To obtain a semiconductor device for improving operation efficiency even if it is used as a power amplifier by sufficiently reducing not only an offset voltage but a knee voltage.例文帳に追加

オフセット電圧だけでなくニー電圧も十分に低減して、電力増幅器として用いた場合の動作効率を向上させることができる半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a device structure for a semiconductor device containing highly reliable hetero-bipolar transistor which can realize a sufficient reduction of knee voltage (Vk) and facilitate base contact formation.例文帳に追加

信頼性に優れたヘテロバイポーラトランジスタを含む半導体装置において、ニー電圧（Ｖk）の十分な低減を可能としながら、ベースコンタクト形成が容易であるデバイス構造を提供すること。 - 特許庁

At the point when the output level at a normal output side exceeds the specific knee voltage, the picture signal can be switched to be output from the row not to be read out.例文帳に追加

通常出力側の出力レベルが特定のニー電圧を越えた時点で出力を読み出されない列に切り替える動作を行うことができる。 - 特許庁

To provide a solid state imaging apparatus in which substrate voltage dependency of photodiode saturation signal amount and inclination of knee characteristics are suppressed while achieving low smear.例文帳に追加

フォトダイオード飽和信号量の基板電圧依存性及びニー特性の傾きを抑制し、かつ低スミアを実現した固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A gain value lower than setting gain of normal operation is applied to the column amplifier in the row not to be read out, and the picture signal is being offset by a specific knee voltage to be output.例文帳に追加

読み出されない列のカラムアンプに通常動作の設定ゲインより低いゲイン値を設定し特定のニー電圧分だけオフセットして出力をさせる。 - 特許庁

A controller 34 controls the reference read-out voltage at the imaging portion based on the brightness information on the important object detected by the detector, and determines a first knee point.例文帳に追加

制御部３４は、検出部により検出された重要被写体の輝度情報に基づき、撮像部の前記基準読み出し電圧を制御し、第１のニーポイントを決定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a heterojunction bipolar transistor capable of suppressing the deterioration of basic transistor characteristics such as deterioration of injection efficiency from an emitter layer to a base layer caused by increase of emitter resistance, deterioration of withstand voltage between the base layer and a collector layer, and deterioration of reliability caused by defective introduction while reducing an offset voltage and a knee voltage of the heterojunction bipolar transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタのオフセット電圧ならびにニー電圧を低減しながら、エミッタ抵抗の上昇によるエミッタ層からベース層への注入効率の低下、ベース層とコレクタ層の間の耐圧の劣化、または欠陥導入による信頼性低下などの基本的なトランジスタ特性の悪化を抑制できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Instead of determining the knee voltage, calibration sheets can be generated for various values of the actuator, the best sheet with the least actuator value is selected, and the AC charging actuator is set to the value corresponding to the best sheet.例文帳に追加

膝電圧を決定するのではなく、アクチュエータの種々の値に対して校正シートを作製することができ、最小のアクチュエータ値をもつ最良のシートが選択され、ＡＣ荷電アクチュエータは、その最良のシートに対応する値にセットされる。 - 特許庁

To inhibit lowering of an increase in an operation, the operation by a large current and a current gain, increase in a Knee voltage due to the increase in an element resistance, and occurrence of a king phenomenon in I-V characteristics or the like, and to elevate a mobility while making a base resistance lower than a GaAsSb single base, in a hetero-junction bipolar transistor.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、高速化，大電流動作化，および電流利得の低下，素子抵抗増加によるＫｎｅｅ電圧の増加，Ｉ−Ｖ特性におけるキング現象の発現などを抑制すると共に、ベース抵抗をＧａＡｓＳｂ単一ベースに比べ低くしながら移動度を高くすることを目的とする。 - 特許庁