mesa structuresとは 意味・読み方・使い方

The block layer 13 is formed on the p-cladding layer 5 and the slanted surfaces of the mesa structures 7 to 9, the low-loss layer 11 is formed on a portion of the mesa top of the mesa structures 7 to 9, and the contact layer 10 is formed on the block layer 13, the low-loss layer 11, and the mesa structures 7 to 9.例文帳に追加

ブロック層１３はｐ−クラッド層５及びメサ構造７−９の斜面上に、低損失層１１はメサ構造７−９のメサトップの一部の上に、コンタクト層１０はブロック層１３、低損失層１１及びメサ構造７−９の上に、それぞれ形成される。 - 特許庁

Semiconductor layers 2 to 6 which are processes into mesa structures are formed on a semi-insulating board 1.例文帳に追加

半絶縁性基板１の上にメサ構造に加工した半導体層２〜６を形成する。 - 特許庁

Metallic layers 76 and 78 form a shot key contact 78 by contacting with the trench structures and the mesa region.例文帳に追加

金属層（７６，７８）がトレンチ構造とメサ領域とに接触してショットキーコンタクト（７８）を形成する。 - 特許庁

Many trench structures 54 and 56 are formed as recesses in the drift layer facing the N+ region and each mesa region 57 separates each pair of the trenches.例文帳に追加

多くのトレンチ構造（５４，５６）がＮ^+領域に対向するドリフト層内に窪みとして形成され、それぞれのメサ領域（５７）が各対のトレンチを分離する。 - 特許庁

A semiconductor laser device comprises an n-cladding layer 3, an active layer 4, a p-cladding layer 5, mesa structures 7 to 9, a block layer 13, a low-loss layer 11, and a contact layer 10.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５、メサ構造７−９、ブロック層１３、低損失層１１、コンタクト層１０を具備する。 - 特許庁

After the mesa-side face has been interrupted from atmosphere by the passivation film 18, the mesa-side face is irradiated with the laser beam before the electrode 19 opaque to the laser beam is formed, and the laser beam can reach the boundary between the mesa- side face and the passivation film; and substances or structures being the factor for leakage currents can be decomposed, and to reduce the leak currents.例文帳に追加

パッシベーション膜１８によりメサ側面が大気から遮断された後、レーザ光に対して不透明である電極１９が形成される前にレーザ光を照射することにより、レーザ光がメサ側面とパッシベーション膜との界面に到達し、リーク電流の原因となる物質や構造を分解し、リーク電流の低減が達成される。 - 特許庁

One or plurality of mesa structures of an external form having steep cliffs on both sides of a flat top are formed on both faces of an upper face 11b and a lower face 11a of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

平坦な頂上の両側方に急な崖を有する外形構造である１乃至複数のメサ構造を半導体基板１１の上面１１ｂおよび下面１１ａの両面に形成する。 - 特許庁