in situ etchingとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of etching on a processing platform (e.g. a cluster tool) in which robust pre-etch and post-etch data may be obtained in-situ.例文帳に追加

本発明は、粗いエッチング前及びエッチング後のデータがその場所で得られる処理台(例えば、クラスターツール)においてエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

This textured surface and the oxidized layer coating on a metal material is attained by a chemical and/or electrochemical surface etching, and an in-situ surface oxidation method, of modifying a texture of the surface.例文帳に追加

金属材料上のテクスチャ加工表面および酸化層コーティングが、表面のテクスチャを改質する、表面の化学的および／または電気化学的エッチング、ならびに現場酸化方法により達成される。 - 特許庁

The present invention describes an interferometric method and an apparatus for in-situ monitoring of a thin film thickness and of etching and deposition rates of the thin film using a flash lamp providing a high instantaneous power pulse and having a wide spectral width.例文帳に追加

高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。 - 特許庁

The present invention describes an interferometric method and an interferometric apparatus for in-situ monitoring of a thin film thickness and of etching and deposition rates of the thing film using a flash lamp 35 providing a high instantaneous power pulse and having a wide spectral width.例文帳に追加

高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプ３５を用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor element is so constituted as to apply reflection coatings to its end surfaces In-Situ after removing micro-lacks caused by its cleavage from its end surfaces by the etching of using a low-energy ion beam.例文帳に追加

窒化物半導体ではその強固な結晶構造から、ＧａＡｓやＩｎＰ系で採られていた対策の一つである不純物拡散などによる窓構造の形成が困難であった。 - 特許庁

While the etched layer 23 is etched, the etching condition (condition of a spreading etched area EA formed on the etched layer 23) of the etched layer 23 can be observed in situ by the CCD camera 6.例文帳に追加

被エッチング層２３がエッチングされている最中に、ＣＣＤカメラ６により被エッチング層２３に対するエッチング処理の進行状況（被エッチング層２３に形成されるエッチングエリアＥＡの広がり状況）がｉｎ−ｓｉｔｕ 観察される。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁