metallic impurityとは 意味・読み方・使い方

The surface of the n-type silicon well region 11 wherein the impurity diffusion regions 12, 13 are formed is covered with a layer insulation film 15, and a metallic wiring layer 21 extended to a boundary line of the n-type impurity diffusion region 13 is formed thereon and is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 12.例文帳に追加

不純物拡散領域１２，１３が形成されたＮ型シリコンウエル領域１１の表面を層間絶縁膜１５で覆い、この上にＮ型不純物拡散領域１３の境界線まで広げたメタル配線層２１を形成し、これをＰ型不純物拡散領域１２に電気的に接続する。 - 特許庁

ION EXCHANGE RESIN, ION EXCHANGE RESIN COLUMN, METHOD FOR REDUCING METALLIC IMPURITY CONTENT CONTAINED IN ION EXCHANGE RESIN, PURIFICATION APPARATUS AND PURIFICATION METHOD例文帳に追加

イオン交換樹脂、イオン交換樹脂カラム、イオン交換樹脂の含有金属不純物量低減方法、精製装置、及び精製方法 - 特許庁

To produce an extra-low oxygen metallic titanium and an extra-low oxygen titanium alloy without generating the contamination due to impurity elements.例文帳に追加

不純物元素による汚染を生ずることなく、極低酸素金属チタンおよび極低酸素チタン合金を安価に製造することができる。 - 特許庁

SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER WITH HIGH-MELTING-POINT METALLIC FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD FOR IMPURITY GETTERING IN SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

高融点金属膜付シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法並びにシリコン単結晶中の不純物ゲッタリング方法 - 特許庁

To improve a metallic impurity capturing capability and to restrain an element isolation structure from being deformed (facet) by etching.例文帳に追加

金属不純物捕獲能力の向上を図ることができ、且つ、素子分離構造のエッチングによる形状変化（片落ち）を抑制する。 - 特許庁

To provide a box for sampling metallic impurity capable of being manufactured at low cost and may be made portable while securing cleanliness and airtightness required during sampling of metal impurity in gas.例文帳に追加

ガス中の金属不純物をサンプリングする際に求められる清浄度と気密性とを確保しながら、低コストで製作でき、可搬型にすることも可能な金属不純物サンプリング用ボックスを提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, an impurity region, where dilute gas elements are added is made in a semiconductor film, and gettering for segregating the metallic elements contained in the semiconductor film is performed for the above impurity region by laser annealing.例文帳に追加

本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、レーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。 - 特許庁

After an impurity element is introduced selectively into the crystalline semiconductor film, first heat treatment is conducted under a high temperature and the metallic element is gettered into the impurity region.例文帳に追加

前記結晶質半導体膜に選択的に不純物元素を選択的に導入した後、高温で第１の加熱処理を行ない、前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングする。 - 特許庁