group 1 elementとは 意味・読み方・使い方

Current-carrying capability of the address element (26b) of the first group is larger than current-carrying capability of the address element (26a) of the second group.例文帳に追加

第1のグループのアドレスエレメント(26b)の通電能力は、第2のグループのアドレスエレメント(26a)の通電能力よりも大きい。 - 特許庁

The 1st light branching element has a 1st input port 10a and a 1st output port group 10b and the 1st output port group is composed of a plurality of one-dimensionally arranged 1st output ports (10b-1 to 10 b-n).例文帳に追加

第1光分割素子は、第1入力ポート10aと第1出力ポート群10bとを有しており、第1出力ポート群は1次元状に配列された複数の第1出力ポート（10b-1乃至10b-n）から成っている。 - 特許庁

In the group 13 nitride semiconductor nanoparticles, the particle diameter distribution of the group 13 nitride semiconductor nanoparticles is ≤50% by the coefficient of variation, and the ratio in the number of atoms between the group 13 element(s) and nitrogen, (the group 13 element(s): nitrogen) is 1:0.95 to 1:1.05.例文帳に追加

１３族窒化物半導体ナノ粒子の粒径分布が変動係数で５０％以下であり、１３族元素と窒素の原子数の比（１３族元素：窒素）が１：０．９５〜１：１．０５である。 - 特許庁

The element is one kind or more selected from the group consisting of Cu, Ag, Zn, La, Ce, Mn, Co, Ni, Fe and a mixed rare earth element.例文帳に追加

前記元素がCu,、Ag、Zn、La、Ce、Mn、Co、Ni、Fe、混合希土類からなる群から選ばれる1種以上である。 - 特許庁

Impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 using an ion implanter and then impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。 - 特許庁

Here n is 1 to 3, M is a 13th group element (such as, B, Al), X an electron-attracting group (such as, OCOCF_3) and Y an oligo-ether group.例文帳に追加

ｎは１〜３、Ｍは１３族元素（Ｂ，Ａｌ等）、Ｘは電子求引性基（ＯＣＯＣＦ_３等）、Ｙはオリゴエーテル基である。 - 特許庁

(2) The light-emitting element uses the group 3-5 compound semiconductor of the above description (1).例文帳に追加

〔２〕前記〔１〕記載の３−５族化合物半導体を用いた発光素子。 - 特許庁

In the general formula (1), A expresses an element other than hydrogen, or a group.例文帳に追加

上記一般式（１）において、Ａは水素以外の元素又は基を表わす。 - 特許庁