low-temperature grownとは 意味・読み方・使い方

A GaN layer 33 is epitaxially grown on a sapphire substrate 31 through a GaN low-temperature buffer layer 32.例文帳に追加

サファイア基板３１上に、ＧａＮ低温バッファ層３２を介してＧａＮ層３３をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Through a HVPE method, a nitride layer 140 comprising GaN etc. is grown on the nitride buffer layer 130 at a low substrate temperature (700-900°C) (b).例文帳に追加

ＨＶＰＥ法により、窒化物バッファー層１３０上に、低い基板温度（７００〜９００℃）でＧａＮ等の窒化物層１４０を成長させる（ｂ）。 - 特許庁

Therefore, the crystal support part 231 can be stably kept at a low temperature and the single crystal block CL can be stably and efficiently grown.例文帳に追加

従って、結晶支持部２３１を安定に低温に維持することができ、単結晶塊ＣＬを良好な効率で安定に成長させることができる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor that can have a nitride semiconductor layer containing Al crystal-grown at a low temperature that is not higher than 700°C, when it is to be crystal-grown.例文帳に追加

Ａｌを含む窒化物半導体層を結晶成長させる場合に、７００℃以下の低温で成長させることができる窒化物半導体を提供する。 - 特許庁

On an InGaAsP etching-stop layer 18 containing P, a GaAs semiconductor (low-temperature grown) layer 21 of 10% to 0% in group III mixed crystal ratio of Al is grown again at 550 to 600°C.例文帳に追加

Ｐを含むＩnＧaＡsＰエッチストップ層１８上に、５５０℃以上且つ６００℃以下の低成長温度でＡlのIII族混晶比が１０％〜０％であるＧaＡs半導体(低温成長)層２１を再成長している。 - 特許庁

A low-temperature protective layer 12 consisting of AlN is grown on a rare earth perovskite substrate 11 and a first AlGaN-based semiconductor layer having Al_x1Ga_1-x1N where composition x1 of Al satisfies 0.40≤x1≤0.45 is grown on the low-temperature protective layer 12.例文帳に追加

希土類ペロブスカイト基板上１１に、ＡｌＮからなる低温保護層１２を成長させ、この低温保護層１２上に、Ａｌの組成ｘ１が０．４０≦ｘ１≦０．４５のＡｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ｎからなる第１ＡｌＧａＮ系半導体層を成長させる。 - 特許庁

The GaN semiconductor crystal base material comprises: an Al_xGa_1-xN (0<x≤1) substrate layer grown directly on a crystal substrate via an AlN low-temperature grown buffer layer, and an Al_yGa_1-yN (0≤y<x) layer provided on the substrate layer.例文帳に追加

結晶基板直上に、ＡｌＮ低温成長バッファ層を介してＡｌ_xＧａ_1_-xＮ（０＜ｘ≦１）下地層が成長しており、該下地層上にＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜ｘ）層が設けられていることを特徴とする、ＧａＮ系半導体結晶基材。 - 特許庁

To control the total thickness of the epitaxially grown layers of a GaN-based field effect transistor to ≤1 μm that is required to suppress the warpage of the epitaxially grown layers to ≤20 μm, and at the same time, to obtain sufficient device characteristics by using a low-temperature-deposited InGaN layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ低温堆積層を用いることにより、ＧａＮ系電界効果トランジスタのエピタキシャル層の総膜厚について、反り量を２０μｍ以下に抑えるのに必要な１μｍ以下にすることを実現可能とすると共に、充分なデバイス特性を得ること。 - 特許庁