gate turn‐offの英語

To provide a J-FET which can sufficiently turn off by a negative gate bias of a few volts and reduce the capacitance between the gate and drain.例文帳に追加

数Vの負のゲートバイアスで十分オフ状態を実現でき、さらにゲート/ドレイン間の容量を低減できるJFETの提供する。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit for insulated gate semiconductor switching element that can effectively reduce the surge voltage and turn-off loss generated, when semiconductor switching element is turned off.例文帳に追加

半導体スイッチ素子がターンオフする際に発生するサージ電圧とターンオフ損失を、効果的に低減できるようにする。 - 特許庁

To provide an insulated gate transistor driving circuit device capable of making the gate discharge transistor rapidly turn off with a simple circuit.例文帳に追加

簡素な回路によりゲート放電トランジスタのオフを早期化可能な絶縁ゲート型トランジスタ駆動回路装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a driving circuit of an insulated gate semiconductor device capable of suppressing turn-on surges and turn-off surges.例文帳に追加

ターンオンサージやターンオフサージを抑制できる絶縁ゲート型の半導体装置の駆動回路を提供する。 - 特許庁

In this memory display period (period B), a gate-off voltage is applied to turn off the TFT.例文帳に追加

このメモリ表示期間（期間Ｂ）中、ＴＦＴをオフ状態にするためにゲートオフ電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises an insulating-gate transistor capable of reducing a turn-off time.例文帳に追加

ターンオフ時間を短くすることが可能な絶縁ゲート型トランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which includes a trench gate IGBT having a low on-state voltage and high-speed turn-off characteristics.例文帳に追加

低オン電圧且つ高速ターンオフ特性のトレンチゲート型ＩＧＢＴを含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

Utilizing a point that full main circuit current iA commutates to a gate driving circuit 2 during its turn-off operation in the GCT thyristor element 1, gate current iG is measured with an off-gate current detecting circuit 25 after the start of turn-off operation to monitor the main circuit current.例文帳に追加

ＧＣＴサイリスタ素子１ではそのターンオフ動作中に主回路電流ｉＡの全てがゲート駆動回路２へ転流する点を利用して、ターンオフ開始後にゲート電流ｉＧをオフゲート電流検出回路２５で測定し、主回路電流をモニターする。 - 特許庁