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lower layer groupとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 下総層群
「lower layer group」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 124件
The group of lower-layer bumps 223 are aligned with the group of upper-layer bumps 213 so that the group of upper-layer bumps 213 and the group of lower-layer bumps 223 are joined together with the solder materials 230, and they are equally soldered together.例文帳に追加
上層バンプ213群と下層バンプ223群とを半田材230で接合させるように下層バンプ223群はそれぞれ上層バンプ213群に照準し、半田付けが均等になされる。 - 特許庁
A lower layer formation solution 25L is produced by mixing a surface active agent 26 having a lower-layer functional group 26a and an upper-layer functional group 26b in a lower-layer solvent, and lower-layer droplets 25D formed of the lower-layer formation solution 25L are dried to form a hole transportation layer.例文帳に追加
下層溶媒に下層官能基26aと上層官能基26bを有する界面活性剤26を混和して下層形成溶液25Lを生成し、同下層形成溶液25Lからなる下層液滴25Dを乾燥して正孔輸送層を形成した。 - 特許庁
About an arbitrary high order layer group and its lower low order layer group, a high order layer relay server is selected based on the selection priority from a low order layer relay server in the low order layer group.例文帳に追加
任意の上位層グループとその下の下位層グループについては、上位層中継サーバーが、下位層グループの下位層中継サーバーから選定優先度に基づいて選定される。 - 特許庁
To lower a resistance of a p-type semiconductor layer group in a semiconductor device with a p-type semiconductor layer group and an n-type semiconductor layer group laminated on a predetermined wafer so that the p-type semiconductor layer group is satisfactorily activated for a practical use.例文帳に追加
所定の基板上において、p型半導体層群及びn型半導体層群が積層されてなる半導体素子において、前記p型半導体層群が十分に活性化処理されて実用に足るべく低抵抗化する。 - 特許庁
Also, an ACL(Access Control List) is automatically set in the OU 702 for managing the user/group by the group belonging to the higher layer, and the group 705 of the higher layer is registered as the member of a group 703 of the lower layer.例文帳に追加
また、OU702には、上位階層の組織に所属するグループがユーザ/グループを管理できるACL(Access Contorol List)を自動的に設定し、上位階層のグループ705を、下位組織のグループ703のメンバとして登録する。 - 特許庁
In a semiconductor device having the resistance element group and/or a signal wiring layer on a semiconductor substrate, a shield layer is disposed in the resistance element group and/or the upper layer and/or the lower layer of the signal wiring layer.例文帳に追加
半導体基板上に抵抗素子群および/または信号配線層を有する半導体装置において、前記抵抗素子群および/または信号配線層の上層および/または下層にシールド層を設ける。 - 特許庁
An upper layer Al film 7 for the pat of a test element group TEG1 is arranged to overlap the lower layer Al interconnect 5b of the test element group TEG1.例文帳に追加
テストエレメントグループTEG1のパット用上層Al膜7を、テストエレメントグループTEG1の下層Al配線5bと重なるように配置する。 - 特許庁
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「lower layer group」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 124件
The hydroxy group content in the polyvinyl acetal resin in the first layer 2 is lower than the hydroxy group content in the polyvinyl acetal resin in the second layer 3.例文帳に追加
第1の層2中のポリビニルアセタール樹脂の水酸基の含有率は、第2の層3中のポリビニルアセタール樹脂の水酸基の含有率よりも低い。 - 特許庁
The specific resistance ρ29 of the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is lower than the specific resistance ρ27 of the first p-type group III nitride semiconductor layer 27.例文帳に追加
第2p型III族窒化物半導体層29の比抵抗ρ29は第1p型III族窒化物半導体層27の比抵抗ρ27より低い。 - 特許庁
The puzzle includes: a storage box 2 in which the base of a pattern is formed on the entire surface of a bottom portion 2b ; a lower layer piece group 4 which is overlaid on a bottom portion 2b of the storage box 2; and an upper layer piece group 5 which is overlaid on the lower layer piece group 4.例文帳に追加
底部2bの全面に絵柄の素地が形成された収納箱2と、この収納箱2の底部2b上に重ねられる下層ピース群4と、この下層ピース群4に重ねられる上層ピース群5とによって構成されている。 - 特許庁
The plurality of upper data electrodes 14 which can be set above the lower-layer data electrodes 12 of each group, GA, GB, and GC are connected to the lower-layer data electrodes 12 of each group through the opening of the insulated layer 20.例文帳に追加
各グループGA,GB,GCの下層データ電極12の上方における複数の上層データ電極14は各グループの下層データ電極12に絶縁層20の開口部を通して接続される。 - 特許庁
The lower part of each ohmic electrode 14 is formed to pierce the second group III-V nitride semiconductor layer 13 and the third group III-V nitride semiconductor layer 21 and to reach a region on the lower side than a two-dimensional electron-gas layer of the first group III-V nitride semiconductor layer 12.例文帳に追加
第1のオーミック電極14は、下部が第2のIII−V族窒化物半導体層13及び第3のIII−V族窒化物半導体層21を貫通し且つ第1のIII−V族窒化物半導体層12における2次元電子ガス層よりも下側の領域に達するように形成されている。 - 特許庁
In an epitaxial structure 1, a lower n-type semiconductor layer 19, a group III-V compound semiconductor layer 21, and an upper n-type semiconductor layer 23 are laminated in this order.例文帳に追加
エピ構造1では、下部n型半導体層19、III−V族化合物半導体層21、上部n型半導体層23の順に積層されている。 - 特許庁
By turning on/off a hub device 18 for a lower layer relay and a hub device 19 for an upper layer relay, an elevator 11g capable of servicing at all floors is connected with a group-control device 13 for a lower layer or a group-control device 14 for an upper layer.例文帳に追加
低層中継用ハブ装置18と高層中継用ハブ装置19の電源をON/OFFすることで、全階床サービス可能なエレベータ11gを低層用群管理制御装置13または高層用群管理制御装置14に接続する。 - 特許庁
The lubricative film includes a lower lubricant layer 13 comprising a 1st polymer having a polar group or a group with ≥7 introduced πelectrons as a terminal group and an upper lubricant layer 14 comprising a 2nd polymer applied on the lower lubricant layer 13 and having a terminal group different from that of the 1st polymer.例文帳に追加
未端基に極性基または7つ以上のπ電子が導入された基を有する第1のポリマーからなる下側の潤滑剤層13と、下側の潤滑剤層13の上に塗布され且つ末端に第1のポリマーと異なる末端基を有する第2のポリマーからなる上側の潤滑剤層14とを含む。 - 特許庁
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