local oxidation of siliconとは 意味・読み方・使い方

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MOS TRANSISTOR WITH LOCAL OXIDATION OF SILICON (LOCOS) OFFSET STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＬＯＣＯＳオフセット構造のＭＯＳトランジスタを含む半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

In a certain embodiment, a piezoresistive pressure sensor 100 having an exposed silicon region undergoes a preferential local oxidation of silicon (LOCOS) process.例文帳に追加

ある実施形態では、露出されたシリコン領域を備えたピエゾ抵抗圧力センサ１００は、選択酸化（ＬＯＣＯＳ）プロセスを経る。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device forms a LOCOS (local oxidation of silicon) film extended from the element forming region to the element isolation region on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板表面に素子形成領域から素子分割領域に亘って延在するＬＯＣＯＳ膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein the bird's beak of an LOCOS (Local Oxidation of Silicon) oxide film is short and the resistance value of a semiconductor element is low.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜のバーズビークが短く、かつ半導体素子の抵抗値が低い半導体装置を提供する。 - 特許庁

A pattern of a masking layer for local oxidation of silicon 12 is formed on this substrate 11, and an element-isolation insulating film 13 is formed by selectively oxidizing the pattern.例文帳に追加

この基板１１上に選択酸化用のマスク層１２のパターンを形成し、選択的に酸化して素子分離絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

To eliminate inter-elennent leak while the thickness of an oxidized film by LOCOS(local oxidation of silicon) is kept thin.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳの酸化膜厚を薄くしたまま、素子間リークをなくすことができる半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of accurately forming a resistor even in a boundary region with a LOCOS (local oxidation of silicon) oxide film to have the accurate resistor and to obtain a space saving.例文帳に追加

本発明は、ＬＯＣＯＳ酸化膜との境界領域にも、抵抗体を高精度で形成することができ、高精度な抵抗体を有するとともに省スペースを実現する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁