helicon plasmaとは 意味・読み方・使い方

The material gas is preferably supplied in the form of high density plasma excited by electron beam excited plasma method, high frequency parallel plate plasma method, high frequency plasma method employing rudder-like discharge electrodes, electron cyclotron resonance plasma method, induction coupling plasma method, or helicon wave plasma method.例文帳に追加

原料ガスはプラズマ化して供給することが望ましく、プラズマの励起法としては電子ビーム励起プラズマ法、高周波平行平板プラズマ法、ラダー状の放電電極を用いた高周波プラズマ法、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法、誘導結合型プラズマ法あるいはヘリコン波プラズマ法等の高密度プラズマを用いることを特徴とする。 - 特許庁

In this plasma treatment device, performing plasma treatment by introducing helicon waves into a workpiece W arranged inside a treatment vessel 14, the inside of each of vacuum vessels 11a and 11b for generating the helicon wave is divided into a plurality of sections by means of a wall face parallel to a magnetic field direction 20.例文帳に追加

処理容器１４内に配置されている被処理物Wにヘリコン波を導入することによりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、ヘリコン波が発生する真空容器１１a、１１ｂの内部を磁場の方向２０と平行な壁面により複数に分割するプラズマ処理装置。 - 特許庁

To generate plasma in a large area, to clarify the plasma boundary end face and to allow the position selection of a process material such as a substrate in a plasma generator exciting the wave motion of the helicon wave or slow wave propagating along the external magnetic field shown by the magnetic lines of force on the antenna side with an antenna.例文帳に追加

アンテナ側磁力線９で示す外部磁場に沿って伝播するヘリコン波やスロー波等の波動をアンテナ３で励起するプラズマ発生装置において、プラズマ６を大面積化し、プラズマ境界端面を明確化し、基板等の処理材料１１の位置選択を可能にすること。 - 特許庁

To provide a substrate cleaning apparatus for efficiently cleaning a cleaned place by obliquely irradiating a substrate with Helicon wave plasma.例文帳に追加

本発明は、基板に対してヘリコン波プラズマを斜めから照射して洗浄箇所を効率的に洗浄できるようにした基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide an ultrafine particle thin film forming device using helicon plasma capable of substantially changing a grain size of the ultrafine particle, producing high yield of the ultrafine particles, and controlling film forming range on a substrate.例文帳に追加

超微粒子の粒径を大幅に変えることができしかも超微粒子の収率のよく、また基板上の成膜範囲を制御できるヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oxide thin film transistor element, wherein an etching process condition is optimized by using specific etching gas through a helicon plasma dry etching process and etching selectivity is improved.例文帳に追加

特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An orifice 25 is bored by means of oxygen plasma 33 using a helicon wave etching system and O2 gas for processing and a Ti oxide film 32-2 is formed, as a hydrophilic region 28, on the surface of the Ti film 32.例文帳に追加

ヘリコン波エッチング装置と処理用Ｏ_2 ガスを用い、酸素プラズマ３３によるオリフィス２５の孔空けを行なうと共にＴｉ膜３２表面に酸化Ｔｉ膜３２−２を形成し、これを親水性領域２８とする。 - 特許庁

To provide an ultra-fine particle thin film deposition apparatus using helicon plasma which is capable of considerably changing the grain size of ultra-fine particles, excellent in yield of the ultra-fine particles, and capable of controlling the film deposition range on a substrate.例文帳に追加

超微粒子の粒径を大幅に変えることができしかも超微粒子の収率のよく、また基板上の成膜範囲を制御できるへリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁