graded structureとは 意味・読み方・使い方

The turbine component 10 can be compositionally-graded through at least a portion of its structure.例文帳に追加

タービン構成部品（１０）は、その構造の少なくとも一部分を通して組成上漸変させることができる。 - 特許庁

To provide a composite structure having components with a graded coefficient of thermal expansion (CTE) so as to connect two structures with a very different CTE, and to provide a method for producing a composite structure with the graded CTE.例文帳に追加

非常に異なる熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する２つの構造を接続するため傾斜分布ＣＴＥを有する構成成分を備えた複合構造と、傾斜分布ＣＴＥ複合構造の生成方法を提供する。 - 特許庁

The casting mold 10 suitable for directional solidification processes using a liquid cooling bath includes a graded facecoat structure 12 on a mold body.例文帳に追加

冷却浴を用いる方向性凝固プロセスに適した鋳造用鋳型１０は鋳型本体上に傾斜フェースコート構造体１２を含んでいる。 - 特許庁

To provide a method for hot-dip galvanizing a steel graded to have a very high content of hardening elements, in a furnace having a conventional structure.例文帳に追加

非常に高含有量の硬化元素を有する等級の鋼が、従来構造の炉中での熱浴亜鉛めっき（hot-dip galvanizing）される方法を提供する。 - 特許庁

Dairyu SAKURAGAWA (his real name: Torakichi NISHIZAWA, 1809 - March 29, 1890) was Soke (the owner of the highest-graded patches of land under the stratified land ruling structure of Shoen, the same as Honke in this manner) of Koshu ondo (the folk dance around Shiga prefecture).発音を聞く 例文帳に追加

桜川大龍（さくらがわだいりゅう、本名：西沢寅吉、文化(元号)6年（1809年）-明治23年（1890年3月29日）は江州音頭の宗家。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

And some ryokes donated to more powerful aristocrats such as Imperial Families or sekkan-ke and the highest ranking lord of shoen was called honke (the owner of the highest-graded patches of land under the stratified land ruling structure of shoen).発音を聞く 例文帳に追加

さらに領家から、皇族や摂関家などのより有力な貴族へ寄進されることもあり、最上位の荘園領主を本家（ほんけ）といった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An antireflection film 2 of a multilayer structure is formed by sputtering on the end face as an entrance face or an exit face of the graded index lens 1.例文帳に追加

屈折率分布型レンズ１の入射面或いは出射面となる端面には多層構造の反射防止膜２がスパッタリング法にて形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser device having the buried-hetero structure is manufactured by burying both sides of a mesa structure by a Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and subsequently by a Ru-doped InGaP graded layer 303 whose composition is graded from InGaP to InP, and then, by a Ru-doped InP layer 304.例文帳に追加

埋め込みヘテロ構造を有する半導体レーザ素子は、メサ構造の両側をＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２で埋め込み、続いてＩｎＧａＰからＩｎＰへ組成が傾斜するＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３で埋め込んだ後、ＲｕドープＩｎＰ層３０４で埋め込むことによって作製される。 - 特許庁