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gaussian profileとは 意味・読み方・使い方
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「gaussian profile」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
Further the beam has a Gaussian profile narrowed into 35-micron waist and lies along the flow direction.例文帳に追加
ビームは、３５ミクロンのウエストに狭窄され、かつ流れ方向に沿うガウスプロファイルを有する。 - 特許庁
Furthermore, the beam includes a Gaussian profile which is narrowed into a 35-micron waist and lies along the flow direction.例文帳に追加
ビームは、３５ミクロンのウエストに狭窄され、かつ流れ方向に沿うガウスプロファイルを有する。 - 特許庁
In a 3rd step S3, a Gaussian curve is fitted to the measured edge roughnesses and line widths, and the distribution width of the Gaussian curve is obtained as the blur value of an artificial beam profile.例文帳に追加
第３ステップＳ３において、エッジラフネスと線幅とにガウス関数をフィッティングさせ、このガウス関数の分布幅を、擬似ビームプロファイルのボケ量として得る。 - 特許庁
To provide a new semiconductor laser device, and a determining method of new coupling efficiency of the semiconductor laser device which is a non-gaussian profile, further, a method of coupling the semiconductor laser device which is the non-gaussian profile with a light-receiving section receiving a laser beam in a high yield.例文帳に追加
新規な半導体レーザ素子また、非ガウシアン分布である半導体レーザ素子の新規な結合効率を求める方法、さらには非ガウシアン分布である半導体レーザ素子とレーザ光を受光する受光部とを歩留良く結合させる方法を提供する。 - 特許庁
That is, by preliminarily designing the diffraction angles of the hologram element 12, the Gaussian profile of the laser light is controlled to obtain constant illumination distribution on the objective part 14 for illumination.例文帳に追加
すなわち、ホログラム素子１２の回折角を予め設計することにより、レーザ光のガウシアンプロファイルを調整して被照射部１４で照度分布が一定となるようにする。 - 特許庁
It is advantageous for facilitating data analysis, to select a horizontal space profile of an initial pump beam 10 in the sample 6, in such a way as to be axially symmetric as in the case of a Gaussian spot.例文帳に追加
試料６における初期ポンプビーム１０の水平空間プロファイルはデータ解析を容易にするために、例えばガウス（Ｇａｕｓｓｉａｎ）スポットの場合のように軸対称であるように選ぶと有利である。 - 特許庁
Further, on this occasion, the beam having a Gaussian type beam profile passes through an aspherical lens specially manufactured as a condensing lens 14 by an optical design and changes to a substantially conical type beam profile so that irradiation is performed to the polyimide film surface.例文帳に追加
またこのとき、ガウシアン型のビームプロファイルをもつビームを、集光レンズ１４として専用に光学設計して製作した非球面レンズを通過させることにより、略円錐形状のビームプロファイルに変更してポリイミドフィルム表面に照射する。 - 特許庁
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「gaussian profile」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
The laser annealing method is characterized in that: an energy profile in the direction of the minor axis of a rectangular beam is made homogeneous in the direction of the minor axis compared with a Gaussian shape; and the energy profile has a region where energy density continuously or gradually increases backward from the front of the beam scanning direction.例文帳に追加
矩形状ビームの短軸方向のエネルギープロファイルを、ガウシアン形状と比較して短軸方向に均一化し、エネルギー密度がビーム走査方向前方から後方に向って連続的又は段階的に増大する領域を有するものとする。 - 特許庁
A laser beam transmitter uses YAG-FHG (wavelength 266nm), pulse width 15n second, beam diameter ϕ20μm, a Gaussian type beam profile, fluence 1.8μJ/pulse, and a single irradiation is performed to each place and the inclined face is created on the polyimide film surface.例文帳に追加
ＹＡＧ−ＦＨＧ（波長２６６ｎｍ）、パルス幅１５ｎ秒、ビーム径φ２０μｍ、ビームプロファイルはガウシアン型のものを用い、フルエンス１．８μＪ／パルス、１箇所当たりに１パルスの照射を行い、ポリイミドフィルム表面に傾斜面を作成する。 - 特許庁
A strip neutral density filter varies the Gaussian intensity profile of the modulated light beam in the overfilled raster output scanner to provide a generally uniform intensity light beam spot at a photosensitive medium.例文帳に追加
オーバーフィルされたラスタ出力スキャナにおいて、ストリップニュートラルデンシティフィルタによって変調された光ビームのガウス型強度プロファイルを変化させ、感光性媒体において強度が概ね均一な光ビームのスポットを提供する。 - 特許庁
The shape of a crystallization laser in the width direction (minor axis direction) for reforming an a-Si film or a microcrystalline silicon film 104 on a substrate 101 into a band-shaped crystalline silicon film (SELAX crystalline silicon film) 105 is changed to have a profile asymmetrically tilted from a symmetrical Gaussian shape by combining four continuous oscillation lasers with an optical system.例文帳に追加
基板１０１上のa‐Ｓｉ膜あるいは微結晶シリコン膜１０４を帯状結晶シリコン膜（ＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜）１０５に改質するための結晶化レーザの幅方向（短軸方向）形状を、４本の連続発振レーザを光学系で結合して左右対称のガウシアン形状から非対称に傾きを持ったプロファイルとする。 - 特許庁
Impurity concentration in the channel region 30 of an MOS transistor is set higher at the end of a surface depletion layer 26 than on the surface of a semiconductor substrate 20 by providing an impurity concentration profile of linear or higher order function or Gaussian distribution.例文帳に追加
ＭＯＳトランジスタのチャネル領域３０における不純物濃度を、深さ方向に対して１次以上の関数や、ガウス分布状などの形状を有する不純物濃度プロファイルを持たせて、半導体基板２０表面における不純物濃度よりも、表面空乏層２６端における不純物濃度を高くすることを特徴としている。 - 特許庁
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