lattice compressionとは 意味・読み方・使い方

There is provided the syndiotactic polystyrene-based resin film in which a ratio of the number of peeled lattice cells to all the number of lattice cells is 20% or less in a grid peel test in thermo-compression bonding to a copper sheet at 200°C and 50 kgf/cm^2 and for one minute.例文帳に追加

２００℃、５０ｋｇｆ／ｃｍ^２、１分間で銅板に熱圧着したときの碁盤目剥離試験において、全マス数に対し剥離したマス数が２０％以下であるシンジオタクチックポリスチレン系樹脂フィルム。 - 特許庁

Two compression upper chords 1 are arranged at intervals, and sections among both upper chords 1 are connected at intervals as connecting materials 2 and a lattice-shaped upper chord section is constituted.例文帳に追加

２本の圧縮上弦材１を間隔を空けて並べ、両者間を連結材２である間隔ごとに連結して梯子状上弦部を構成する。 - 特許庁

Herein, since silicon is narrower in a lattice interval than SiC, the silicon layer 16 is given compression distortion in parallel to the principal surface of the silicon substrate 10.例文帳に追加

この場合、シリコンはＳｉＣよりも格子間隔が狭いため、シリコン層１６はシリコン基板１０の主面に対して平行な方向の圧縮歪みを受けている。 - 特許庁

When an electrode layer, a piezoelectric layer, and a magnetic layer are arranged and an electric field is secured by applying voltage to the electrode layer, after lattice expansion (or lattice compression) is excited in the piezoelectric layer, a magnetization easy axis affecting the self-magnetization direction of the magnetic layer is switched vertically or inversely to a film surface by applying tension stress or compression stress to the magnetic layer.例文帳に追加

電極層、圧電層及び磁性層を配置し、電極層に電圧を印加して電界が確保されると、圧電層に格子拡張（または格子圧縮）が励起された後、磁性層に引張り応力または圧縮応力が加えられることによって磁性層の自発磁化方向を左右する磁化容易軸が、薄膜面で垂直軸にまたはその逆にスイッチングされる。 - 特許庁

Because the corresponding point file is created by only the lattice point, capacity of data is very small, and various image effect, animation compression, on-line goods introduction, and mounting on a portable apparatus are easily achieved.例文帳に追加

格子点だけで対応点ファイルを作ったので、そのデータ容量は非常に小さくなり、簡便に各種映像効果、動画圧縮、オンライン商品紹介、携帯機器への実装が実現する。 - 特許庁

The string beam structure is arranged at certain intervals, the lattice-shaped upper chords are connected by the compression upper-chords and the bundle-material lower end sections by the tensile lower chords in the orthogonal direction, and the string beam structure can also be configured in the orthogonal direction.例文帳に追加

また、前記張弦梁構造をある間隔で並べ、梯子状上弦部を圧縮上弦材で、束材下端部を引張下弦材で直交方向に連結し、直交方向にも張弦梁を構成することができる。 - 特許庁

This III-V group compound semiconductor device includes at least a p-type layer (6) formed by epitaxial growth on a substrate (1), and the p-type layer (6) contains Zn as p type dopant, and has a larger lattice constant than that of the substrate (1), and includes compression distortion.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置は、基板（１）上においてエピタキシャル成長させられた少なくともｐ型層（６）を含み、このｐ型層（６）はｐ型ドーパントとしてＺｎを含むとともに、基板（１）に比べて大きな格子定数を有していて圧縮歪を含んでいる。 - 特許庁