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magnetic substance memoryとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 磁性体メモリ
「magnetic substance memory」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
To provide magnetic memory element, magnetic memory device and magnetic wall movement method, enabling stable movement of a magnetic wall in a magnetic substance.例文帳に追加
磁性体中の磁壁を安定して移動させる磁気記憶素子、および磁壁移動方法を提供する。 - 特許庁
PATTERNING METHOD OF MAGNETIC SUBSTANCE, MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
THIN-FILM MAGNETIC SUBSTANCE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
薄膜磁性体半導体記憶装置 - 特許庁
The magnetic memory cell has a magnetic substance memory layer for storing data by the magnetization state, and a spin control layer for supplying spin electrons to the magnetic substance memory layer by the same control principle regardless of the data being written, based on the writing current.例文帳に追加
磁気メモリセルは、磁化状態によりデータを記憶する磁性体記憶層と、書き込み電流に基づいて書き込むデータに依らず同一の制御原理で磁性体記憶層にスピン電子を供給するスピン制御層とを備える。 - 特許庁
To accelerate data read from an MRAM(Magnetic RAM) device formed of a magnetic substance memory cell having a magnetic tunnel junction section.例文帳に追加
磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスのデータ読出を高速化する。 - 特許庁
In the magnetic memory, a plurality of magnetic domains are formed, there is a memory track in which a data bit comprising the magnetic domain can be stored in an array, and the memory track is made of an amorphous soft magnetic substance.例文帳に追加
複数のマグネチックドメインが形成され、該マグネチックドメインからなるデータビットがアレイに保存されうるメモリトラックを具備し、該メモリトラックは、非晶質軟磁性物質からなることを特徴とする磁気メモリである。 - 特許庁
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「magnetic substance memory」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
To provide a thin film magnetic substance storage device preventing data from being written in non-selected memory cells.例文帳に追加
非選択メモリセルに対するデータ誤書込を防止する薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic substance memory without increasing wiring resistance by suppressing crosstalk generated between adjacent memory cells.例文帳に追加
隣接するメモリセル間で発生するクロストークを抑制するとともに、配線抵抗が増大することのない薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A magnetic memory device 1 has: a soft magnetic substance 41 formed to partially or entirely cover a wire 15; and an antiferromagnetic layer 27 formed on the external surface of the substance 41.例文帳に追加
磁気記憶装置１において、配線１５の一部又は全部を覆うように軟磁性体４１を形成し、この軟磁性体４１の外面に反強磁性層２７を形成する。 - 特許庁
The magnetic substance layer 160# is provided in the same layer as that of a tunnel magnetoresistance element in the MTJ memory cell in the same structure as that of the same.例文帳に追加
磁性体層１６０♯は、ＭＴＪメモリセル中のトンネル磁気抵抗素子と同一層に同一構造で設けられる。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic substance storage device which comprises a structure capable of supplying a data write current stably and effectively without causing an increase in size of a memory cell.例文帳に追加
メモリセルサイズの増加を招くことなく、安定的かつ効率的にデータ書込電流を供給可能な構成を備えた薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic substance memory device capable of performing high speed and stable data read-out by designing a dummy cell in consideration of the dependency of a tunnel magneto-resistive element on a bias voltage.例文帳に追加
トンネル磁気抵抗素子のバイアス電圧依存性を考慮したダミーセルを設計し、高速かつ安定したデータ読出を実行可能な薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic substance storage device including a program element capable of being manufactured concurrently in a manufacturing process of an MTJ memory cell without the need of an exclusive manufacturing process.例文帳に追加
専用の製造工程を必要とせずＭＴＪメモリセルの製造工程で並行して作製可能なプログラム素子を備えた薄膜磁性体記憶装置を提供することである。 - 特許庁
A thin-film magnetic substance memory (MRAM) is provided with an ROM region (20) and an RAM region (30) changeable in size, connected to different ports (8, 9) respectively and accessible in parallel to the ports.例文帳に追加
薄膜磁性体メモリ（ＭＲＡＭ）において、そのサイズが変更可能なＲＯＭ領域（２０）とＲＡＭ領域（３０）を設け、それぞれ異なるポート（８，９）に結合し、ポート並列にアクセス可能とする。 - 特許庁
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