microwave transistorとは 意味・読み方・使い方

To provide a microwave frequency multiplier, where production of spurious oscillation due to a parasitic inductance of a conductor connecting a control input terminal of a transistor(TR) to ground can be prevented.例文帳に追加

トランジスタの制御入力端を接地する導体の寄生インダクタンスによりスプリアス発振が生ずるのを防止する。 - 特許庁

To realize a field-effect transistor, which can obtain a high output also in a microwave band and in which degradation of its distortion characteristics is not generated.例文帳に追加

マイクロ波帯においても高出力が得られ、かつひずみ特性の劣化を生じない電界効果トランジスタを実現する。 - 特許庁

To provide a microwave frequency multiplier that prevents spurious oscillation from being caused due to parasitic inductance of a ground connection conductor to which a control input terminal of a transistor is connected.例文帳に追加

トランジスタの制御入力端を接地する導体の寄生インダクタンスによりスプリアス発振が生ずるのを防止する。 - 特許庁

An output transmission line for a microwave transistor(TR) that applies nonlinear conversion to a microwave input signal is provided with a 3rd harmonic wave suppression circuit in addition to a fundamental wave suppression circuit and a 2nd harmonic wave suppression circuit.例文帳に追加

マイクロ波入力信号を非線形変換するマイクロ波トランジスタの出力伝送線路に、基本波抑制回路及び２倍波抑制回路のみならず、３倍波抑制回路を設けて構成する。 - 特許庁

The microwave power amplifier module 1 comprises a first semiconductor chip 60 which includes a field effect transistor 6 for a first amplifier stage and a field effect transistor 8 for a second amplifier stage.例文帳に追加

マイクロ波電力増幅モジュール１は、第１の半導体チップ６０に第１の増幅段のための電界効果トランジスタ６および第２の増幅段のための電界効果トランジスタ８を含んでいる。 - 特許庁

A process for removing by the projection of a microwave the moisture contained in the gate insulation film of a transistor is introduced to prevent thereby the change of its characteristic.例文帳に追加

マイクロ波の照射により、ゲート絶縁膜中の水分を除去するプロセスを導入することにより、トランジスタ特性の変動を防止する。 - 特許庁

To provide a high electron mobility transistor capable of achieving low power consumption and low cost and using gallium nitride suitable for microwave power application as its base.例文帳に追加

低消費電力、低費用化が実現可能で、マイクロ波電力応用に適合したガリウムナイトライドを基盤とする高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a MOS-PHEMT (Metal Oxide Semiconductor Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) suitable for use as a semiconductor device such as an SPDT switch of an MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit), and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＭＭＩＣのＳＰＤＴスイッチなど、半導体デバイスとして用いるのに適したＭＯＳ−ＰＨＥＭＴの構造及びその製造方法を開示する。 - 特許庁