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主な意味軽元素不純物

JST科学技術用語日英対訳辞書での「light element impurity」の意味

light element impurity



「light element impurity」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 42



例文

To suppress any impurity from being stuck to a semiconductor light emitting element.例文帳に追加

半導体発光素子への不純物の付着を抑制することを課題とする。 - 特許庁

A light-receiving element 20 is equipped with a semiconductor substrate 1, a light absorbing layer which is formed on a semiconductor substrate 1, includes a low concentration impurity layer, and absorbs the light of predetermined wavelength band, and a high concentration impurity layer 4 formed on the light absorbing layer and having an impurity concentration higher than that of the low concentration impurity layer.例文帳に追加

受光素子20は、半導体基板1と、半導体基板1上に形成され、低濃度不純物層を含み且つ所定の波長帯の光を吸収する光吸収層と、光吸収層上に形成され且つ低濃度不純物層よりも不純物濃度が高い高濃度不純物層4とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element for improving luminance of a light-emitting element without increasing acceptor impurity concentration of an acceptor layer.例文帳に追加

アクセプタ層のアクセプタ不純物濃度を高めることなく、発光素子の輝度上昇が図れる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises processes of introducing a prescribed impurity element into a semiconductor substrate, forming an impurity diffused region in the semiconductor substrate by radiating the light of a frequency resonating the characteristic frequency of the impurity element to diffuse the impurity element, and forming a semiconductor element on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板に所定の不純物元素を導入する工程と、不純物元素の固有振動数に共鳴する波数の光で基板上の所定の箇所を照射して導入した不純物元素を拡散させ、半導体基板中に不純物拡散領域を形成する工程と、半導体基板上に半導体素子を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a light-receiving element, capable of preventing a second conductivity-type impurity from diffusing on a first semiconductor layer of a light-receiving section.例文帳に追加

受光部の第1半導体層に第2の導電型の不純物が拡散することが抑制される受光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light receiving element 1 is arranged, on the upper surface thereof, with an electrode 10 for placing the light emitting element and a light receiving region 4 wherein a heavily doped impurity layer 11 is formed along the edge of the electrode 10 for placing the light emitting element.例文帳に追加

上面に発光素子配置用の電極10と受光領域4を備える受光素子1であって、前記素子配置用電極10の縁に沿って高濃度不純物層11を形成した。 - 特許庁

例文

The light-emitting device has a laminated quartz glass membrane 11 comprising a first quartz glass membrane 11a containing an impurity element as a first component, and a second quartz glass membrane 11b containing an impurity element as a second component.例文帳に追加

第1の組成で不純物元素を含有する第1の石英ガラス膜11aと、第2の組成で不純物元素を含有する第2の石英ガラス膜11bとを含む積層石英ガラス膜11を有する構成とする。 - 特許庁

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クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「light element impurity」の意味

light element impurity

「light element impurity」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 42



例文

Impurity concentration of an impurity layer having polarity the reverse of that of a light receiving part 2 is changed depending on an element isolation region around the light receiving part 2, an element isolation region of a read out region of a charge transfer transistor 3 and an element isolation region around a floating region 4 functioning as a charge voltage conversion part.例文帳に追加

受光部2の周囲の素子分離領域、電荷転送トランジスタ素子3の読み出し領域の素子分離領域および電荷電圧変換部としてのフローティング領域4の周囲の素子分離領域に応じて、受光部2とは逆極性の不純物層の不純物濃度を変えている。 - 特許庁

In another embodiment, this light-emitting element contains a group III nitride semiconductor active region, having at least one barrier layer doped uniformly with an impurity or doped with the impurity, in a state where the concentration of the impurity changes in stepwise manner in a direction substantially perpendicular to the active region.例文帳に追加

別の実施形態において、発光素子は、不純物で均一にドーピングされるか、又は、活性領域と実質的に直角な方向に段階的に変化する濃度を有する不純物でドーピングされた少なくとも1つの障壁層を有するIII族窒化物半導体活性領域を含む。 - 特許庁

The light-emitting layer contains a parent material of a compound composed of a second group element and a 16th group element or a 12th group element and a 16th group element, and an impurity element of an emission center.例文帳に追加

発光層は、第2族の元素と第16族の元素を含む化合物または第12族の元素と第16族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含んでいる。 - 特許庁

The impurity region 3 of a light receiving element 14 is formed on the surface of the substrate 1 whose surface is exposed on the bottom of the trench.例文帳に追加

トレンチの底部で露出された半導体基板1の表面に、受光素子14の不純物領域3が形成されている。 - 特許庁

To provide a light emitting element where distortion treatment and control of impurity are performed in a growth layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

成長層におけるひずみ処理および不純物制御の施された発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element, wherein not only an ionic impurity present in a liquid crystal layer is made to adsorb by an adsorption film, but also diffusion of the adsorbed ionic impurity due to light and heat, and decomposition of a liquid crystal are prevented.例文帳に追加

液晶層内に存在するイオン性不純物を吸着膜に吸着させるだけでなく、吸着されたイオン性不純物の光や熱による拡散や液晶の分解を回避する。 - 特許庁

This technique is characterized in that a rare gas element-doped impurity region is formed in a semiconductor film having a crystal structure and a gettering for making a metallic element being comprised in the semiconductor film segregate in the impurity region is performed by a heating treatment or a strong light irradiation.例文帳に追加

本発明は結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理または強光照射により前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行うことを特徴としている。 - 特許庁

例文

Since an impurity concentration profile in the thickness direction of the N type and P type impurity diffusion layers 32, 33 thus formed is formed in a way suitable for the generation and movement of carriers, the semiconductor device 30 provided with the light receiving element unit A with a high response speed and excellent light receiving sensitivity is obtained.例文帳に追加

このようにして形成されるN型およびP型不純物拡散層32,33の厚み方向における不純物濃度プロファイルは、キャリアの発生と移動とに好適なように形成されるので、応答速度と受光感度とに優れる受光素子部Aを備える半導体装置30が実現される。 - 特許庁

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「light element impurity」の意味に関連した用語


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