lattice coefficientとは 意味・読み方・使い方

To provide a method and device for updating the reflection coefficient which can be used for reducing the number of division calculations required for updating the reflection coefficient of a lattice type filter and for allowing the lattice type filter to be used to identify the characteristics of an unknown system.例文帳に追加

本発明の目的は、ラティス型フィルタの反射係数の更新に必要な除算回数を減らし、且つ、ラティス型フィルタが未知系の特性を同定することに使用できる反射係数の更新方法及び更新装置を提供することである。 - 特許庁

A tap coefficient conversion section 203 uses the backward reflection coefficient generated by the lattice filter 201 to generate a conversion matrix and generates a tap coefficient applicable to a transversal filter through a matrix arithmetic operation using the tap coefficient calculated by the tap coefficient calculation section 202 and the conversion matrix.例文帳に追加

タップ係数変換部２０３は、ラティスフィルタ２０１により生成された後向き反射係数を用いて変換行列を作成し、タップ係数計算部２０２により算出されたタップ係数と上記変換行列とを用いた行列演算により、トランスバーサル形フィルタに適用可能なタップ係数を生成する。 - 特許庁

In the p-type semiconductor layer 103, at least one of a lattice constant and a coefficient of thermal expansion differs from that of the silicon substrate 101.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０３は、シリコン基板１０１に対して格子定数および熱膨張係数のうち少なくとも１つが異なる。 - 特許庁

Thereby dislocation generated based on a lattice constant difference or thermal expansion coefficient difference can be prevented and thus the superior quality of inexpensive compound semiconductor substrate can be obtained.例文帳に追加

よって、格子定数差や熱膨張率差に基づいて発生する転位を防ぎ、良質で安価な化合物半導体基板を作ることができる。 - 特許庁

When the lattice mismatching coefficient is lower than -0.20%, the n-type Al_xIn_zP current block layer 50 alleviates the lattice for the n-type GaAs substrate 41 and the p-type Al_xGa_yIn_zP second clad layer 45 in order to eliminate the effect of distortion.例文帳に追加

尚、上記格子不整合率が−０.２０％よりも下の場合には、ｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０がｎ型ＧaＡs基板４１およびｐ型Ａl_xＧa_yＩn_zＰ第２クラッド層４５に対して格子緩和して歪みの効果が無くなる。 - 特許庁

To provide an improved method for growing a growth layer on a substrate where the thermal expansion coefficient and/or lattice constant of the layer is largely different from that of the substrate.例文帳に追加

基板上に、熱膨張係数及び／又は格子定数がその基板と大幅に相違する成長層を成長させるための改良された方法を提供すること。 - 特許庁

A lattice mismatching coefficient of an n-type Al_xIn_zP current block layer 50 for an n-type GaAs substrate 41 is set to the uniform value of -0.10% within the n-type Al_xIn_zP current block layer 50.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板４１に対するｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０の格子不整合率を、ｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０内で一様に−０.１０％とする。 - 特許庁

To suppress defects by suppressing a crack due to a thermal expansion coefficient difference and lattice constant difference of a growing III-V compound semiconductor layer and a substrate crystal.例文帳に追加

成長するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。 - 特許庁