mask technologyとは 意味・読み方・使い方

To provide a technology for aligning a substrate and a mask with high accuracy even when the substrate is large.例文帳に追加

大型基板であっても、基板とマスクとを精度良くアライメントを行うことができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a shadow mask that is produced in a low level with the use of electrical plating technology and a shadow mask manufactured therewith.例文帳に追加

電鋳加工技術を利用して低水準に製造するシャドウマスクの製造方法及びその製造方法を用いて製造したシャドウマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a technology of suppressing the occurrence of film exfoliation of a hard mask layer after heat treatment, by suppressing cutting-through of fluorine, from a fluorine added carbon film to the hard mask layer.例文帳に追加

フッ素添加カーボン膜からハードマスク層へのフッ素の突き抜けを抑え、熱処理後のハードマスク層の膜剥がれを抑える技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of manufacturing a reliable mask ROM with a small memory cell area in a short TAT.例文帳に追加

メモリセル面積が小さく信頼性の高いマスクＲＯＭを短ＴＡＴで製造できる技術を提供する。 - 特許庁

In the technology, new halftone mask structure usable as a sort key and having a threshold which is not repeated is used.例文帳に追加

この技術では、ソートキーとして使用可能な、繰り返されないしきい値をもつ新規のハーフトーンマスク構造を使用する。 - 特許庁

To provide a manufacturing technology of a semiconductor device using a defective modification technology of a reflective mask which lets extreme ultraviolet (EUV) light having the wavelength of near 13.5 nm be an exposure light source.例文帳に追加

波長が１３．５ｎｍ付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

A resist mask with a part of a silicon core 132 exposed therefrom is formed, and then, by an ion implantation technology using the resist mask as a mask, a p-type impurity is implanted into a part of the silicon core 132 to form a p-type silicon core 132a on an oxide silicon layer 102.例文帳に追加

一部のシリコンコア１３２が露出するレジストマスクを形成し、これをマスクにしたイオン注入技術により、一部のシリコンコア１３２にｐ型不純物を導入し、酸化シリコン層１０２の上に、ｐ型シリコンコア１３２ａを形成する。 - 特許庁

The substrate for growing a GaN-based crystal usable in the ELO technology is obtained by forming a mask layer 2 with a pattern which is constituted of mask areas (d) and non-mask areas (e) on the surface of a crystal substrate 1 on which the GaNbased crystal can grow.例文帳に追加

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、マスク領域ｄと非マスク領域ｅとが形成されるパターンにてマスク層２を形成し、ＥＬＯ技術に対応し得るＧａＮ系結晶成長用基板とする。 - 特許庁