insulating passivation layerとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor chip 1 further includes an interlayer insulating film 90 and a passivation film 2, and respective side surfaces of the interlayer insulating film 90 and the passivation film 2 are covered with the sealing resin layer 5 that gets into the trench 11.例文帳に追加

また、半導体チップ１は、層間絶縁膜９０やパッシベーション膜２をさらに含んでおり、層間絶縁膜９０やパッシベーション膜２の各側面は、溝１１に入り込んだ封止樹脂層５に被覆されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the TFT LCD pixel unit, in addition to formation of a first insulating layer (gate insulating layer) and a passivation layer, a second insulating layer is adopted to cover a gate island and an opening part is formed such that a channel region, a source region and a drain region of the TFT are exposed on the gate island.例文帳に追加

第一の絶縁層（ゲート絶縁層）及びパッシベーション層を形成する事に加えて、第二の絶縁層でゲート・アイランドが覆われ、ゲート・アイランド上にＴＦＴのチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域が露出されるように開口部を形成する。 - 特許庁

The insulating layer 30 is formed on the passivation film so that a through-hole 32 that overlaps the opening 18 is formed.例文帳に追加

絶縁層３０には、パッシベーション膜１８上に設けられてなり、開口１８とオーバーラップする貫通穴３２が形成されてなる。 - 特許庁

Part of the protective film (inter-layer insulating film 40 and passivation film 60) is removed by etching and an opening 61 is formed.例文帳に追加

保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）の一部がエッチングにより除去されて開口部６１が形成されている。 - 特許庁

An insulating resin layer 4 is formed on the passivation film 3 and an opening 6 is made above the electrode 2.例文帳に追加

パッシベーション膜３上に絶縁性樹脂層４が形成されており、電極２の上方には開口部６が形成されている。 - 特許庁

An insulating film comprising a gate insulating film GI and a passivation film PAS is formed on an upper layer of a gate wiring GL and a wiring inspection terminal GL-P to be a wide width part.例文帳に追加

ゲート配線ＧＬと幅広部である配線検査用端子ＧＬ−Ｐの上層には、ゲート絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＡＳからなる絶縁膜が形成される。 - 特許庁

A source electrode 7 formed with a source pad 7A is formed on a gate insulating film 3, first-third contact holes 20, 30, 40 are appropriately formed on a passivation layer 9 which is formed on the source electrode 7 and on the gate insulating film 3, and a pixel electrode 6 is formed from a transparent electrode layer which is provided on the passivation layer 9.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３の上にソースパッド７Ａが形成されたソース電極７を形成し、ソース電極７の上に形成したパッシベーション層９とゲート絶縁膜３に第１〜第３コンタクトホール２０、３０、４０を適宜形成し、パッシベーション層９上に設けた透明電極層にて画素電極６を形成する。 - 特許庁

An opening 36 is etching- formed so as to be put through the passivation layers 32 and the insulating layers 16, and the photoresist and the conductive layer are used as a mask, in this case.例文帳に追加

該パッシベーションと絶縁層を貫通して開口をエッチング形成し、その場合にホトレジスト及び導電層がマスクとして作用する。 - 特許庁