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mesa structuresの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
The block layer 13 is formed on the p-cladding layer 5 and the slanted surfaces of the mesa structures 7 to 9, the low-loss layer 11 is formed on a portion of the mesa top of the mesa structures 7 to 9, and the contact layer 10 is formed on the block layer 13, the low-loss layer 11, and the mesa structures 7 to 9.例文帳に追加
ブロック層１３はｐ−クラッド層５及びメサ構造７−９の斜面上に、低損失層１１はメサ構造７−９のメサトップの一部の上に、コンタクト層１０はブロック層１３、低損失層１１及びメサ構造７−９の上に、それぞれ形成される。 - 特許庁
Semiconductor layers 2 to 6 which are processes into mesa structures are formed on a semi-insulating board 1.例文帳に追加
半絶縁性基板１の上にメサ構造に加工した半導体層２〜６を形成する。 - 特許庁
Metallic layers 76 and 78 form a shot key contact 78 by contacting with the trench structures and the mesa region.例文帳に追加
金属層（７６，７８）がトレンチ構造とメサ領域とに接触してショットキーコンタクト（７８）を形成する。 - 特許庁
Many trench structures 54 and 56 are formed as recesses in the drift layer facing the N+ region and each mesa region 57 separates each pair of the trenches.例文帳に追加
多くのトレンチ構造（５４，５６）がＮ^+領域に対向するドリフト層内に窪みとして形成され、それぞれのメサ領域（５７）が各対のトレンチを分離する。 - 特許庁
After the mesa-side face has been interrupted from atmosphere by the passivation film 18, the mesa-side face is irradiated with the laser beam before the electrode 19 opaque to the laser beam is formed, and the laser beam can reach the boundary between the mesa- side face and the passivation film; and substances or structures being the factor for leakage currents can be decomposed, and to reduce the leak currents.例文帳に追加
パッシベーション膜１８によりメサ側面が大気から遮断された後、レーザ光に対して不透明である電極１９が形成される前にレーザ光を照射することにより、レーザ光がメサ側面とパッシベーション膜との界面に到達し、リーク電流の原因となる物質や構造を分解し、リーク電流の低減が達成される。 - 特許庁
One or plurality of mesa structures of an external form having steep cliffs on both sides of a flat top are formed on both faces of an upper face 11b and a lower face 11a of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加
平坦な頂上の両側方に急な崖を有する外形構造である１乃至複数のメサ構造を半導体基板１１の上面１１ｂおよび下面１１ａの両面に形成する。 - 特許庁
The structures 40-1 through 40-8 are non-mesa type, trenches 42 are formed on the periphery thereof while spaced apart from each other, and its upper electrode layer 24b is connected with the upper electrode layer 24a by a wiring layer 50.例文帳に追加
構造体４０−１〜４０−８は、非メサタイプであり、その周囲に離間された溝４２が形成され、その上部電極層２４ｂは配線層５０によって上部電極層２４ａに接続されている。 - 特許庁
The n-cladding layer 3 is formed on a semiconductor substrate 2, the active layer 4 is formed on the n-cladding layer 3, the p-cladding layer 5 is formed on the active layer 4, and the mesa structures 7 to 9 are formed on a portion of the p-cladding layer 5.例文帳に追加
ｎ−クラッド層３は半導体基板２上に、活性層４はｎ−クラッド層３上に、ｐ−クラッド層５は活性層４上に、メサ構造７−９はｐ−クラッド層５の一部上に形成される。 - 特許庁
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