metal nitride semiconductorとは 意味・読み方・使い方

Disclosed is the semiconductor element which has a group III nitride-based compound semiconductor layer formed on a substrate layer made of a metal nitride layer without interposing a low-temperature grown buffer layer, and the metal nitride layer is made of rufous titanium nitride.例文帳に追加

金属窒化層からなる下地層の上に低温成長バッファ層を介在させることなくIII族窒化物系化合物半導体層が形成されている半導体素子であって、前記金属窒化物層が赤茶色の窒化チタンからなる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT EMPLOYING GROUP III METAL NITRIDE CRYSTAL AND PROCESS FOR PRODUCING GROUP III METAL NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族金属窒化物結晶を用いた半導体発光素子およびこのＩＩＩ族金属窒化物結晶の製法 - 特許庁

In a semiconductor device, metal or metal nitride layers 18 and 19 which differ from each other are respectively provided on an N-type semiconductor layer and a P-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置に於いて、Ｎ型半導体層上とＰ型半導体層上とに異なる金属ないしは金属珪化物の層を設ける。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride-based semiconductor layer includes a step of applying nitride processing to one main surface of the sapphire substrate at a temperature of 800-1,200°C before forming the nitride-based semiconductor layer, and a step of forming the nitride semiconductor layer by an organic metal vapor phase growing method on the surface of the nitride-processed sapphire substrate.例文帳に追加

窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を８００℃から１２００℃の範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。 - 特許庁

The photocatalyst device includes a photocatalyst function layer which comprises a nitride semiconductor, and a thin film which comprises any of a metal oxide film, a metal nitride film and a metal oxide nitride film disposed on a surface of the photocatalyst function layer.例文帳に追加

窒化物半導体からなる光触媒機能層と、光触媒機能層の表面上に配置された金属酸化膜、金属窒化膜及び金属酸窒化膜のいずれかからなる薄膜とを備える。 - 特許庁

Transition metal is introduced in a nitride semiconductor layer 2 which is in contact with a current constriction layer (nitride semiconductor layer 3) and positioned on a side of a substrate 1 as compared with the current constriction layer (nitride semiconductor layer 3).例文帳に追加

電流狭窄層（窒化物半導体層３）と接しており、かつ電流狭窄層（窒化物半導体層３）よりも基板１側に位置する窒化物半導体層２に遷移金属を導入する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting element, a metal which is in ohmic contact with an n-type nitride semiconductor is used in a p-side electrode for injecting hole to a p-type nitride semiconductor layer, and a contact layer forming the p-side electrode is formed of an n-type nitride semiconductor.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、ｐ型窒化物半導体層に正孔を注入するためのｐ側電極に、ｎ型窒化物半導体とオーミック接触する金属を用いるとともに、かかるｐ側電極を形成するコンタクト層をｎ型窒化物半導体で形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METAL SILICON NITRIDE/OXIDE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化／酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造 - 特許庁