monosilicideとは 意味・読み方・使い方

The titanium monosilicide part 106 has a curvature which is smaller than that of a titanium monosilicide part which is formed in conventional cases, and a junction leakage is not generated between the titanium monosilicide part 106 and the diffused layer 102.例文帳に追加

このチタンモノシリサイド１０６は、従来形成されていたチタンダイシリサイドよりも曲率が小さく、拡散層１０２との間接合リークを発生させない。 - 特許庁

METHOD OF PREPARING LAYER CONTAINING NICKEL MONOSILICIDE NiSi ON SUBSTRATE CONTAINING SILICON例文帳に追加

シリコンを含む基板上にニッケルモノシリサイドＮｉＳｉを含む層を調製する方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus of a practical level at 65nm to 45nm node for example where thermal stability of a nickel monosilicide layer is improved.例文帳に追加

ニッケルモノシリサイド層の熱安定性を向上させ、例えば６５ｎｍ〜４５ｎｍノードにおける実用レベルの半導体装置の製造を可能にする。 - 特許庁

After that, although it is subjected to annealing treatment, when the annealing treatment is executed at a lower temperature and in a shorter time as compared with conventional cases, a titanium monosilicide part 106 is formed in the interface between the Ti/TiN film 105 and a silicon substrate 101.例文帳に追加

この後アニール処理を施すが、従来よりも低温で短時間行うことで、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１０５とシリコン基板１０１との界面にはチタンモノシリサイド１０６が形成される。 - 特許庁

With the forming method of the silicide layer, the nickel monosilicide layer containing iridium is formed on a source/drain diffusion layer or a gate electrode of a MISFET for example of a semiconductor apparatus.例文帳に追加

このシリサイド層の形成方法により、半導体素子の例えばＭＩＳＦＥＴのソース／ドレイン拡散層あるいはゲート電極上にイリジウム含有のニッケルモノシリサイド層を形成し上記課題を解決する。 - 特許庁

The nickel monosilicide layer 15 containing iridium is formed by forming an impurity diffusion layer 12 on the surface of a silicon substrate 11, depositing an Ni-Ir alloy layer 13 after removing a natural oxide film on the surface, and applying a rapid thermal annealing (RTA) in a nitrogen gas atmosphere at temperature of 300°C to 500°C for example.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面部に不純物拡散層１２を形成し、その表面の自然酸化膜を除去した後、Ｎｉ−Ｉｒ合金層１３を堆積させて、例えば３００℃〜５００℃の温度で窒素ガス雰囲気中の急速熱アニール（ＲＴＡ）を施し、イリジウム含有のニッケルモノシリサイド層１５を形成する。 - 特許庁

After a source/drain region 4 is formed in a p-type MOS region by using a p-type impurity, an Ni monosilicide film 5 having highly uniform film quality and a film thickness is formed in a region in which an Ni silicide film is formed by suppressing the phase transition and agglomeration of an Ni silicide by injecting Ge into the region.例文帳に追加

Ｐ型不純物によりＰ−ＭＯＳ領域にソース及びドレイン領域４を形成した後、Ｎｉシリサイド膜が形成される領域にＧｅを注入することにより、Ｎｉシリサイドの相転移や凝集を抑制して膜質及び膜厚均一性に優れたＮｉモノシリサイド膜５を形成する。 - 特許庁