intermediate growthとは 意味・読み方・使い方

BUTENOLIDE COMPOUND, ITS APPLICATION AS PLANT GROWTH PROMOTOR AND ITS PRODUCTION INTERMEDIATE例文帳に追加

ブテノリド化合物及びその植物生長促進用途、並びにその製造中間体 - 特許庁

To provide an intermediate film for laminated glass, which can provide the laminated glass capable of suppressing generation and growth of foaming; and to provide a multilayer intermediate film for the laminated glass, using the intermediate film.例文帳に追加

発泡の発生及び発泡の成長を抑制できる合わせガラスを得ることができる合わせガラス用中間膜、並びに該中間膜を用いた合わせガラス用多層中間膜を提供する。 - 特許庁

The growth of intra-regional trade was driven by intermediate goods in the goods sector and electronic machinery in the products sector.例文帳に追加

域内貿易をけん引したのは財別では中間財であり、品目別では電気機械製品であった。 - 経済産業省

Moreover, this method has the advantage that the process of the loading of the sapphire substrate into a reactor, the growth of the GaN intermediate layer, the growth of the GaN thick film and the discharge of the GaN thick film from the reactor after the growth can continuously performed.例文帳に追加

またこの方法は、反応器内にサファイア基板の装着からＧａＮ中間層の成長、ＧａＮ厚膜の成長、成長後反応器からＧａＮ厚膜を取り出す工程が連続的になされる利点もある。 - 特許庁

To provide a method for performing an intermediate growth of algae as a method for treating a member for growth, performing the intermediate growth of the algae, attached to an anchor member sunk for installation in the bottom of the sea as freely detachable and forming algae-propagating reef together with the anchor member.例文帳に追加

藻類の中間育成を行い、海底に沈設されるアンカー部材に着脱可能に取り付けてアンカー部材と共に藻場増殖礁を形成するための育成部材の取り扱い方法として、海中において極めて効率的に藻類の中間育成を行うことができるようにした方法を提供する。 - 特許庁

An intermediate layer 2, a buffer layer 3, a channel layer 4, and a barrier wall layer 5 are stacked on a substrate 1 sequentially by epitaxial growth.例文帳に追加

中間層２、バッファ層３、チャネル層４および障壁層５は、順に、エピタキシャル成長により、基板１に積層される。 - 特許庁

A seed crystal film 5 comprising a group III nitride single crystal is formed on the intermediate layer 3 by a vapor-phase growth method.例文帳に追加

中間層３上に、ＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜５を気相成長法によって形成する。 - 特許庁

By growing a group III nitride-based intermediate layer I1 only on convex portions P of a growth barrier layer 1, a strain suppression layer I2 which will be grown on the group III nitride-based intermediate layer I1 grows relatively well.例文帳に追加

成長障壁層１の凸部Ｐのみに三族窒化物系中間層Ｉ１を成長させると、この上に成長する歪抑制層Ｉ２は比較的良好に成長する。 - 特許庁