溶断部１０１ａを溶融すると共に、電圧の印加開始から所定の時間の後、溶融したポリシリコンヒューズに電流が流れている状態において電圧の印加を停止する。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of an organic thin film transistor wherein the precursor of a fused polycyclic aromatic compound which has a lowered conversion temperature into an organic semiconductor material is so used and a universal resin film is so used as a base material as to form an organic semiconductor thin film made of a fused polycyclic aromatic compound and having good productivity and high mobility.例文帳に追加

有機半導体材料への変換温度を低減させた縮合多環芳香族化合物前駆体を用い、基材として汎用樹脂フィルムを用いて、生産性よく、移動度が高い縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体薄膜を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法を得ることにある。 - 特許庁

An island-shaped semiconductor layer having an opening in the thinned region is formed, the edge of the semiconductor layer around the opening is heated locally by laser beams for fusing, the fused semiconductor material flows in the opening to fill the opening.例文帳に追加

薄膜化領域に開口を有する島状の半導体層を形成し、開口周辺の半導体層端部をレーザ光により局所的に加熱することによって溶融し、溶融した半導体材料を開口に流動させ開口を充填する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a frame 1, a semiconductor chip 3 which is eutectically joined with the frame 1 with a high-fusion-point material 2, and a connector 5 which is connected to the surface of the semiconductor chip 3 via a fused conductive paste 4.例文帳に追加

フレーム１と、裏面において前記フレーム１と高融点接合材料２により共晶接合される半導体チップ３と、前記半導体チップ３表面に、硬化させた導電性ペースト４を介して接続されるコネクタ５を備える。 - 特許庁

Then, the fused mixture is combined and kneaded with an epoxy resin (A component) and an inorganic filler (C component) to give the epoxy resin composition for sealing of the semiconductor.例文帳に追加

その後、上記溶融混合物に、エポキシ樹脂（Ａ成分）および無機質充填剤（Ｃ成分）を含む残りの配合成分を配合し混練することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造する。 - 特許庁

In the reflow mounting of the semiconductor device to the mounting substrate, the re-fused solder within the sealing material enters between the Au plated film and solder resist to prevent short-circuit of electrodes at both ends of the chip component.例文帳に追加

半導体装置の実装基板へのリフロー実装において、封止体内の再溶融した半田はＡｕメッキ膜とソルダーレジスト膜の間に浸入しチップ部品の両端の電極ショートが防止できる。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal which can prevent its polycrystallization by clarifying concretely the adequate positional relationship between a heater and a fused liquid face.例文帳に追加

ヒータと融液面との適正な位置関係を具体的に明らかにすることによって、多結晶化を防止することが可能な化合物半導体単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NEW ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND LIQUID DISPERSING ELEMENT, THE METHOD INCLUDING STACKING OF SHEET CRYSTAL OF FUSED POLYCYCLIC AROMATIC COMPOUND例文帳に追加

縮合多環芳香族化合物のシート状結晶を基板上に積層することを含む新規有機半導体薄膜の製造方法、及び液状分散体 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a fuse 100 having a layer in which a plurality of fuses 26 which can be fused by irradiation of an energy beam are formed, and a circuit wiring layer 200 formed in the fuse 100.例文帳に追加

半導体装置は、エネルギービームの照射によって溶断可能な複数のヒューズ２６が形成された層を有するヒューズ部１００と、ヒューズ部１００に形成された回路配線層２００と、を有する。 - 特許庁

To provide a fuse structure for semiconductor devices and the manufacturing method thereof wherein it can be fused at a relatively low voltage and it gives no damage to its peripheral structures.例文帳に追加

比較的低電圧で溶断でき、かつ周囲の構造体に損傷を与えない半導体デバイス用ヒューズ構造体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The object to be measured consists of a stationary droplet 10 of a perfect sphere (or substantially sphere) of a stationary liquid or a metal material or semiconductor material laid in fused state.例文帳に追加

被測定対象としては、静置した液体又は金属材料や半導体材料の溶融状態等における完全球体（又はほぼ完全な球体）になった液滴１０である。 - 特許庁

To prevent the displacement of a semiconductor element to the outside of an element mounting part when solder is fused, only by changing a solder pattern without forming the same shape of soldering surface of a heat sink as the solder pattern.例文帳に追加

ヒートシンクのはんだ付け面の形状をはんだパターンと同一にすることなく、はんだパターンの変更のみで、はんだ溶融時における半導体素子の素子搭載部の外側への位置ズレを防止する。 - 特許庁

The fused semiconductor from the nozzle is irradiated with sonic wave or ultrasonic wave of excitation means 212 and, thereby, is made to be globular particles of uniform grain size in a gas phase.例文帳に追加

ノズルからの溶融半導体には、加振手段２１２の音波または超音波が照射され、これによって溶融半導体は気相中で、粒径の揃った球状粒子とされる。 - 特許庁

To provide a fused quartz glass having a low dusting property which is suitable for use in a member for manufacturing a semiconductor, a member for manufacturing a liquid crystal and a member for manufacturing a MEMS (micro-electro-mechanical system) by using plasma etching at a low cost.例文帳に追加

プラズマ・エッチンを利用する半導体製造用部材、液晶製造用部材、ＭＥＭＳ製造用部材に好適に利用可能な低発塵性の熔融石英ガラスを安価に提供する。 - 特許庁

High purity silica powder is molded into the shape of the member for semiconductor wafer etching, and is thereafter burned at the melting point or lower into ≥95% of a theoretical density, so that characteristics almost equal to those of fused silica glass can be obtained.例文帳に追加

高純度シリカ粉末を半導体ウエハエッチング用部材の形状に成形した後、融点以下の温度で理論密度の９５％以上に焼成することで溶融シリカガラスとほぼ同等の特性が得られる。 - 特許庁

Furthermore, a weight 31 of 200 g is mounted on the semiconductor chip 11 and is carried into a reflow furnace as is, and the solder bump 15 is fused to form a satisfactory joint plane between to the connecting pads, and also a resin 16 is made to cure.例文帳に追加

さらに、半導体チップ１１上に２００ｇの重り３１を載置し、このままリフロー炉内に搬入し、はんだバンプ１５を溶融させ接続用パッドとの間で良好な接合面を形成するとともに、樹脂１６を硬化させる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the organic thin film transistor, a layer containing the precursor of a fused polycyclic aromatic compound which has at least a group capable of desorbing it by a protonate and an acid generating source adjoining to the layer are so formed as to convert the layer containing the precursor of the fused polycyclic aromatic compound into a semiconductor layer by heating.例文帳に追加

プロトネートにより脱離しうる基を少なくともひとつ有する縮合多環芳香族化合物の前駆体を含有する層およびこれに接する酸発生源を形成し、加熱により前記縮合多環芳香族化合物の前駆体含有層を半導体層に変換することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

In the semiconductor device provided with fuse elements that each comprise a metal wire layer and can be fused by laser emission, each of the fuse elements 9 comprises: a fusing metal part 11 that is fused through laser emission; and surrounding metal parts 13 arranged around the fusing metal part 11 and optically surrounding the fusing metal part 11.例文帳に追加

メタル配線層からなりレーザ照射によって溶断可能なヒューズ素子を備えた半導体装置であって、ヒューズ素子９は、レーザ照射され溶断される溶断メタル部１１と、溶断メタル部１１の周囲に配置され溶断メタル部１１を光学的に囲っている周囲メタル部１３を備えている。 - 特許庁

In the production step for mounting the semiconductor device 13 on the die pad 11 through the solder material 19, the solder material 19 spreads when the semiconductor device 13 is mounted on the fused solder material 19 but the groove 14 functions as a region for blocking outflow.例文帳に追加

半導体素子１３をロウ材１９を介してダイパッド１１に実装する工程では、半導体素子１３を融解したロウ材１９上部に載置することにより、ロウ材１９は広がるが、溝１４が流出を防止する阻止領域として機能する。 - 特許庁

A fuse F constituted of a conductive layer (for example, a multi-crystal silicon layer) is arranged in a circuit 2 formed on a semiconductor substrate, and currents are supplied to the fuse F so that the fuse F can be fused, and that the characteristics or constitution of the circuit 2 can be changed in this semiconductor device.例文帳に追加

半導体基板に形成された回路２内に導電層（たとえば、多結晶シリコン層）からなるフューズＦを有し、当該フューズＦに電流を供給し溶断させて回路２の特性または構成を変更可能な半導体装置である。 - 特許庁

When a plurality of wiring substrates including a semiconductor device mounted thereon are stacked and integrally fused, a perforated wiring substrate 3 having an opening 16 formed therein for accommodating the semiconductor device is used, the planar shape of the opening 16 not having 5 or more recesses 10.例文帳に追加

半導体装置を搭載した配線基材を含む複数の配線基材を積層・融着一体化する際に、半導体装置を収納するために形成された開口部１６の平面形状が５箇所以上の凹み部１０を持たない図形である穴明き配線基材３を用いる。 - 特許庁

To prevent a tip part of the probe needle from being fused or broken by confirming a state of contact between a probe needle and a pad prior to an actual test and measurement, in a method of testing and measuring a semiconductor device and a device for testing and measuring the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の試験測定方法及び半導体装置の試験測定装置に関し、実際の試験測定に先立ってプローブ針とパッドとの接触状態を確認して、プローブ針の先端部の溶断や破損を防止する。 - 特許庁

In the production process for mounting the semiconductor device 13 through the brazing material 19, the brazing material 19 flows out from a first plating film 14A when the semiconductor device 13 is mounted on the fused brazing material 19, but the second plating film 14B functions as a region for preventing outflow.例文帳に追加

半導体素子１３をロウ材１９を介してダイパッド１１に実装する工程では、半導体素子１３を融解したロウ材１９上部に載置することにより、ロウ材１９が第１のメッキ膜１４Ａから流出するが、第２のメッキ膜１４Ｂが流出を防止する阻止領域として機能する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, which enable self-alignment, facilitate manufacturing, and enable low-temperature bonding, since a bump arranged between semiconductor chips is fused by having four entire circumferences of a semiconductor chip irradiated with a laser beam at the same time as after the semiconductor chips are stacked, and electronic equipment.例文帳に追加

半導体チップを積層した後、半導体チップの４つの全周囲から同時にレーザ光を照射して半導体チップ間に配設したバンプを溶融するためにセルフアライメントができるとともに、製造が容易となり、かつ、低い温度で接合ができる半導体装置及びその製造方法、ならびに電子機器を提供する。 - 特許庁

A crystal semiconductor particle 101 can be produced by repeating a step for introducing a base plate 102 mounting a large number of semiconductor particles 101 on the upper surface into a heating furnace and thermally fusing the semiconductor particles 101, and a step for solidifying the fused semiconductor particles 101 while directing upward from the base plate 102 side two times or more.例文帳に追加

上面に多数個の半導体粒子101を載置した台板102を加熱炉内に導入し、半導体粒子101を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子101を台板102側から上方に向けて固化させる工程とを、２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子101とする結晶半導体粒子の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor film 3 formed on the substrate 2 is irradiated with laser light 21 in a non-oxidative processing atmosphere containing hydrogen gas 31 and while a temperature of the substrate 2 is held not higher than a fusion point, the semiconductor film 3 is heated to not lower than 1,000°C to be fused, and then solidified to crystallize the semiconductor film 3.例文帳に追加

水素ガス３１を含み且つ非酸化性の処理雰囲気中で基板２上に形成された半導体膜３にレーザ光１を照射し、基板２の温度を融点以下に保持したまま、半導体膜３を１０００℃以上に加熱して溶融させその後凝固させることにより、半導体膜３を結晶化させる。 - 特許庁

When a first semiconductor substrate having element regions arranged two-dimensionally and a second semiconductor substrate having connecting regions arranged two-dimensionally at the same pitch as the element regions are faced each other and the opposite element regions and connecting regions are connected by means of connecting conductors, a force is applied in the direction for separating the first and second semiconductor substrates under the condition where the connecting conductors are fused.例文帳に追加

素子領域が二次元に配列された第１の半導体基板と、素子領域と同じピッチで二次元に配列された接続領域を有する第２の半導体基板を対向させて、接続導体によって互いに対向する素子領域と接続領域とを接続する際に、接続導体を溶融した状態で、第１の半導体基板と第２の半導体基板の間隔が離れる方向に力を作用させる。 - 特許庁

Next, making the cylindrical pellets 8 as a sealing resin composition mounted between the plurality of semiconductor elements 5 heated and fused, the sealing resin composition in the fusing state is filled up in a void between the wiring circuit substrate 2 and the plurality of semiconductor elements 5 and cured, and each void formed with the wiring circuit substrate 2 and the plurality of semiconductor elements 5 is resin-sealed.例文帳に追加

ついで、封止用樹脂組成物である円柱状のペレット８を上記複数の半導体素子５の間に載置して加熱溶融することにより、上記配線回路基板２と上記複数の半導体素子５との空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂組成物を充填し硬化させ、上記配線回路基板２と複数の半導体素子５で形成される個々の空隙をそれぞれ樹脂封止する。 - 特許庁

This epoxy resin composition for semiconductor sealing use is characterized by essentially comprising an epoxy resin, a phenolic resin, a curing accelerator, an inorganic filler, a fused spherical silica or talc coated with zinc molybdate, and zinc borate.例文帳に追加

エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、無機充填材、モリブデン酸亜鉛で被覆された溶融球状シリカ、又はモリブデン酸亜鉛で被覆されたタルク、及びほう酸亜鉛を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an array type semiconductor laser device that improves a process for joining metal in a laser array and a base efficiently, and can solve a short-circuiting problem by a metal junction substance fused in the junction.例文帳に追加

レーザーアレイとベースの金属接合工程を効率的に改善し、さらには接合の際の溶融された金属接合物質によるショート問題を解決することができるアレイ型半導体レーザー装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, the epoxy resin composition for sealing of the semiconductor containing the epoxy resin (A component), a fused mixture (B component) of the above mentioned curing agent and the triazinethiol shown by the general formula (1) and the inorganic filler (C component).例文帳に追加

これにより、エポキシ樹脂（Ａ成分）、上記硬化剤と一般式（１）で表されるトリアジンジチオール化合物の溶融混合物（Ｂ成分）および無機質充填剤（Ｃ成分）を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られる。 - 特許庁