metal‐film resistorの英語

A part not covered with the insulation film 4 of the thick-film resistor 3 is covered with the plated metal film.例文帳に追加

めっき金属膜は、厚膜抵抗体３の絶縁膜４によって被覆されていない部分を覆っている。 - 特許庁

To prevent electric leakage between a heat generation resistor for adjusting a floating amount and a metal film such as a shield film or a magnetic pole.例文帳に追加

浮上量調整用発熱抵抗体と、シールド膜や磁極等の金属膜との間の電気的リークを防止する。 - 特許庁

The feature of the resistor 4 in a plane view is formed in such a manner that: in at least a part of the region, the width W2 of the second semiconductor film 12 and the metal film 13 is smaller than the width W1 of the first semiconductor film 11; and the resistance of the resistor 4 is adjusted by the feature of the metal film 13.例文帳に追加

抵抗体４の平面視上の形状は、少なくとも一部の領域において第１半導体膜１１の幅Ｗ１に比して第２半導体膜１２及び前記メタル膜１３の幅Ｗ２を小さくし、抵抗体４の抵抗値は、メタル膜１３の形状により調整する。 - 特許庁

Then, the metallic thin film and the barrier metal thin film are patterned, to form the thin film resistor 15 and a barrier metal film 16a on the thin film resistor 15.例文帳に追加

そして、金属薄膜およびバリアメタル薄膜をパターニングし、薄膜抵抗体１５と当該薄膜抵抗体１５上にバリアメタル膜１６ａを形成する。 - 特許庁

The metal film 16 serves as a heat sink, to expand the effective heat radiation area of the chip resistor, so that the chip resistor small in size and superior in performance can be realized.例文帳に追加

この金属膜１６が放熱板として機能して、チップ抵抗器の実効的な放熱面積を広げることとなり、小型で高性能のチップ抵抗器を実現できる。 - 特許庁

The resistor 4 comprises a layered body of a metal film 13, which is formed of the same layer as the source wiring line 2 and the short ring line 3 and integrally formed with the short ring line 3, a second semiconductor film 12 formed just below the metal film 13, and a first semiconductor film 11 formed just below the film 12.例文帳に追加

抵抗体４は、ソース配線２及びショートリング配線３と同一の層からなり、ショートリング配線３と一体的に形成されたメタル膜１３と、メタル膜１３の直下に形成された第２半導体膜１２と、その直下に形成された第１半導体膜１１の積層体からなる。 - 特許庁

To prevent generation of recesses of a conductive film in a wiring trench or a connecting hole, when polishing a barrier metal on an insulating film in a manufacturing method of a semiconductor device, comprising a process of forming a low resistor metal film on a base film via the barrier metal film.例文帳に追加

下地膜の上にバリアメタル膜を介して低抵抗金属膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、絶縁膜上でのバリアメタルの研磨の際に配線溝又は接続孔内に導電膜のリセスの発生を防止すること。 - 特許庁

The chip resistor is equipped with an insulating board 11, the resistor 15 formed on the surface of the insulating board 11, a pair of electrodes 13 and 13 connected to the resistor 15, and a first protective film 17a and a second protective film 17b covering the resistor 15, and a metal film 16 is interposed between the protective films 17a and 17b.例文帳に追加

絶縁性基板１１と、該絶縁性基板の表面に形成された抵抗体１５及びこれに接続する一対の電極１３，１３と、抵抗体を被覆する第１の保護膜１７ａと第２の保護膜１７ｂと、を備えたチップ抵抗器であって、第１の保護膜１７ａと第２の保護膜１７ｂの間に金属膜１６を備えた。 - 特許庁