light dipとは 意味・読み方・使い方

The incidence angle θ is a light-absorbing (plasmon) dip angle, at which the reflectivity of the light incident surface of the gold layer 2 to the visible laser light V becomes a minimum in the entire reflection region.例文帳に追加

入射角θは、全反射領域において可視レーザ光Vの金層２の光入射面での反射率Rが最小となる光吸収（プラズモン）ディップ角である。 - 特許庁

Mg/Sr-CONTAINING HOT-DIP ALUMINIZED STEEL SHEET FREE FROM LIGHT BROWN INITIAL RUSTY STAIN, AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

薄茶色初期錆汚れの発生しないＭｇ・Ｓｒ含有溶融Ａｌ基めっき鋼板およびその製造法 - 特許庁

The incident-light angle θ amounts to a plasmon-dip angle with the minimal reflectance R of the ultraviolet laser beam UV at the light-incident surface of the aluminum layer 2 in a total-reflection region.例文帳に追加

入射角θは、全反射領域において紫外レーザ光UVのアルミニウム層２の光入射面での反射率Rが最小となるプラズモンディップ角である。 - 特許庁

In the case the hot dip galvanized layer 10 is irradiated with laser light L, ruggedness on the surface of the hot dip galvanized layer 10 is smoothened to reduce sulfur dioxide gas and the coating weight of impurities such as chlorides and the like which cause corrosion.例文帳に追加

溶融亜鉛メッキ層１０にレーザ光線Ｌを照射すると、溶融亜鉛メッキ層１０の表面の凹凸が平滑化されて、腐食の原因となる亜硫酸ガス，塩化物などの不純物の付着量が減少する。 - 特許庁

Therefore, a dip is formed in a valence band instead of a conduction band in the interface between the light-emitting layer SP- and the gallium nitride semiconductor layer P.例文帳に追加

このため、発光層ＳＰ−と窒化ガリウム系半導体層Ｐとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。 - 特許庁

To provide a crystallization apparatus that forms a desired light intensity distribution in the shape of a dip stably at a desired position.例文帳に追加

デフォーカスの影響をほとんど受けることなく、所望のディップ状の光強度分布を所望の位置に安定的に形成することのできる結晶化装置。 - 特許庁

To provide a dip coating method for a light bulb designed to prevent a coating material sagging hump from being formed on the spherical lower surface of the bulb at a low cost with an easy constitution.例文帳に追加

簡単な構成により、低コストで、球状の下面への塗料溜まりの形成を防止するようにした電球へのディップ塗装方法を提供する。 - 特許庁

The limiting part 14 is provided with relay contacts and dip switches 30a-30c, selects and effectuates one of a plurality of signal lines of the limiting part 14 for every kind of a film 50 by the relay contact, and sets a quantity of light limiting value by the dip switches 30a-30c.例文帳に追加

この光量制限部１４はリレー接点とディップスイッチ３０ａ〜３０ｃとを備え、リレー接点によりフイルム５０の種類ごとに光量制限部１４の複数の信号線を択一的に有効にし、ディップスイッチ３０ａ〜３０ｃにより光量制限値を設定する。 - 特許庁